H05H 1/00 — Получение плазмы; управление плазмой

Номер патента: 1402231

Опубликовано: 30.08.1990

Авторы: Антропов, Друженьков, Зеленин, Коровин, Кучумов, Циренин

МПК: G01J 3/10, H05H 1/00

Метки: анализа, растворов, свч-плазмотрон, спектрального

...чертеже изображен предлагаемый ,СВЧ"плазмотрон, разрез.СВЧ-плазмотрон состоит из разряд", 15 ной камеры, выполненной в виде двой" ной коаксиапьной трубы (внешний проводник 1, внутренний проводник 2), присоединенной с помощью волноводно-коаксиального перехода 3 к волна водной СВЧ-линии 4. Внешний провод" ник имеет штуцера 5 и щелевые прорези 6 для ввода плаэмообразующего газа. Внутренний проводник имеет осевой канал 7 для ввода аэрозоля 25 раствора образца, конец его части внутри разрядной камеры имеет кони- ческое осевое углубление 8. Для вывода излучения плазмотрон имеет щелевое отверстие 9 во внешнем провод нике. Внешйий и внутренний проводники имеют водяное охлаждение 10 и соответственно.Данная конструкция СВЧ-плазмотроиа...

Номер патента: 1507192

Опубликовано: 23.10.1990

Авторы: Норман, Полак, Сопин, Сорокин

МПК: H05H 1/00

Метки: плазмохимических, проведения, реакций

...иэ активной зоны реактора 3 ) 2 К/С(5) где С -, скорость звука.Условия (3), (4) определяют область допустимых значений тока 1 пучка и энергии электронов пучка,Наиболее эффективным способом ис- ПОЛЬЗОВаНИЯ ЭНЕРГНИ Эпг.КтРОШУОГО ПУЧ- ка является ее тр;1 нсформэ 1 ня в энергию колебательной с 2 тепени с 1 абоды моЛЕкул гооно, ерг 1 с 1. Иг о,г 1 о ич это 3 1501снт от состава рабочей смеси и иници,ируемого процесса, Токи пучка должныбыть достаточно высокими, однако ихзначение не должно превышать величину альфеновского тока Т.1 с ТАпшс //е, (1)где с - скорость света;3 ч/с; ш,е, ч - масса, заряд и ско"рость электронов пучке, У1-(Р,Число иипупьсов пучка определяютиз условия, чтобы энерговыход за время макроимпульса равнялся требуемомузначению...

Номер патента: 1603544

Опубликовано: 30.10.1990

Авторы: Лонгинов, Лукинов, Павлов

МПК: H05H 1/00

Метки: возбуждения, волн, кинетических, магнитоактивной, медленных, плазме

...иволны, распространяющейся вгубль плазмы. В этом случае электромагнитная волна, распространяющаяся вглубь плазмы в точке ион-ионного гибридного резонанса (в обычных условиях неоднородной плазмы с нарастающей от границы плазмы плотностью) трансформируется в МК-волну, распространяющуюся вглубь плазмы. Однако при дальнейшем увеличении концентра" ции наступает ситуация, когда МЭ-волна не достигает зоны ион-ионного гибридного резонанса иэ-за возникновения зоны непрозрачности (МЭ-волна трансформируется в быструю волну перед зоной непрозрачности и таким образом в этом случае электромагнитная энергия не может проникнуть вглубь44 6относительно холодного газа на периферии плазмы, что затрудняет проникновение ионов добавки в центр плазменного...

Номер патента: 1603545

Опубликовано: 30.10.1990

Авторы: Егоров, Иванов, Тараненко, Шулико

МПК: H01J 27/00, H05H 1/00

Метки: ионов, потока

...большейконцентрацией, чем в случае обычного(известного) пеннинговского разряда.Подвижность электронов поперек магнитного поля В сВязи с ВысОким урОВнем турбулентности плазмы при развитии пучково-плазменной неустойчивости значительно выше в предлагаемомспособе, чем в известном, Высокаяконцентрация плазмы в прианодном слоеи большая поперечная подвижность электронов слоя приводит к росту анодного тока и, соответственно, к увеличению потока ионов.На чертеже показана схема установ-,ки для реализации способа,Установка содержит электроннуюпушку 1, стеклянную рабочую камеру2, катушки 3 постоянного магнитногополя, медный полый цилиндр 4, диафрагмы 5 и цилиндр Фарадея 6.Способ осуществляется следующимобразом.Электронный пучок, сформированный...

