H05H 1/00 — Получение плазмы; управление плазмой

Номер патента: 1166657

Опубликовано: 07.02.1986

Авторы: Кирпичев, Спевакова

МПК: H05H 1/00

Метки: источник, обмотки, полоидального, поля, токамака, электропитания

...выходные выводысекций 2 и 3 вентильного преобразователя соединены с положительным выводом источника электропитания диодными ключами 7 и 8. Отрицательныевыходные выводы секций 1 и 2 вентильного преобразователя соединены сотрицательным выходным выводом источника электропитания диодными ключами 9 и 10. Последовательно с одним из выводов источника электропитания соединен блок 11 измерения тока (например, трансформатор постоянного тока), выход которого подключен к компаратору 12. Выход последнего присоединен к входам управлениясекций 1 и 2 вентильного преобразователя и к блоку 13 задержки. Выходблока 13 задержки подключен к входамуправления секций 1 и 2 вентильногопреобразователя,Выход устройства 14 запуска подключен к входам...

Номер патента: 1213551

Опубликовано: 23.02.1986

Авторы: Спевакова, Столов

МПК: H05H 1/00

Метки: активно, генератор, импульсных, индуктивной, нагрузке, токов, трапецеидальной, формы

...тока, подключена цепочка из последовательно соединенных резистора 4, зашунтированного коммутатором 5, устройства 6 индикации нуля тока и управляемого вентильного преобразователя 7, включенного в контур через реверсор, образованный размыкателями 8 и 9 и замыкателями 10 и 11. Выход устройства 3 измерения тока подключен к входу компаратора 12, выход которого при-. соединен к входам управления коммутатора 5 и управляемого вентиль- ного преообразователя 7. Выход устройства 6 индикации нуля токаподключен к входам управления коммутатора 5, размыкателей 8 и 9 реверсора, замыкателей 10 и 11 реверсора и через таймер 13 к входу управления управляемого вентильного преобразователя 7.Устройство работает следующим образом.Перед началом...

Номер патента: 1189322

Опубликовано: 30.03.1986

Авторы: Марин, Пильский, Полонский, Пятницкий

МПК: H01S 3/094, H05H 1/00

Метки: импульсного, оптического, разряда

...увеличение времени существования линейного оптического разряда и его геометрических размеров при неизменной суммарной энергии лазерного излучения,На чертеже изображена схема предлагаемого устройства.Устройство для получения оптического разряда содержит оптически связанные поджигающий лазер 1, аксиконную фокусирующую систему 2, лазер 3 накачки, зеркало 4 с эллиптическим отверстием и блок синхронизации 5. Лазеры 1 и 3 установлены под прямым .углом, причем луч у поджигающего лазера имеет кольцевое сечение. Зеркало 4 установлено своим центром в точке пересечения осей лучей лазеров так, что нормаль к отражающей поверхности направлена по биссектрисе угла между этими лучами, а проекции отверстия на нормальные сечения лучей равны диаметру...

Номер патента: 671682

Опубликовано: 30.05.1986

Авторы: Бошняк, Жиглинский, Кунд, Преснухина

МПК: H05H 1/00

Метки: атомов, концентрации, металла, низкотемпературной, плазме

...произвести локальное определение концентрации атомов металла. 35Целью изобретения является локальное определение концентрации атомовметалла в низкотемпературной плазмеи повышение точности. Способ можетбыть также использован для диагностики плазмы в непрозрачной оболочке.Поставленная цель достигаетсятем что в исследуемую область вво-дят подложку в виде зонда Ленгмюраи сообщают ей потенциал, равный потенциалу плазмы в этой области, аконцентрацию атомов металла рассчитьвают по формуле:2 ММ ссй А 1 гча где Ы - коэффициент прилипания атомов исследуемого металла;и - концентрация атомов металла, см ;М - количество конденсата, г;ВВЯ - число Авогадро;- время конденсирования атомовметалла на зонд, с;А - атомный вес...

