Способ получения антидиффузионного барьера
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
ОПИСАНИЕИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Соеетскик Социалистически и Республик(22) Заявлено 12,04,71(2) 16 З 9779(26-25с присоединением заявки РЙ -(45) Дата опубликования описания 150878(5) М. Кл. Н 01 Ч 1/02 Государственный комитетСовета Министров СССРпо делам изобретенийи открытий(72) Авторы изобретения Научно-исследовательский и экспериментальный институтавтомобильного электрооборудования и автоприборов(54) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ АНТИДИФФУВИОННОГО БАРЬЕРАФОрмула изобретения Известны способы создания анти- диффузионного барьера, например залуживание легкоплавкими припоями, химическое осаждение металлов из растворов солей, гальванический способ. Однако при способе залуживания наблюдается резкое термическое воздействие на полупроводниковые загото вки, которое ухудшает их свойства; высокие тепловые и электрические сопротивления припоя, проникновение агрессивных флюсов в термоэлемент, диффузия примесей из припоев в полупроводник. Химический и гальванический способы создания антидиффузионного барьера сопровождаются газовыделением,приводящим к плохому контакту барьерного слоя с полупроводником,С целью уменьшения тепловых иэлектрических сопротивлений контактатермическую диссоциацию легколетучего тетракарбонила никеля проводятна поверхности полупроводника, нагретого до низкой температуры, кото,рая не вызывает нежелательных изменений свойств полупроводника. Полупроводник на основе,В( 1 е ЗЪ , Зе помещают в герметичную камерую оборудованную инфракрасным нагревателем. В камере создают разрежение порядка 1-10 мм рт.ст. После нагрева образцов до температуры 100 140 С в камеру направляют дозированный тетракарбонил никеля со скоростью (2-6) 10 мол/мин, который при соприкосновении с поверхностью нагретых образцов диссоциирует по схеме: И( (СО)-+й( +4 СО. Выделяющийся в результате реакции никель образует антидиффузионный барьер толщиной 10-20 мк за 1-2 ч, а газообразную окись углерода удаляют из камеры с помощью вакуум-насоса. Способ получения антидиффузионного барьера на ветвях полупроводниковых термоэлементов на основе 7 е 81, Зе, ЯЬ путем нанесения никелевого слоя, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью уменьшения тепловых и электрических сопротивлений контакта, термоэлемент нагревают доо100-140 С при давлении 1-10 мм рт.ст,Заказ 5463/1 Тираж 960 ПодписноеЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССРпо делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж, Раушская наб., д.4/5 филиал ППП Патентф, г.ужгород, ул.Проектная,4 на поверхность термоэлемента подаютструю тетракарбонил никеля, которыйв результате термической диссоциации образует слой никеля, а образуемую при диссоциации окись углеродаудаляют.
СмотретьЗаявка
1639779, 12.04.1971
НАУЧНО-ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ И ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЙ ИНСТИТУТ АВТОМОБИЛЬНОГО ЭЛЕКТРООБОРУДОВАНИЯ И АВТОПРИБОРОВ МИНИСТЕРСТВА АВТОМОБИЛЬНОГО ТРАНСПОРТА СССР
ДИМАНТ А. Б, СЫРКИН В. Г, ИНОЗЕМЦЕВ В. В, УЭЛЬСКИЙ А. А, НИКОЛАЕВ Ю. Д, ПРОХОРОВ В. Н, ЛЮСКИН С. Н, ПЕШЕЛЬ В. И, СМИРНОВ В. С
МПК / Метки
МПК: H01C 1/02
Метки: антидиффузионного, барьера
Опубликовано: 05.10.1978
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-361748-sposob-polucheniya-antidiffuzionnogo-barera.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ получения антидиффузионного барьера</a>
Предыдущий патент: Полупроводниковый переключающий прибор
Следующий патент: Электронно-оптическая система для электронно-лучевых трубок
Случайный патент: Химико-мелиоративный препарат