Номер патента: 1549463

Опубликовано: 15.01.1991

Авторы: Смирнов, Чилипенко

МПК: H05H 1/00

Метки: ионный, источник, масс-спектрометра

...д, к таму жесохраняющим остаточную зздмагпзцеззность,где К - любое целое число, определяемое иэ конструктивных соображений, Иаверхгггзх частях статорцых полюсов, находящихся ва пределами области высокого вакуума, размещены обмотки 10.Структурная схема блока питаззия статорных обмоток представлена на Фиг. 3.Выход генератора 11 импульсов сое , динен с входом первого триггера 12, прямой выход которого соединен с входом второго триггера 13, .а инверсныйс входом третьего триггера 14,.Прямые и инверсЗзъзе вззхадзз второго и третьего 5 триггеров соединены с первыми входамисхем 2 И 15,16,17 и 18, вторые входы которых соединены с вьзходом генератора 11. Выходы схем 2 И 15 и 16 соединены с первым и вторым входами диФФерецциального усилителя 19...

Номер патента: 1621186

Опубликовано: 15.01.1991

Авторы: Лонгинов, Лукинов

МПК: G21B 1/00, H05H 1/00

Метки: антенное, возбуждения, волн, ловушке, магнитной, медленных, находящейся, плазме

...круговая частотагенератора;: Я , - ионная циклотроннаячастота В - величина постоянного .Омагнитного поля, оптимальные размерыследующие; Ь = 10 см и й = 1 см,а расстояние 1 = 1 м между соседними. перемычками 4 одного проводника 3 выбирается значительно больше размерапоперечного сечения (диаметра) перемычек 4, но меньше половины длины вол 55ны Я . Для данных значений магнитногоноля Б= 2 сЯ = 5 м (с - скоростьсвета в вакууме), Расстояние между.проводниками 3 8 = 3 см,Антенное устройство работает следующим образом,За счет использования возбудителей(не показан) в замедляющей структуре,образованной системой проводников 3и перемычек 4, и в вакуумном промежутке между проводниками 3 и плазмой возбуждается поверхностная медленнаяэлектромагнитная...

Номер патента: 1508939

Опубликовано: 30.04.1991

Авторы: Лазарев, Перелыгин, Смирнов

МПК: H05H 1/00

Метки: дракон, ловушки, магнитная, плазменной, типа

...плазменной ловушки типа Дракон, содержащая два прямолинейных участка с однородным магнитным полем, соединенных с замыкающими участками посредством переходншх участков, о т л и ч а ю щ а я с я тем, что, с целью повышения эффективности удержания высокотемпературной плазмы высокого давления, в качестве переходных участков использованы элементы с вращательным преобразованием магнитных силовых линий на угол к= о, где- угол между нормалями к осям замыкающих и,прямолинейных участков в точках нх соедине- нияе 2 сБ ь 4 а с а:40аиюо 8к К СБ зпюБ й где 5 = Внего вставляется предварительнособранный элемент с вращательным преобразованием магнитных силовых линий. Этот элемент может быть выпол"нен на основе системы винтовых проводников либо на основе...

Номер патента: 1645908

Опубликовано: 30.04.1991

Авторы: Романова, Федоров

МПК: H05H 1/00

Метки: параметров, плазмы

...0,052 для и/пе(2 10 г, т.е, ошибка в определении ие составляет доли процента.Зная и , определяют температуру электронов плазмы Те следующим образом.Исследования различных режимов инжекции показали, что в стационарном режиме (1( р 11 т.евокруг инжектора существует такая сфера радиуса КЕ = К( (1( /1 ), которая собира 1/2ет тепловой ток электронов плазмы, равный 12Отсюда че = ( 1 /41 е пе К, следова- тельно где К - постоянная Больцмана. Величина К находится с использоваСнием явления возникновения параметрической неустойчивости, когда на длине К -Ко укладывается целое число полуволн и, т.еи 2 р чгК К (2)с О 2 И Таким образом уменьшая энергию инжектируемых электронов Ы, а значит, и ч(211/ш )11, получим последоваетельность резонансных...