Номер патента: 1019982

Опубликовано: 07.07.1986

Авторы: Круглов, Скибенко, Сурков, Юферов

МПК: H05H 1/00

Метки: газа, замкнутую, ловушку, магнитную, напуска

...частиц и энергии за счет перезарядки еЦелью изобретения является повышение эффективности ввода газа в разряд замкнутой магнитной ловушки,Цель изобретения достигается тем, что в устройстве для напуска газа взамкнутую магнитную ловушку, содержащем корпус, соосно и последователь;но расположенные в корпусе электро- динамический клапан, сопло Лаваля, коллимирующие диафрагмы, последние окружены насосом поверхностного действияНа чертеже изображено устройство для напуска газа в замкнутую ловуш- куа 20 25 30 35 40 45 Устройство содержит корпус 1,электродинамический клапан 2, соплоЛаваля 3, коллимирующие диафрагмы 4,насос поверхностного действия 5, например криопанель,Работает устройство следующим образом.Включают электродинамический клапан 2...

Номер патента: 1158022

Опубликовано: 30.11.1986

Авторы: Башко, Криворучко, Тарасов

МПК: G21B 1/00, H05H 1/00

Метки: высокочастотного, нагрева, плазмы

...генератор, антенну, образованную магнитными или электрическими излучателями, и усилительные элементы, что последовательно с каждым излучающим элементом антенны включен широкополосный усилительный элемент, причем утгравляющие электроды усилительных элементов соединены попарно так, что образуют по крайней мере один массив из 2 ггэлементов, где г.=1,2,3.и подключены через систему проводников к задающему генератору, который выполнен в виде генератора несинусоидальных колебаний с частотнофазовой модуляцией.При этом один конец каждого магнитного излучаюпгего элемента подключен к одному из полюсов источника тока через управляемый ключевой элемент, а другой конец элемента подключен непосредственно к противоположному полюсу того же источника...

Номер патента: 971068

Опубликовано: 30.12.1986

Авторы: Бахурова, Беспалов, Вергун, Минц, Плешакова, Рябов, Старинский, Шиканов

МПК: H05H 1/00

Метки: генератор, импульсный, нейтронов

...изобретения является повы.шение эффективности и упрощение конструкции ИГН.Поставленная цель достигается тем,что в известном импульсном генераторенейтронов, содержащем нейтроннуютрубку с анодным электродом, охватывающим лазерную мишень, высоковольтный трансформатор и конденсатор, лазерная мишень изолирована от анодногоэлектрода, который соединен с ней через первичную обмотку трансформатора и конденсатор таким образом, что первичная обмотка трансформатора, кон" денсатор и лазерная мишень образуют последовательный контур. При этом отпадает потребность в лазерном разряднике, так как коммутация высоковольтной цепи происходит автоматиче-, ски через пространство между лазерной мишенью и анодом за счет носителей электрического заряда,...

Номер патента: 1145813

Опубликовано: 15.02.1987

Авторы: Перелыгин, Пустовитов

МПК: G21B 1/00, H05H 1/00

Метки: плазмы, термоядерной, удержания

...максимальное значение вира. Однако вращательное преобразование на магнитной оси Р(0)не должно быть равным нулю. Но при1 = 3 для плоской оси у(0) = О. Дляпространственной кривой при том же1 = 3 0)О. При этом сохраняетсявсе сказанное относительно шира,т.е. в случае пространственной магнитной оси при Г = 2 шир незначительный, а при 1 = 3 - большой, которыйобеспечивает устойчивость плазмы.При выбранном В величины, определяю-щие удержание плазмы в ловушке, зависят от ш как от параметра. Значениеш определяется из соображений получения максимального давления равновесно и устойчиво удерживаемой плазмы при заданной величине магнитногополя с максимального значения параметра. й-давление плазмы/давлениеполя.Направленные в одну сторону токив...

Номер патента: 519064

Опубликовано: 30.07.1987

Автор: Таран

МПК: H05H 1/00

Метки: нейтронов, ультрахолодных

...скоростей нейтронов, участвующих в замедлении, довольно узок. Действительно, вероятность переворота в методе спинового резонанса равнаЗг Н 2 г 1 Р (г) = -- -здп - (ы -ю)" + - Н е(Ю -и+Н 20 У 1 где ы - частота осциллирующего поля; ы - ларморовская частота;- гиромагнитное отношение нейтрона; г=е/Ч - время нахождения нейтрона со скоростью Ч в области действия осциллирующего поля длиной 1. При точном резонансе ы,= ю и .. 1 Р =зп - НС=зп - у Н- . Условием для Р(С)=1 является уН, =7. ТакЧ как Н и 1 должны быть фиксированы для определенного Ч, то для других скоростей условие полного переворота спина нарушается,Таким образом, в процессе замедления участвуют нейтроны, имеющие скорости в узком интервале вблизи некоторого значения Ч.Цель...

