H05H 1/00 — Получение плазмы; управление плазмой

Номер патента: 1828734

Опубликовано: 27.03.1999

Авторы: Давыдов, Мешков, Невмержицкий, Попов

МПК: H05H 1/00

Метки: взрывного, генератора, плазменного, плазмы, помощью

Способ получения плазмы с помощью взрывного плазменного генератора, включающий адиабатическое сжатие рабочего газа в камере взрывного плазменного генератора с помощью плоского лайнера до образования плазмы, отличающийся тем, что, с целью повышения плотности энергии плазмы, в качестве рабочего газа используют газ, способный к химическому взрывчатому превращению при воздействии на него ударной волной.

Номер патента: 1600605

Опубликовано: 20.06.1999

Авторы: Васюков, Картелев, Чернышев

МПК: G21B 1/00, H05H 1/00

Метки: z-пинчевых, импульсов, линия, нагрузок, передачи, электромагнитных

1. Линия передачи электромагнитных импульсов для Z-пинчевых нагрузок, содержащих герметичный корпус, источник тока, два полых коаксиально расположенных в герметичном корпусе токонесущих электрода с цилиндрическими и плоскими торцовыми участками, между которыми со стороны источника тока установлен герметизирующий изолятор, размыкатель тока и систему откачки, отличающаяся тем, что, с целью повышения плотности передаваемого потока электромагнитной энергии за счет более эффективной очистки межэлектродного зазора от металлической плазмы, токонесущие электроды на торцовом участке выполнены в виде спиц, установленных в одной плоскости, при этом спицы обоих токонесущих электродов расположены...

Номер патента: 1378767

Опубликовано: 20.06.1999

Авторы: Мараховка, Парм, Ронжин, Соловьев

МПК: H05H 1/00

Метки: диэлектрических, плазмохимического, синтеза, слоев

Устройство для плазмохимического синтеза диэлектрических слоев, содержащее цилиндрическую камеру синтеза диэлектриков с дном, выполненным в виде подложкодержателя с нагревательным элементом, с отверстиями для откачки камеры и напуска газов, и камеру активации с ВЧ-электродом, отличающееся тем, что, с целью повышения качества диэлектрических слоев на полупроводниковых подложках путем сжатия потока реакционной смеси к центру реактора и снижения радиационного влияния плазмы на образцы, камера активации выполнена в виде тора, охватывающего камеру синтеза газа, в боковых стенках которой выполнены отверстия для напуска газов, а ВЧ-электрод имеет форму кольца и расположен в центре камеры активации...

Номер патента: 1400464

Опубликовано: 20.07.1999

Авторы: Балмашнов, Голованивский, Иванов, Омельяновский

МПК: H05H 1/00

Метки: аморфного, гидрогенизированного, кремния, нанесения, пленок

1. Устройство для нанесения пленок аморфного гидрогенизированного кремния, содержащее магнитную систему, вакуумную систему, подложкодержатель, источник высокочастотной энергии и резонатор с отрезками запредельных волноводов, отличающееся тем, что, с целью увеличения скорости осаждения пленок при уменьшении энергозатрат на поддержание магнитного поля и повышения коэффициента использования исходного материала путем создания в резонаторе плазмы с плотностью выше критической и поддержания ее в условиях верхнегибридного резонатора, устройство дополнительно содержит диэлектрическую вакуумную трубу, охватываемую резонатором, расположенную соосно с последним, и коаксиальные относительно вакуумной...

Номер патента: 1575920

Опубликовано: 20.07.1999

Авторы: Киселев, Лишин, Сорокина

МПК: H05H 1/00

Метки: магнитоактивной, параметров, плазмы

Способ измерения параметров магнитоактивной плазмы, включающий воздействие на плазму электромагнитной волны частота f, измерение напряженности электрического поля в плазме и определение плазменной частоты электронов fo, отличающийся тем, что, с целью расширения диапазона измерений за счет обеспечения измерения гирочастоты электронов fн в плазменных цилиндрических объемах, поперечные размеры которых много меньше длины волны воздействующей электромагнитной волны, электромагнитную волну направляют таким образом, чтобы вектор ее электрического поля был перпендикулярен оси плазменного цилиндра, измеряют...

Номер патента: 913911

Опубликовано: 20.07.1999

Авторы: Коник, Куценко, Печкин, Решетько, Субботин, Шишханов

МПК: C23C 14/00, H05H 1/00

Метки: напыления, плазменный, реактор

Плазменный реактор для напыления, содержащий камеру, по крайней мере два плазмотрона, установленные в стенке камеры, систему подачи напыляемого материала, отличающийся тем, что, с целью повышения качества напыления и экономичности процесса, камера выполнена сферической формы, а точка пересечения осей плазмотронов совпадает с центром камеры.