Номер патента: 1648669

Опубликовано: 15.05.1991

Авторы: Алиханов, Умрихин

МПК: B23K 10/00, H05H 1/00

Метки: импульсной, плазмой, поверхностной

...в основном, в виде излученияа также за счет теплопроводности плазмы, Так как разряд в пристеночной плазме является основным источником диссипации энергии, а пристеночный слой плазмы тонкий. практически вся энергия, 1648669)переданная в разряд, поступит на обрабатываемую поверхность как в случае радиационного, так и теплопроводностногоканала передачи энергии,Таким образом КПД передачи энергии 5от источника в модифицируемый слой оказывается достаточно высоким,Для того, чтобы магнитоприжатый разряд(МПР) в плазме мог существовать в коаксиальной камере с металлическими 10поверхностями, необходимо, чтобы толщина МПР была меньше зазора между обрабатываемыми поверхностями и времядиффузии тока иэ слоя в металле должнобыть больше времени...

Номер патента: 670080

Опубликовано: 23.09.1991

Авторы: Иванов, Мальцев, Нафтулин, Трубецкой

МПК: H05H 1/00

Метки: автоматическая, плазменного, удержания, шнура

...надежным разрядником в цепи ЕС и позволяет .получатьтоки полусинусоидальной формы, порядка десятка килоампер. После включения, эа время прохождения прямоготока, тиристор не управляется. Способы принудительной емкостчой коммутации тиристоров довольно сложны, поэтому, выбран режим естественноговыключения тока, когда прямой токспадает до нуля, а затем происходитвосстановление запирающих свойствтиристора. Амплитуда тока постоянная,длительность полупериода импульса тока тоже постоянная, определяемая параметрами цепи 1.С, поэтому регулирование среднего значения управляющего магнитного поля производится изменением скважности импульсов запускаинверторов.Применение импульсов тока в обмотке управления полусинусоидальной формы по сравнению с...

Номер патента: 1618265

Опубликовано: 30.09.1991

Авторы: Лонгинов, Лукинов

МПК: G21B 1/00, H05H 1/00

Метки: антенное, возбуждения, волн, ловушке, магнитной, медленных, находящейся, плазме

...длину затухания 1 и длину волны поверхностной ИБ(Э), исходяиз величины накуумного промежутка й 45и параметров приграничной плазмы 5.Для этого необходимо решить известноедисперсионное уравнение для поверхностной МБ(Э):2 а, 3 5В Л (Ы -Я, )+Я ф -Н +Я ф - 50-я, ) х- иь (4 Г:Г - а). о,М С ЕвЬ где И = -К,-х), Б -.а55Здесь Я Я - компоненты диэлектрического тензора плазмы, а 3 Я тепловая добавка к диэлектрическому тензору плазмы. Это уравнение имеет комплексное решение х, причем длина волны поверхностной МБ(Э) определяется че-. рез.г- сК х Й ф2июЦ 11где с - скорость. света в вакууме агЭдлина затухания 1 через с1 х= - )Я 1 хгде Я - частота МИ(Э)Антенное устройство иа примере возбуждения. медленных кинетических волн (МВ(К работает следующим...

Номер патента: 1540639

Опубликовано: 30.10.1991

Автор: Модзолевский

МПК: H05H 1/00

Метки: генерации, кумулятивной, плазменной, струи

...коммутаторов Р, идентичностью параметров конденсаторных батарей С и гермеьических размеров коаксиальных электродов 1, Э и 2, 4. Длина 1 разгонного участка должна быть такой, чтобы к моменту столкновения ток в плазменных слоях был максимальнымт.е. йс е/ к 1= - е 1макс где Е - индуктивность разрядного контура; 30 Чмакс - максимальчая скорость токовогослоя в момент столкновения. В момент столкновения сблизившихсяплазменных слоев 8. 9 образуется остроУГОЛЬнаЯ ГеОЛОСТЬ КЛИН) ИЛИ КУМУЛЯТИВНВЯ ВОРОН Ка, ЗВХЛОПЫВа НИ 8 КГПОеРОЙ ВСТРВЧНО НаПРавлеННЫМИ НабегаЮЩИМЛ ПОеОКаМИ плазмы приводит к образованию кумулятив" ной струи 10, выходяи 18 й через канал Б с профилированным отверстием.Столкноьение плазм 8 нных слоеВ перВоначдльно происходит у...