Номер патента: 1202427

Опубликовано: 07.08.1987

Авторы: Перелыгин, Смирнов, Субботин

МПК: G21B 1/00, H05H 1/00

Метки: плазмы, удержания

...радиусы тора, на поверхность которого надето ЗБ колец (катушек),где 20 Ищ 5.Среднее кольцо 1 находится на угловом смещении д, от крайних колец 2 и 3. Плоскость крайнего кольца повернута на угол Ы относительно бинор 2мали геометрической оси или оси тора 4, 5 - магнитная ось ловушки. Верхнее опорное основание 6 крепится к силовому каркасу 7, как и нижнее опорное основание 8. В опорных ос- ЗО нованиях имеются квадратные соосные отверстия., которые ориентированы так, что обеспечивают поворот плоскостей колец 2 и 3 относительно бинормали геометрической оси на угол Ы (см. фиг.1). В эти отверстия вставляются захваты 9, имеющие соответствующую четырехгранную поверхность 10. Закрепляются захваты в основаниях 6 и 8 посредством шайбы 11 и гайки...

Номер патента: 1358113

Опубликовано: 07.12.1987

Автор: Агаронян

МПК: H05H 1/00

Метки: плазмы, температуры

...точкиЕ =(Е +тс 2) /2,о 30где ш - масса покоя электрона, г;с - скорость света, см/с,Полная ширина эмиссионной линиина половине ее интенсивности равнаде =2 оп 2(тс 2 кт )2, (1)где Те - электронная температураплазмы,а спектр излучения является "голубосмещенным" (относительно шс 2) с максимумом при(2)Из формул (1) и (2) следует соотношение для определения температурыэлектронов. Таким образом, измерениеширины аннигиляционной линии может 45дать непосредственную информацию отемпературе электронов з 23-300 кэВ, доступных для измерения ширины линии дЕ. существующими детекторами мягкого гамма-излучения,Информацию о температуре плазмы дает также измерение энергии Е соответствующей максимуму спектра аннигиляционного излученияЕ -тс...

Номер патента: 1365377

Опубликовано: 07.01.1988

Автор: Саппа

МПК: H05H 1/00

Метки: ловушке, плазмы, создания, электромагнитной

...Н ) . Продольное магнитноедля предварительного воэдействия на инжектируемые электроны создается непосредственно в области расположения эмиттера электронов,На чертеже схематически изображены электромагнитная ловушка и источник электронов.В вакуумную камеру 1 из баллона 2 напускают рабочий газ. Пропускают встречно направленные токи по соленоидам 3 и 4, создающим ограничивающее объем удержания плазмы магнитное поле, а также по соосному им соленоиду 5, создающему в области расположения эмиттера 6 электронов магнитное поле Н о, противоположное по направлению и меньшее чем 1/2 величины поля соленоида 4, Вместо соленоида 5 может быть использован и постоянный магнит с такими же параметрами.Эмиттер б электронов располагается в месте, где...

Номер патента: 520864

Опубликовано: 07.02.1988

Автор: Малышев

МПК: H05H 1/00

Метки: реакции, создания, термоядерной

...изобретения - увеличение времени достижения температуры, требуемой для реализации управляемой реакции термоядерного синтеза, за счет повышения эффективности использования лазерного излучения.Цель достигается тем, что внутренняя стенка рабочей камеры, за исключением участков расположения окон для ввода лучей, имеет сферическую форму и выполнена из материала с высоким коэффициентом отражения оптического излучения, а оптические системы обеспечивают фокусировку излучения в центр указанной сФеры.На чертеже показано предложенное устройство для создания термоядерной реакции.Рабочая камера 1 окружена кожухом 2 с полостями 3 для нагревания теплоносителя, внутренняя стенка которого имеет форму сферы. В кожухе выполнены узкие окна 4 для...