Номер патента: 1651760

Опубликовано: 20.07.1999

Авторы: Балмашнов, Голубев

МПК: H05H 1/00

Метки: генерации, плазмы

Способ генерации плазмы, включающий подачу газа в рабочую камеру, создание в рабочей камере магнитного поля с пробочной конфигурацией силовых линий, подачу СВЧ-энергии в резонатор, в полости которого находится рабочая камера, и зажигание разряда при частоте 1 СВЧ-поля, выбранной из условия электронно-циклотронного резонанса в плазме разряда, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности ионизации рабочего газа, на плазму разряда дополнительно воздействуют СВЧ-полем, частоту 2 которого выбирают из условия

Номер патента: 1322962

Опубликовано: 27.03.2000

Авторы: Андреев, Голованивский

МПК: H05H 1/00

Метки: нагрева, плазмы, релятивистских, температур

Способ нагрева плазмы до релятивистских температур, включающий создание и удержание первоначально холодной плазмы в статических магнитных полях открытых ловушек, последующий нагрев плазмы под воздействием электромагнитного СВЧ-поля в режиме электронного циклотронного резонанса, отличающийся тем, что, с целью увеличения КПД нагрева плазмы, нагрев плазмы осуществляют при одновременном воздействии электромагнитного СВЧ-поля и меняющегося во времени импульсного магнитного поля, дополнительно наложенного на статическое магнитное поле открытой ловушки, причем скорость нарастания дополнительного магнитного поля и амплитуда напряженности СВЧ-поля связаны соотношением

Номер патента: 1544161

Опубликовано: 27.03.2000

Авторы: Голованивский, Дугар-Жабон

МПК: H05H 1/00

Метки: атомарных, водорода, генерации, ионов, отрицательных

1. Способ генерации атомарных отрицательных ионов водорода, включающий получение плазмы путем зажигания газового разряда в металлической камере и последующее вытягивание отрицательных ионов двухэлектродной системы экстракции, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности и стабильности генерации отрицательных ионов водорода, плазму получают путем зажигания безэлектродного микроволнового разряда в условиях электронно-циклотронного резонанса, давление выпускаемого газа выбирают в пределах 1 10-3 - 1 10-5 тор, температуру электронов...

Номер патента: 1369659

Опубликовано: 20.09.2000

Авторы: Колесников, Колесникова, Сухов, Тищенко

МПК: H05H 1/00

Метки: заряда, мелкодисперсных, частиц

Способ определения заряда мелкодисперсных частиц в плазме, включающий введение в равновесную плазму мелкодисперсных частиц с заданной концентрацией Nn, размещение измерите6льного электрода вне исследуемой плазмы, измерение наведенного электрического заряда на измерительном электроде и определение заряда мелкодисперсных частиц по зависимости величины наведенного заряда от параметров плазмы, отличающийся тем, что, с целью упрощения методики и повышения точности определения величины заряда мелкодисперсных частиц, до ввода мелкодисперсных частиц в плазму измеряют спектр собственного электромагнитного излучения плазмы, определяют по нему электронную плазменную частоту fp1 и...

Номер патента: 1053727

Опубликовано: 20.09.2000

Авторы: Колесников, Соловьев, Тищенко

МПК: H05H 1/00

Метки: однородной, параметров, плазмы, слабоионизованной

Способ определения параметров слабоионизированной однородной плазмы путем регистрации спектра собственного электромагнитного излучения плазмы и определения по полученному спектру параметров плазмы, отличающийся тем, что, с целью расширения пределов измерения и повышения точности определения параметров плазмы, в плазме образуют мелкомасштабные неоднородности путем ввода мелкодисперсных частиц, причем частицы вводят с температурой плавления, превышающей температуру ионов плазмы, и дозами, обеспечивающими концентрацию частиц, при которой мощность излучения частиц не превышает мощности собственного излучения плазмы.

Номер патента: 673118

Опубликовано: 27.09.2000

Авторы: Коршаковский, Красненьков, Кубарев, Соловьев, Ткачев

МПК: H05H 1/00

Метки: диагностики, плазменной, струи

Способ диагностики плазменной струи, включающий изменение параметров струи и измерение помещенным в плазму магнитным зондом электромагнитных сигналов, возникающих в плазме при изменении параметров струи, отличающийся тем, что, с целью ускорения диагностики и повышения надежности измерений, изменение параметров струи осуществляется наложением в области перед магнитным зондом поперечного магнитного поля.