Номер патента: 1704206

Опубликовано: 07.01.1992

Авторы: Акишев, Напартович, Трушкин

МПК: H01S 3/0971, H05H 1/00

Метки: атмосферного, газоразрядной, давления, камеры, поперечного, проточной, разряда, тлеющего, электродная

...и може быть использовано при создании газовых лазеров и плазмохимических реакторов. Целью изобретения является повышение удельного энерговклада в разряд. Устройство представляет собой быстропроточную газоразрядную камеру 1 с секционированным катодом 3 и сплошным анодом 2, в котором г создается стационарный тлеющий разряд атмосферного давления. Секции катода выполнены в виде тонких металлических штырей, утопленных в цилиндрических углублениях 4 диэлектрической стенки газо- разрядной камеры. Каждая катодная секция подключается к индивидуальному балластному сопротивлению 5. Газоразрядная камера позволяет увеличить уровень электрической мощности, вводимой в стационарный тлеющий разряд атмосферного давления. 1 ил.-)д, Г- у(.(....

Номер патента: 1706786

Опубликовано: 23.01.1992

Авторы: Давыдов, Муравьев

МПК: B23H 5/04, H05H 1/00

Метки: оплавлением, трубчатым, электрическим, электродом-инструментом

...Яу), находят значения Г 1, Е 2, ГЗ и т.д. - проекции частей кольцевых сегментов на плоскость уг, Для первой точки х 1 ун " у 1-1 - О расчет производится по формуле Е - Э(у), представляющей собой формулу для вычисления площади Е кольцевого сегмента: лй 2 В -1 = Г =агссоз180Для второй точки хг псдСчитываЮт пРоекцию кольцевого сегмента Гв по приведенной формуле, и, вычитая из нее площадь Е = Г 1, находят Ег:Г 2- Еи - Е - Ев - Е 1 и т.д,Естественно, что с первого раза площади Е 1 и Е будут не равны. Повторно, задаваясь значением у 1, добиваютСя равенства между Г 1 и Г. Аналогичные расчеты производят для у 2, уз и т,д. до уь гдепринимают равным п:2, т,е, до у 1 = О:2 = й,Вследствие центральной симметрии последующие расчеты простые, так как Еп...

Номер патента: 1723677

Опубликовано: 30.03.1992

Автор: Горев

МПК: G21G 4/00, H05H 1/00

Метки: аннигиляционных, гамма-квантов, генерации, импульсов

...в - масса покоя позитрона; у - релятивистский фактор,то материал испаряется и представляет собой плотную, холодную, слабоионизованную плазму,Ее температура определяется из условия 5 ад - посто 4 где о=5,67 10 янная СтефанаСтепень мо тов определяетсЬр ВТо Вт см ольцмана.охроматичност тогда из услов-кв но использовать известное устройство, коммутации токов. При этом выбор толщины фольги медного источника связан с ус 15.где ЛР и р - ширина спектральной линиии частота у-кванта соответственно.В = 1,38 10 6 эрг/град. - постояннаяБольцмана,Источник дает излучение в телесныйугол 4 й-стерадиан.Для осуществления предлагаемогоспособа генерации аннигиляционных у -квантов можно использовать устройство,состоящее из источника позитронов в...