Номер патента: 1322872

Опубликовано: 15.03.1988

Авторы: Перелыгин, Смирнов

МПК: G21B 1/00, H05H 1/00

Метки: магнитной, плазмы, системы, тороидальной, удержания, юстировки

...1 1- с г с в . Таким22 второго чл силовой ли обусловлен дит в осно исхо- кольц а участке обр ни ь сдвие сонезадвига,12 с Ьх = -2полно г обход ермоядернуюовушкой, и и нку 2 х дл лоной линии и смещен 1В =В- - 1+ ф 4 г ггде г = - , г= - ,, 1 - безразмерные величины. В случае использования кольца, повернутого на угол Ы в плоскости (х, г) при несмещенном центре и при малых углах Ы) с с 0,1 рад), можно получить соотношенияаг аЦВ = В - о(г -- г - -Г )к о 2 а дг дг тг ф1 1 В =В 11+ - ( - " -- +) (5)1) г 31, Ь к о2 а дг дг )1 1 а для координаты х искривленной силовой линии, используя уравнения (4)= - ( .(г,) + х(г,) + (6)а1 Основной вклад в сдвиг силовой линии дает член Г,(г,); поведение силовой линиибез учета Г г )иллюстриуется кривой 1,...

Номер патента: 1250158

Опубликовано: 15.05.1988

Авторы: Коротеев, Кошилев, Михалев, Шишко

МПК: H05H 1/00

Метки: плазмы

...6 и .создает электрическое поле30 на границе диэлектрик - гаэ. Поле на поверхности диэлектрика максимально вблизи проводников сеточного соленоида 6, так как.толщина диэлектрисоздания электрического поля и моментом образования плазмы путем управления .изменением давления в камере, в него введены система поддержания начального уровня давления и устройство импульсноГо напуска газа, соеди-ненное с импульсным источником питания через регулируемую линию задержки, а сетка соленоида выполнена с ячейками, размер которых удовлетворяет условию Ь с 1 Ь, где Ь, Ь - мответственно длины пробега частиц га за при начальном давлении и в момент пробега газа. ческой стенки вакуумной камеры выбрана из условия д с 1, при этом вектор напряженности...

Номер патента: 1279505

Опубликовано: 07.06.1988

Автор: Польшаков

МПК: H05H 1/00

Метки: ионосфере, образований, светящихся

...ранее, Эта энергия .и проявляется в вире свеченияпо форме изображенной фигуры илизнака.Развертку электронного луча поформе заданной фигуры осуществляютдвумя (или более) Отклоняющимикатушками, распопожРниь 1 ми, например,5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 под углом 90 друг к другу, управляемыми От отдельных генераторов раэверток с Взаимной синхронизацией частот и воэможностью кратного изменения частоты одного генератора относительно частоты другого, причем необходимые переключения осуществляют, например, блоком коммутации, управляемым по УКВ радиолинии с поверхности Земли.Это позволяет получить в иониэированном слое ионосферы качественные и сложные по форме фигуры, например фигуры Лиссажу, Например, при соотношении частот генераторов...

Номер патента: 1362343

Опубликовано: 30.06.1988

Авторы: Вавра, Коренев

МПК: H01J 1/30, H05H 1/00

Метки: диод, плазменный

...некоторое давлениеостаточного газа в вакуумной камере 1. Затем осаждается инициатор 4катодной плазмы на металлическуюподложку катодной ножки 3 путем ееохлаждения жидким азотом посредствомего заливки в криогент, При этом взависимости от давления остаточногогаза и температуры подложки подбирают условия для создания слоя твердо"го газа. Так, при Р - 510 Торр итемпературе жидкого азота на поверхности подложки катодной ножки 3 будет наращиваться твердый слой молекул воды при цалуске паров воды.Согласно диаграмме тройной точки длякаждого газа можно найти температуруС С, при которой давление насыщенного пара меньше некоторого рабочегодавления в вакуумной кФмере 1.Это означает, что при данной температуре напускаемый газ будет...