Номер патента: 1537113

Опубликовано: 27.12.2001

Авторы: Гусев, Кудаев, Саенко, Ястребов

МПК: H05H 1/00

Метки: излучения, ионизирующего, источник, плазменный, широкоапертурный

1. Плазменный широкоапертурный источник ионизирующего излучения, содержащий разрядный контур, образованный цепочками из электродов, установленными на диэлектрической подложке, снабженной обратным токопроводом, и подключенными к емкостному накопителю энергии, а также модулятор импульса поджига разряда, отличающийся тем, что, с целью повышения однородности излучения и энергетической эффективности источника в широком диапазоне энергий излучения, в него введены дополнительные электроды, образующие с основными электродами разделительные конденсаторы, обкладками которых являются поверхности основных и дополнительных электродов, изолированных друг от друга диэлектриком, при этом дополнительные...

Номер патента: 906337

Опубликовано: 27.01.2002

Авторы: Березин, Елисеев, Кубарев

МПК: H05H 1/00

Метки: внешним, магнитным, оптимизации, плазмы, полем, регулировочных, ускорителя, характеристик

Способ оптимизации регулировочных характеристик ускорителя плазмы с внешним магнитным полем путем определения равенства относительных градиентов напряженности магнитного поля, давления и концентрации электронов плазмы, отличающийся тем, что, с целью упрощения и сокращения времени оптимизации характеристик, на оси ускорителя с включенным магнитным полем и при подаче рабочего тела помещают термозонд с возможностью перемещения, создают между катодом ускорителя и зондом электрическое поле и определяют момент равенства оптимальных градиентов по моменту возникновения плазменного шнура между катодом и зондом.

Номер патента: 477674

Опубликовано: 20.05.2003

Авторы: Бортничук, Молдавер, Чумаков

МПК: H05B 7/18, H05H 1/00

Метки: длиной, дуги, плазмотрона, работы, режима, самоустанавливающейся

Способ контроля режима работы плазмотрона с самоустанавливающейся длиной дуги, содержащего соосно установленные полый водоохлаждаемый цилиндрический и стержневой электроды, путем контроля положения эродирующего рабочего торца стержневого электрода, отличающийся тем, что, с целью упрощения процесса эксплуатации, положение рабочего торца контролируют по величине тепловых потерь в полом электроде.

Номер патента: 1760946

Опубликовано: 10.04.2004

Авторы: Гомжин, Лебедев, Черноусов

МПК: H01L 21/302, H05H 1/00

Метки: плазмохимического, пластин, полупроводниковых, травления

Способ плазмохимического травления полупроводниковых пластин, включающий напуск и откачку рабочего газа до заданной величины давления P в реакционной камере, генерацию индукционного ВЧ-разряда в кварцевой разрядной камере с помощью навитой по форме камеры катушки индуктивности, размещенной над держателем пластин и соединенной с ВЧ-генератором, и создание постоянного магнитного поля в разрядной камере с помощью источника магнитного поля, расположенного снаружи камеры, отличающийся тем, что, с целью повышения селективности и скорости травления при сохранении низкого уровня радиационных повреждений, магнитное поле создают с помощью источника магнитного поля, выполненного в виде соленоида,...

Номер патента: 1222175

Опубликовано: 10.04.2004

Авторы: Гомжин, Лебедев, Юдина

МПК: H01L 21/306, H05H 1/00

Метки: индивидуальной, плазмохимической, пластин

Устройство для плазмохимической индивидуальной обработки пластин, содержащее реакционно-разрядную камеру с плоскопараллельными электродами, один из которых соединен с ВЧ-генератором, а другой с держателем пластины заземлен, отличающееся тем, что, с целью упрощения конструкции и повышения равномерности обработки, электрод, соединенный с ВЧ-генератором, выполнен в виде плоской спиральной пружины, внешний конец которой жестко закреплен, а внутренний установлен с возможностью вращения вокруг оси, при этом ширина спиральной пружины выбрана из условиягде a - ширина спиральной пружины;D - диаметр пластины;n...

