Имамов

Номер патента: 881592

Опубликовано: 15.11.1981

Авторы: Имамов, Ковальчук, Миренский, Шилин

МПК: G01N 23/20

Метки: рентгеновский, спектрометр

...в непосредственной близости к поверхности кристалла, регистрирует флуоресцентные кванты, попадающие в телесный угол, определяемый апертурой детектора. При этомсчетчик, находящийся в положении,перпендикулярном поверхности образца (т.е, продольная ось счетчикасовпадает с нормалью к поверхностикристалла), регистрирует Флуоресцентные кванты с максимально возможной глубиной выхода. Если детекторнаходится в положении, при которомего продольная ось образует некоторый угол с нормалью к поверхности,то он уже регистрирует кванты, выходящие с глубины 2, , меньшейпоскольку расстояние 1.0 -В достаточно для поглощения квантов. В тоже время кванты, образовавшиеся наменьшей глубине кристалла Ь 1 , могут преодолеть расстояние Ь, В ивыйти...

Номер патента: 843024

Опубликовано: 30.06.1981

Авторы: Авилов, Бояндина, Бухардинов, Гусев, Имамов, Кисель, Семилетов, Яременко

МПК: H01J 37/26

Метки: анализа, иустройство, электронно-дифракционногоструктурного

...одном из кронштейнов, установленного напротив второго поворотноговала и взаимодействующего с выступомна конце указанного вала,На фиг, 1 показано устройство держателя образца, позволяющее реализовать предлагаемый способ; на Фиг. 2 схема электроннодифракционной установки,Устройство для реализации способасодержит вакуумную камеру 1, в которой установлен держатель 2 образца,обеспечивающий возможность проведения исследований.Держатель 2 состоит из столика 3,установленного на поворотном валу 4,поворотного кольца 5 с зубьями, приводимого во вращение с помощью червяка ),не показан), связанного с валом б, пропущенным внутри вала 4, установленнык на кольце 5 кронштейнов7, в которых установлен поворотныйвал 8 с рамкой для образца. Вал 8установлен...

Номер патента: 830206

Опубликовано: 15.05.1981

Авторы: Афанасьев, Буйко, Имамов, Ковальчук, Кон, Лобанович

МПК: G01N 23/20

Метки: искажений, монокристалла, поверхностномслое, профиля, распределенияструктурных

...профиля до совпадения кривых 4.Недостатками данного способа являются небольшая точность из-за малых интенсивностей отражений в дополнительных областях дифракции при исследовании тонких поверхностных слоев, а также неоднозначность восстановленного профиля при сложных формах искажений.Цель изобретения - повышение точности и достоверности получаемого профиля структурных нарушений. 40Поставленная цель достигается тем,что согласно способу определения профиля распределения структурных искажений в поверхностном слое монокристалла, заключающемуся в том, что про-изводят регистрацию кривой дифракционного отражения монохроматическогорентгеновского излучения от исследу"емой поверхности монокристалла, моделируют профиль распределения...

Номер патента: 828041

Опубликовано: 07.05.1981

Авторы: Имамов, Ковальчук, Ковьев

МПК: G01N 23/207

Метки: периода, решеткимонокристаллов

...пучки, производят поворот эталонного монокристалла и регистрируют угловые положения экстремумов в распределении интенсивности рентгеновского излучения при дифракции первичного и дифрагированного исследуемым монокристаллом пучков на эталонном монокристалле, производят разделение первичного монохроматического пучка на две части с помощью выреза в эталонном монокристалле, захватывающего часть сечения первичного пучка,Сущность изобретения поясняется чертежом.Рентгеновский пучок от источника излучения монохроматизируют путем отражения от кристалл-монохроматора 1 и направляют на исследуемый монокристалл 2. При этом эталонный монокристалл 3 с вырезом 4 расположен так, что рентгеновские лучи, отраженные монохроматором 1, прежде, чем попасть на...