Номер патента: 1424144

Опубликовано: 15.09.1988

Авторы: Белянин, Шадрин

МПК: H05H 1/00

Метки: диагностики, плазмы, ядерно-физический

...от угла рассеяния: приугле рассеяния около 100 резонансисчезает и при угле 80 достигаетмаксимума. При угле рассеяния в лабо-.45раторной системе координат (л.с.к)160 сечение в резонансе равно вл.с.к. 1200 мбн/ср. Вблизи резонансасечение рассеяния примерно в 50100 меньше,50Если энергию атомов пучка выбратьравной резонансной, то на всем путивзаимодействия пучка атомов гелия сплазмой (в сипу того, что ионизационные потери энергии равны нулю) выходальфа-частиц, рассеянных на ядрахпримеси углерода, будет примерно в50-100 раэ больше, чем на ядрах примеси соседнего атомноге номера. Энергия рассеянцых частиц связанауглом рассеяния и массами соотношением:ш,сов В + 1 ш- шзпвй 1 чЕ "Е 1 (1)ош + шФгде Е и Е, ш,; 0 - начальная и конечная...

Номер патента: 1093228

Опубликовано: 30.10.1988

Авторы: Ахмеджанов, Полушкин, Ханин, Язенков

МПК: G01N 21/00, H05H 1/00

Метки: диффузии, заряженных, коэффициента, плазме, частиц

...электронов и молекулярных ионов, в небольшой области плазмы, определяемой поперечным сечением лазерного луча. Используя фокусировку лазерного луча, эту область можно сделать сколь .угодно малой. Это локализованное возмущениелформируется за время Допределяемое длительностью импульса лазерного излучения, а затем начинает расплываться вследствие диффузионных процессов.35Измеряя с помощью любого известного способа изменение концентрации .за-ряженных частиц в какой-либо определенной точке исследуемой плазмы в зависимости от времени и решая затем 40 уравнение диффузии для определенных параметров плазмы и конкретных геометрических условий эксперимента, можно определить коэффициент Р диффуэии заряженных частиц.45На чертеже представлена схема...

Номер патента: 944485

Опубликовано: 15.11.1988

Автор: Саксаганский

МПК: H05H 1/00

Метки: бомбардировки, газодиффузных, ионной, условиях, характеристик

...-ала, Катод 4 герметично присо;1 ч 1 ен к корпус у с помощью диэлек трич еских разъемов 5, обеспечивающих измерение разрядного тока на катод, и сильфонных компенсаторов 6, обеспечивающих возможность плавного изменения расстояния от катода 4 до анода 3 без нарушения герметичности камеры, Анод 3 снабжен электрическим высоковольтным вводом 7. К корпусу 1 присоединены система высоковакуумной откачки 8 и блок напуска пробного газа 9, а также не показанные на схеме средФства вакууметрии, газоанализа и диагностики разряда. Разрядная камера помещена в магнитное поле, возбуждаемое с помощью обмотки 10, охватывающей магнитопровод 11 с полюсными наконечниками 12.Установка состоит из трех независимых камер; камеры с пробным газом и двух...

Номер патента: 1455397

Опубликовано: 30.01.1989

Автор: Готт

МПК: H05H 1/00

Метки: диамагнетизма, окруженной, плазмы, проводящими, стенками

...шнурплазмы. Дополнительную измерительную катушку располагают таким образом, что плоскость витков указаннойкатушки параллельна плоскости витковосновной измерительной катушки, аобе плоскости перпендикулярны вектору индукции внешнего магнитного поля, Пусть и д, Б- число витков и%Из формул (2) и (3) видно, чтоесли чувствигельности обеих катушекодинаковы, т,е. если и,Б, = пБ ,то разность сигналов с нйх Составитель К.КлоповскийТехред М.Ходанич Корректор В. Гирняк Редактор А.Долинич Заказ 7459/57 Тираж 770 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5 Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 з 14553 площадь дополнительной...

Номер патента: 1464303

Опубликовано: 07.03.1989

Автор: Шестаков

МПК: G21B 1/00, H05H 1/00

Метки: высокотемпературной, плазмы, плотной

...плоских участков электродов.1 ил,и трития, заполняющуювнутри оболочки. Длямы может также испольдое вещество или замоядерное топливо, нанереннюю сторону оболочУст ойство работае Р т следующим об разом.При пропускании тока между электродами 1 по оболочке 2 последняя сжи мается и нагревает газовую смесь 3.Сила, действующая на каждый участок оболочки, обратно пропорциональна квадрату расстояния его от оси си стемы, поэтому при профилировании толщины оболочки в форме сферического пояса обратно пропорционально квадрату расстояния от оси вся оболоСоставитель О. СеменовТехред Л.Сердюкова орректор Л. Пилипенк айцева ктор ирзж 7 аказ 835 5 одписное ГКНТ СССР вниям и открытиям кая наб., д. 4/5 ВНИИПИ Государственного комитета по изо 113035...