Номер патента: 1579436

Опубликовано: 10.04.2004

Авторы: Адам, Седой, Устюжин

МПК: H05H 1/00

Метки: оболочки, плазменной, цилиндрической

Устройство для получения цилиндрической плазменной оболочки, состоящее из двух соосных электродов, один из которых выполнен с кольцевым вырезом, на который наложена прозрачная для лазерного излучения пленка, причем со стороны кольцевого выреза на эту пленку нанесен ультрадисперсный металлический порошок, отличающееся тем, что, с целью повышения удельной массы плазменной оболочки, кольцевой вырез со стороны пленки выполнен с треугольным сечением с углом в вершине не более 90o и расстоянием от вершины до рабочей поверхности электрода не менее 2 мм.

Номер патента: 696982

Опубликовано: 20.10.2006

Авторы: Коршаковский, Красненьков, Кубарев, Мельников, Пушкин, Соловьев, Ткачев

МПК: H05H 1/00

Метки: источник, плазмы

Источник плазмы, содержащий катод и охватывающий его цилиндрический анод, отличающийся тем, что, с целью управления плазменной струей, он содержит узел перемещения, по крайней мере одного из электродов относительно оси симметрии источника.

Номер патента: 584704

Опубликовано: 20.10.2006

Авторы: Коршаковский, Красненьков, Кубарев, Соловьев, Ткачев

МПК: H05H 1/00

Метки: источник, плазмы

Источник плазмы, содержащий соосно установленные электроды и магнитную систему, отличающийся тем, что, с целью упрощения управления отклонением струи плазмы, он снабжен узлом перемещения магнитной системы относительно оси симметрии источника.

Номер патента: 1679947

Опубликовано: 10.05.2007

Авторы: Авраменко, Бахтин, Николаева, Поскачеева, Широков

МПК: H05H 1/00

Метки: плазмы, энергоемкой

Способ получения энергоемкой плазмы, включающий зажигание импульсного электрического разряда между электродами в полузамкнутом канале с испаряющимися диэлектрическими стенками, отличающийся тем, что, с целью повышения удельного энергосодержания генерируемой неидеальной низкотемпературной плазмы, разряд зажигают в канале с полированными стенками при отношении длины канала к его диаметру, равном 3-5, с помощью электрода, расположенного у открытого конца канала, удаленного на 2-3 диаметра канала от его оси и не более чем на 2 диаметра от выходного сечения канала, при напряженности электрического поля на разрядном промежутке, равной 0,5-0,8 кВ/см, максимальной плотности тока в поперечном...

Номер патента: 1679906

Опубликовано: 20.08.2007

Авторы: Абдуллин, Баженов, Чесноков

МПК: H01J 37/077, H05H 1/00

Метки: газовых, пучка, средах, электронного

Способ получения электронного пучка в газовых средах, заключающийся в зажигании в промежутке между катодом и анодом, заполненном газом, объемного высоковольтного импульсного разряда, ускорении электронов в межэлектродном промежутке и извлечении электронного пучка через отверстия в аноде, отличающийся тем, что, с целью повышения КПД формирования электронного пучка и его мощности за счет затягивания перехода объемного разряда в сильноточную стадию, между катодом и анодом перед разрядным импульсом создают разрежение среды, при этом время разрежения среды выбирают большим времени существования объемного разряда.

Номер патента: 1531828

Опубликовано: 27.06.2010

Авторы: Бакшт, Федюнин

МПК: H05H 1/00

Метки: газоплазменной, оболочки, предыонизацией, создания

Устройство для создания газоплазменной оболочки с предыонизацией, содержащее вакуумный сильноточный диод с вакуумным объемом, клапан и сопла напуска газа, искровой разрядник, накопительную емкость и импульсный трансформатор, включенный в цепь накопительной емкости и искрового разрядника, отличающееся тем, что, с целью повышения электрической прочности и стабилизации процесса поджига, разрядник установлен вне вакуумного объема в одном из электродов вакуумного диода непосредственно перед соплами.

Номер патента: 1373230

Опубликовано: 27.05.2012

Авторы: Готлиб, Григоров, Гурский, Зеленин

МПК: H01L 21/00, H05H 1/00

Метки: вакуумно-плазменного, травления

Устройство для вакуумно-плазменного травления, содержащее вакуумную камеру с размещенными в ней механизмом перемещения подложкодержателей и планарной системой электродов, подключенных к источнику ВЧ-мощности, систему газообеспечения, отличающееся тем, что, с целью повышения качества и производительности травления путем устранения загрязнения камеры продуктами износа трущихся частей, механизм перемещения подложкодержателей выполнен в виде магнитопровода с разноименными полюсами, охваченными электромагнитными катушками, образующими магнитную подвеску, включающую подъемные обмотки и обмотку бегущего магнитного поля, подключенные к источникам питания, а подложкодержатели и катод установлены...