Номер патента: 817553

Опубликовано: 30.03.1981

Авторы: Афанасьев, Имамов, Ковальчук, Ковьев, Миренский, Семилетов, Шилин

МПК: G01N 23/207

Метки: длясинхротронного, излучения, источника, рентгеновский, спектрометр

...Вал 1 закреплен в опоре подвижной каретки б, установленной на направляющих 7, параллельных падающему на кристалл монохроматор 2 пучку.Вал 3 установлен в механизме поворота 8 в небольшом угловом интервале, а каретка б с валом 1 снабжена винтовым механизмом 9 для линейного перемещения по направляющим 7 вдоль направления падающего пучка. При линейном перемещении происходит одновременный поворот вала 1 с кристалломмонохроматором 2 на заданный угол. На каретке б коаксиально валу 1 укреплена цилиндрическая шестерня (или сектор) 10, жестко связанная с рычагом 11, другой конец которого свободно проходит через вращающуюся опору 12, выполненную на вале 3. На свободном конце рычага 11 укреплен детектор излучения 13, служащий для юстнровки...

Номер патента: 805419

Опубликовано: 15.02.1981

Авторы: Болдырев, Буйко, Имамов, Ковальчук, Ковьев, Лобанович, Миренский, Шилин

МПК: G21K 1/06

Метки: излучения, монохромато-pa, рентгеновского

....содержит две параллельныемонокристаллические пластины, установленные на общем основании 2 1,Недостатком такого монохроматораявляется то, что он позволяет проводить измерение в весьма ограниченномдиапазоне длин волн и порядков отражения,Цель изобретения - расширениефункциональных возможностей изготавливаемых монохроматоров.Поставленная цель достигается тем, что в способе изготовления монохроматора рентгеновского излучейия, заключающемся в формировании из одной монокристаллической пластины щели с параллельными стенками, исходную пластину закрепляют на параллельных опорных поверхностях по обеим сторонам пластины таким образом, что части поверхности и:;астины, обратные по отношению к частям ее поверхности, закрепленным на опорных...

Номер патента: 800836

Опубликовано: 30.01.1981

Авторы: Афанасьев, Болдырев, Имамов, Ковальчук, Ковьев, Лобанович, Миренский, Семиошкина, Смирнов, Шилин

МПК: G01N 23/20

Метки: исследования, монокристалли-ческих, слоев, совер-шенства, структуры

...эмиссии в виде газонаполненной камеры 4 снаходящимся в ней держателем образца,установленной на гониометрической головке главного гониометра 5, и детектор 6 дифрагированного образцом излучения.Камера 4 представляет собой объем 7,внутри которого расположены держательс образцом 8, нитевые электроды 9 и10. Держатель с образцом с помощьюустройства 11 может перемещаться относительно электродов. Камера такжеимеет два штуцера 12, служащих цляввода и вывода газовой смеси, наполняющей объем, и два окна 13, прозрачныхдля рентгеновских лучей, Напряжениеподается на держатель с образцом и одиниз электродов 9 или 10, что соответствует исслецованию образца при брэгговской или лауэвской дифракции (на просвет). Предварительно коллимированное и...

Номер патента: 763751

Опубликовано: 15.09.1980

Авторы: Афанасьев, Болдырев, Буйко, Имамов, Ковальчук, Ковьев, Кон, Лобанович

МПК: G01N 23/207

Метки: монокристалла, поверхностного, полупроводникового, слоя

...того, кривые дифракционных отражений от исследуемой и ненарушенной поверхности монокристалла получают с помощью поляризованных пучков рентгеновского излучения.и Чтобы пояснить физическую сущностьпредлагаемого способа, рассмотрим модель,описывающую дифракию на тонких кристаллических слоях. Кристалл (подложка)представляет собой плоскопараллельнуюплаСтину с идеальной кристаллической решеткой, на поверхности которой находитсянарушенный слой толщиной 1, При этомслой считается слабо отражающим. Этосправедливо при условии, когда толщина слоя 1.н меньше экстракционнойзь длины кристалла Еэ, которая в геометрии Брэгга зависит от порядка отраженияи величины структурной амплитуды. Рассеяние в такой ситуации описывается кинетической теорией....

Номер патента: 584234

Опубликовано: 15.12.1977

Авторы: Батурин, Имамов, Ковальчук, Ковьев, Палапис, Семилетов, Шилин

МПК: G01N 23/20

Метки: монокристаллов, параметров, реализации, решетки

...эталонный кристалл 2. От второго источника 3 рентгеновские лучи также попадают на эталонный кристалл. Отраженные лучи с углом раствора 2 фокусируются на исследуемый монокристалл 4 (например,;на эпитаксиальную пленку), угол дифракции которогоив не равен углу дифракции эталонного кристалла в Ф в . Вращение исследуемого кристалла вокруг вертикальной оси приводит к последовательному отражению лучей 1 и 11. Через прорези 5 в эталонном монокристалле можно пропустить вторичные кванты и фотоэлектроны, возбуждаемые в исследуемом кристалле, в регистрирующую систему 6 (вторично-электронный умножитель, электронный спектрометр, рентгеновский датчик). Вся система находится в вакуумной камере (не показана) и источники излучения 1 и 3 установлены...