Номер патента: 1501311

Опубликовано: 15.08.1989

Авторы: Киров, Стотланд

МПК: H05H 1/00

Метки: винтовой, неустойчивости, плазмы, резистивной, стабилизации

...Ч ца границе плазмы,На оси абсцисс отложены, относительные значения радиуса (а - радиусграницы плазмы). Пунктиром пок-зацы 30стабилизирующие добавки тока с относительной величиной 57. от максимальной плотности тока. Отрезком, параллельцым оси абсцисс, показан уровень,пересечение которого с кривой 6задает положение рациональных магнитных поверхностей.На фиг. 3 приведены в относительных единицах ицкременты 3 реэистивцойвинтовой неустойчивости с модой 40ш/и = 2/1 для распределения плотности ток;, показанного кривой 7 нафиг. 2 в зависимости от запаса устойчивость на границе плазмы с круговымсечением, Кривая 8 (фиг.3) соответствует реэистивцой винтовой неустойчивости на рациональной магнитнойповерхности с меньшим, а кривая 9 сбольшим...

Номер патента: 1373294

Опубликовано: 15.10.1989

Авторы: Белянин, Сулема, Черданцев, Шадрин

МПК: H05H 1/00

Метки: высокотемпературной, диагностики, плазмы

...Известно, что упругое рассеяние является наиболее вероятным в ядерных взаимодействиях при низких и средних энергиях. По этому способ ядерного анализа, основанный на упругом рассеянии, должен обладать наилччшей чувствительностью.Ядра отдачи водорода, дейтерия.ю трития, гелия, выбиваемые в результате чпругих взаимодействий с атомами пучка, оегистоирчются системой идентиФикации состояний из поглотителя и полупроводникового детектора. Поглотитель поедстапляет собой однородную пленку, которая служит для поглощения упругорассеянных атомов (ионов) анализиоуемого пучка. Толщина его выбирается такой., чтобы путь, проходимый атомами (ионами) анализируемого пччка, после рассеяния полностью укладывался в поглотителе.Размеры плазмы и...

Номер патента: 1308165

Опубликовано: 23.10.1989

Авторы: Коротеев, Кошилев, Шишко

МПК: H05H 1/00

Метки: плазмы

...время саморазряда этого поля превышает 10 с,При выбранных параметрах среды-4электронов в пространстве над диэлектриком осуществляется без столкновений с молекулами остаточного газа ине переходит в газовый разряд. Точкистарта с поверхности электронов саморазряда обычно определяются нарушениями структуры поверхности диэлектрика, которые остаются неподвижнымив процессе саморазряда, в то времякак участки поглощения электронов постепенно перемещаются по поверхностидиэлектрика по мере уменьшения электрического поля зарядов, производягазоотделение с нее. Однако оно незначительно и изменения состояния газовой среды у поверхности не происходит,40Появление магнитного поля увели"чивает скорость изменения траекториидвижения электронов,...

Номер патента: 1529475

Опубликовано: 15.12.1989

Авторы: Басов, Белоусов, Розанов, Субботин, Харитонов

МПК: H05H 1/00

Метки: жидкой, защитой, инерциальном, проведения, реакторе, реакций, стенок, термоядерном

...должно превышать давление насыщенных паров при млксцмлльцой температуре жидкости,Мцццмлльцо необходимое давлениеглзл н камере можно определить по диаграмме равновесия Лаз жидкость - плр полагая температуру кипения жид кости равной максимальному ее значению в процессе нагрева продуктаминзрынл мишени.При отсутсвци объемного вскипанияжидкости время подготовки камеры кследующему взрыву определяется скоростью конденсации паров. Вследствиеразвитой поверхности теплообмена процесс конденсации плрл на относительно холодной жидкости протекает гораздо быстрее, чем оседание капель впрототипе, поэтому н предлагаемомспособе можно увеличить частоту повторения взрывовСоответственно возрастет выход энергии и цуклидов нединицу времени,В качестве примера...

