H01J 29/84 — ловушки для удаления или отклонения нежелательных частиц, например отрицательных ионов или краевых электронов; устройства для разделения по скорости или массе

Номер патента: 45231

Опубликовано: 30.11.1935

Авторы: Рихтер, Федерман, Шретер

МПК: H01J 29/84, H01J 29/88

Метки: вторичной, катодной, отклоняющих, трубки, устранения, электродов, эмиссии

...бомбардировки отклоняющих пластин, которые в результате этого начинают излучать вторичные электроны в количестве, сильно превышающем число первичных электронов, так как ин-цы Ф. Шретер (Ргйз ЗсЬгбг) и В. Федер.аан (Фо 1 фап 1, тапа).а основания ст. 6 Советско-германромышленной собственности. траектория этих последних направленапреимущественно под очень небольшимуглом к поверхности пластин.В тех случаях, когда возможностикомпенсации или отвода зарядов неимеется, отклоняющие пластины вследствие потери электронов остаются заря, женными, Это имеет место для пластин,на которые подается испытуемое пере( менное напряжение в осциллографе ик которым подводятся переменные на.пряжения для построчного разложения, в телевизионных трубках, Заряды...

Номер патента: 62198

Опубликовано: 01.01.1942

Автор: Бучинский

МПК: H01J 29/84, H04N 5/68

Метки: ионного, пятна, устранения

...концентрации и затем. ускорлсмые полем, передвнгаеотся к;)крану ио 3 аря 35 сии 0, соийдйк иему с напралсиием электронного луча.ПО уст)ян(иив) ИОННОГО лтле (3 Р; "те 005 иял и )й 3 иоооряз)еал раоота во всем мире.Нйчсстс 0;ного из ("ио(обо, к извсстио, и;)едложее 0 3 згноанис горля трубок с осле;(унис цсптпроеи элск".роееного луча. Одня 1(0 такой спо(Об ОНРНЬ ГИО 03;О( ( 3 уумио-тРл.5 ОГ)3- ческой точки зрения.Соггйсно настоящему изобретеиик, иредлйгаетсл 3 иедиямсренно перекап)и;ать электронный прожектор (ири и,)гот(:лсиии трубки) и трое)водть послееуео)е(у 0 центе)и)0 ку эл(ктроииО 0,(уча ПРред )ходо( его и лпзу иослсдунцсй коиептрации ( Гн)моцьк э;иктрического илн мягнетио 0 Гол 5, Если элекгроиый Прожектор будет...

Номер патента: 95668

Опубликовано: 01.01.1953

Авторы: Миллер, Цеханович

МПК: H01J 29/84

Метки: ионная, ловушка

...двумя секторными вырезами, показанных на фиг. 2 и повернутых друг относительно друга на 90, имеет прозрачность для электронов 50%, ионы же полностью ею задерживаются. Диски с тремя секторными вырезами, показанные на фиг, 3, обеспечивают угол поворота з = 60,Диски необязательно должны быть помещены по краям поля, необходимо только, чтобы их форма соответствовала углу поворота электронов на участке поля, заключенного между ними. Система из двух дисков обладает, как видно, тем недостатком, что уменьшает вдвое крутизну модуляционной характеристики трубки. Этот недостаток можно, однако, легко устранить, увеличив количество дисков. Так, в случае десяти дисков, потери будут составлять лишь 10%.В общем случае, для любого угла поворота...

Номер патента: 120949

Опубликовано: 01.01.1959

Авторы: Алексеев, Багдыкьянц

МПК: G01N 23/02, H01J 29/84

Метки: дифракционной, некогерентно-рассеянных, устранения, фона, электронов, электронографии

...скорость и могущих вызвать неправильную работу регистрирующего устройства.Схематическое изображение устройства, выполненного по описываемому способу, приведено на чертеже.Электронный пучок 1 проецирует диффракционную картину образца 2 на экран, Из диффракционной картины с помощью диафрагмыдвыделяют узкий пучок 4 электронов. Прошедщие диафрагму 4 электроны120949 Предмет изобретения 1. Способ устранения фона от некогерентно-рассеянных электронов при диффракционной электронографии посредством диафрагмы, имеющей высокий отрицательный потенциал, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью устранения искажений в распределении интенсивности когерентного рассеяния, пучок рассеянных в результате диффракции электронов перемещают относительно...

Номер патента: 365751

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Комаров, Реута

МПК: H01J 29/84

Метки: ионов, подвижностям, селекции

...С ПОТОМ Г 3 33 ц ) ТПЦ ЦИ ИИ 1 (Р 3 цоиы ВсГмпт 150 Взди)олсиств 3 с. Г 10 ско,)Къ СйСТВИС ЭЛСКТРЦЧССКОГО 130,153 33)ПРЦЛС 10 ОТГО 1(.К (. 00 1 Ь 3)ОИ ИПР)1 ЖСИ)3).Т К) ИО,51 К ТО)- 233 К 1 З С .)ИЬИ 1 СИ И 1 ИР 1)КСПИОС) ЬЮ 30,151, Т. С. ( ГТОк)3 Ь фиг. 2) 1:, точк 3)1 .)1 3 Ь и От точки 1 к ток)м В 3,-1, то Легоцд 51 1)0,и 1 э,сктРичс- (КОГО иол 51 Ом;ст: тскорять 13 Отт 1,киваь От ссб 51 Все и 03 ц)1, ОкзВП)ис(51 иср( л тои(ой );25 тор.озит 1 и Отт 1 лкцВдт 1 1 ц 133 л иоиы, Оказипиес сз)лц и точке Б.1 цтсрсс прслст)1 В,151 ют цоиь 1, Ок)з)вц)цесмс;клу точками Б и 1 В цситре электрического )н)л. Злссь лсйстие поля цдпрднлсцо От точек 30 Б и / к тОкс т., (Вцжмпц(ся )лсктрц 1 еско(-,С.)ИИ ) ).)а.си) т. поле сжимает ионы к...

Номер патента: 545214

Опубликовано: 05.10.1978

Авторы: Бронштейн, Коробов, Лукичева, Маслов, Синицын, Сокуренко, Юрова

МПК: H01J 29/84

Метки: давления, датчик, полупроводниковый

...0,01-0,10.Кроме того, отношение объемов соседних участков выбрано в пределах от 1 до 10.На чертеже изображен полупроводниковый датчик. давления.Он представляет собой параллелепипед, состоящий иэ полуизолирующей подложки 1, выполненной, например, из арсенида.галлия, легированного хрбйом, и слоя 2 твердого раствора с изменяющимся по длине датчика содержанием компонент. На крайние слои чувствительного элемента нанесены контакты 3 и 4, к которым присоединены выводные электроды 5 и б.Чувствительность описанного выше датчика для случая дискретного йзменения компонент определяется Формулой:Яю,.ю,Цг 4где б - коэффициент чувствительности к давлению слоя состава Оо Аь-х; РхМ - начальное сопротивление-го слоя.В случае плавного изменения состава в...