Номер патента: 543858

Опубликовано: 25.01.1977

Авторы: Батурин, Имамов, Ковальчук, Ковьев, Миренский, Палапис, Семилетов, Шилин

МПК: G01N 23/22

Метки: исследования, кристаллов, совершенства, структуры

...рентгеновских лучей 13, механизм 14 для поворота счетчика излучения 5 относительно осиглавного гониометра 6,25На чертеже обозначено:м0 - ось вращения кристалл-монохроматора;О - ось вращения главного гониометра0-0 - оптическая ось спектрометра;- рентгеновские кванты первичногоизлученияЙ - кванты флуоресцентного излучения;Е - электроны внешней фотоэммиссии,Устройство рабоает следующим образом.Рентгеновские лучи от источника 3 огра-З 5ничиваются по расходимости коллиматором 4,кристалл-монохрома 1 ором 1 и падают подуглом дифракции Ч для выбранной системы кристаллографических плоскостей на исследуемый кристалл 2. Кристалл располо Ожен в геометрии Брагг-дифракции. Дифрагированные им лучи регистрируются счетчиком излучения 5,...

Номер патента: 534677

Опубликовано: 05.11.1976

Авторы: Батурин, Имамов, Ковальчук, Ковьев, Палапис, Семилетов, Шилин

МПК: G01N 23/20

Метки: исследования, монокристаллов, совершенства, структуры

...в положении Брэгг-дифракции.Дифрагированные им лучи регистрируются4 Ьсчетчиком излучения 5. Часть рентгеновского излучения, поглощенная кристаллом, вызывает фотоэмиссию электронов, которые выходят из кристалла с определенной кинетичесЯкой энергией,Процесс поглощения рентгеновского кван( Ста энергией п - ( Я - постоянная Планка, с - скорость света, Л - длина волныпадающего излучения) носит локальный характер. Образовавшиеся фотоэлектроны, распространяющиеся по поверхности кристалла,по мере своего движения взаимодействуют сэлектронами атомов решетки кристалла. Врезультате неупругого рассеяния часть элект 9 ронов полностью теряет свою кинетическую энергию и поглощается. Покидают кристалл только электроны, вылетающие с определенной...

Номер патента: 522458

Опубликовано: 25.07.1976

Авторы: Имамов, Ковальчук, Ковьев, Семилетов, Шилин

МПК: G01N 23/20

Метки: рентгеновский, спектрометр, трехкристальный

...на первьй кристалл 1, который поворотом вокрут своей оси вращения О, а также поворо том источника 4 рентгеновского излучения на 2 У выводится в отражающее положение так, что отраженньй от нее луч идет вдоль направляющей 8 и регистрируется счетчиком 6, Затем поворачивают с помощью механизма совместного поворота источника рентгеновского излучения и первого кристалла-монохроматора луч, отраженньй этим кристаллом так, чтобы он проходил через2ось О второго кристалла-монохроматора 2, расположенную на направляющей 9, После этого второи кристалл-монохроматоп 2 поворотом вокруггоси 0 (около значения М Б ) устанавливается в отражающее положение, при этом отраженный от него луч фиксируется счетчиком излучения 6,3,6находящимся на оси 0исследуемого...

Номер патента: 320568

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Гартман, Имамов, Рудовский, Сафонов, Усманов

МПК: D01B 1/08

Метки: 320568

...выпадения из нее недоочищенных семян в процессе джипирования семенная гребенка выполнена подпружиненной для прижатия к колосникам при ее перемещении.На чертеже изображена предложенная камера, содержащая колосниковую решетку 1, смонтированные на оси 2 и перемещаемые посредством рычага 3 фартук 4 с семенной гребенкой б, снабженной пружиной б.Для обеспечения постоянного времени сырцового валика объем рабочей камеры по мере изменения массы валика уменьшается перемещением рычага 3 фартука 4 с семенной гребенняя благодаря прии относительноимается к колоснащая выпадение измян, При возвращнижнее положеносниковой решеткоторый очищенные кои 5. Послед своем движен решетки подж мым предотвр 5 очищенных се с гребенкой в следней и кол зазор, через...