Номер патента: 1536527

Опубликовано: 15.01.1990

Авторы: Малых, Нагорный, Ямпольский

МПК: H05H 1/00

Метки: диагностики, плазмы, свч-рефлектометр

...напряжения выбирают такой, чтобы соответствующая ей девиация частоты ЕГ приводила к формированию на СВЧ-детекторе целого числа и периодов за половину периода меандра. При этом выполняется соотношение% - 4 См 1 о й 50 где Б - концентрация плазмыИ - критическая концентрацияплазмы,Для того, чтобы это соотношениене нарушалось при перемещениях СПКК,необходимо соблюдение условияД 1 я) 1где 61 - разности длин плеч волноводного моста (например, для п "2 и Ь 15 м, ДЕ = 60 МГц). Возможная форма сигнала на СВЧ-детекторе представлена на фиг. 2 б, Пакеты колебаний, отличающиеся наполовину периода меандра, синфазны, а соседние пакеты колебаний,соответствующие разным частотамСВЧ-генератора, могут начинаться вразных фазах, Разность фаз этих сигналов...

Номер патента: 679082

Опубликовано: 28.02.1990

Авторы: Бобылев, Курдюмов

МПК: H05H 1/00

Метки: генератор, излучения, импульсного, ионизирующего, потока

...поля у кромки высоко" вольтного электрода трансформатора существенно снижается и повышается напряжение начала коронирования, В результате удается обеспечить оптимальный рабочий режим для ускоритель 40 ной трубки (Ь у= 110 в . 130 кВ) без коронных разрядов, повысить частоту генерации нейтронных импульсов до 100-300 Гц и ресурс генератора до (5-20) 1 О срабатываний.6На чертеже представлен предложенный генератор импульсного потока ионизирующего излучения с картиной электрических полей, снятых при помощи электрической ванны при ускоряющем напряжении 120 кВ: сплошными линиями обозначены эквипотенциалы поля рри наличии распределителя электрического поля и пунктирнымибез него.Генератор импульсного потока ионизирующего излучения...

Номер патента: 1508938

Опубликовано: 30.06.1990

Авторы: Анисимов, Бушман, Великович, Ковальский, Крюков, Ландин, Либерман, Минин, Пергамент

МПК: H05H 1/00

Метки: плазменного, факела, формирования

...излучения наповерхность усеченного конуса происходит абляционное ускорение его малого основания и одновременно ради.альное схождение стенок конуса к оси.В результате течение становится регулярным по всей длине образующей конуса и в процессе струеобразонания 20участвует вся его поверхность. Кроме того, еще до схлопывания на ось,материал боковой стенки конуса подподпирающим" действием донышка - малого основания конуса. - приобретает 25значительную осевую составляющую компоненту скорости.При использовании в качестве материала вершины конуса металла сбольшей плотностью его "подпирающее" 30дейстние становится более существенным, Иасса этой пластины ограничена:условием движения поршня совместнос точкой разворота потока. Исследования...

Номер патента: 1384181

Опубликовано: 23.08.1990

Авторы: Лысенко, Скибенко, Юферов

МПК: H05H 1/00

Метки: корпускулярного, мишень, плазменного, потока, торможения

...напуск рабочего газа, например водорода, во внутреннюю полость камеры 2, где он превращается либо в жидкий, либо в твердый криоконденсат 5 в зависимости от температуры стенок камеры 2.На этапе торможения открывается тепловой ключ 12 (разрывают тепловой контакт между криостатом 1 и камерой 2) и задвижки 6 и 7. Плаэменный или корпускулярный поток попадает внутрь мишени, При-этом крйоконден/сат 5 в камере 2 плавится и переходит в газообразное состояние, эаполняя равномерно все пространство внутри корпуса иишени, Торможение плазменного или корпускулярного потока происходит частично за счет потерь энергии на фазовых переходах(криоконденсат - криожидкость - пар),но в основном за счет элементарныхпроцессов иониэации, диссоциации,возбуждения...