Номер патента: 1612967

Опубликовано: 07.04.1992

Автор: Лонгинов

МПК: G21B 1/00, H05H 1/00

Метки: антенное, возбуждения, волн, ловушке, магнитной, медленных, находящейся, плазме

...40 стенке эапитывающего волновода 3, образованного системой волноводов, обращенной в сторону плазмы 5, будет возбуждаться электромагнитное поле, имеющее требуемую для возбуждения в плазме медленных воон поляризацию, а именно: электрическее поле параллельно магнитным силовымлиниям ловушки.Поэтому при наличии плазмы, если ее концентрация не очень мола вблизиу50 отсутствие излучения, когда отсутствует плазма), так и для воэможности возбуждения медленных волн в плазме, которые могут затем поглощаться на электронах плазмы эа счет черенковского эффекта, Так, например, для целей поддержания стационарного тока в токамаке-реакторе с использованием поглощения медленных волн необходимо, чтобы Чф = 0,3-0,7 с йп,3 -3). Анализ электродинамических...

Номер патента: 1728988

Опубликовано: 23.04.1992

Авторы: Гонопольский, Елисеев

МПК: H05B 7/00, H05H 1/00

Метки: вставка, газа, межэлектродная, подогревателя, сопло, электродугового

...прохождения охлаждающей среды. Трубы 4 установлены с образованием между соседними трубами по всей их длине тангенциальных щелей 6. Причем поперечное сечение МЭВ и щелей выполнено переменным по длине МЭВ.Подогреватель газа с МЭВ работает следующим образом.Через газоподводящие каналы 7 подается основной расход рабочего газа. Через щели 6 в полость вставки подается тангенциально дополнительный расход 6 рабочего газа по.всей длине вставки. В полости 5 труб 4 подается охлаждающая вода. Между электродами 2 и 3 зажигается электрическая дуга 8, расположенная по оси МЭВ,Ввод дополнительного расхода рабочего газа по всей длине МЭВ позволяет повысить градиент напряжения, следовательно и мощность дуги, при сокращении ее длины при той же силе тока....

Номер патента: 1421249

Опубликовано: 30.05.1992

Авторы: Ермохин, Кулик, Синягин, Токмулин

МПК: H05H 1/00

Метки: поверхности

...реализуетсяСПЕт,".ЮщИМ ОбрЯЗОМоПри очистке плоской поверхностин;.(алия (см., (тт(Г 1;( генератор плаз"мы Водяного пара 2 вместе с соплами:1)т(в 1)ез которые подают охлаждающийзащитный гаэ ч, перемещают приводом,началом обратного поперечного движеРияр Осуществляют взаимное смещениегенератора плазмы 2 и поверхности 1 вдоль поверхности на величину, не превышающую диаметр ядра плазменной труи 6, что обеспечивает равномер 5 ность очисткиПри очистке поверхности 1 тела вращения (иэделия) (см. фиг, 2) генератор плазмы водяного пара 2 с соп лом 3, через которое подают защитный О газ 4, перемещают приводом 5 вдоль оси вращающегося тела, причем для ббеспечения равномерности очистки по площади смещение генератора плазмы 2 вдоль оси вращающегося...

Номер патента: 1547675

Опубликовано: 07.07.1992

Автор: Тоболкин

МПК: H05H 1/00

Метки: высокого, давления, плазмы, размеров, разряда

...И ДХЯ ИРО(ОГО ДИДПЯЗОЦД 1)Д ЦД)ЬЕПП( РДЗМЕХОВ П 1 ДЙЬо ПотЕР)ецоеттъ рд:рт 1)д тдкке 1 хик, иттуетсп цд тецеот" фо ОГРД(т 1 т ПРЦ Ц; СЛт тОБДНЦЦ Н 1 ПРЕРЬс ЦО ГОРЛЕГО РДЗРПДХ ПРИ тСПОВИ КОГДД ПДПРХекЕЦП 1 тД ЗХЕКет РОХЕ Дтцлт ттттп 0 МОДУЛЦРОГЯПО С 1;Стото 1;СтеУПп.Ц 300-300 ц и с ГпубтОИ оцтхляццт 20- А 0%. Производх после мцогокрдтцог уБЕЛИвци)1 Изобрд.(ЕтЛ С тО 0 тО Мдсв гтдбнО хинехи ц:3 ееения РзмеРОБ Обх 1 дстц,огвдпичецпйц поверхностью раз)ИВЯ и попе) еч пои и г 1)одольном ЦЯПДДБХ 1 ЕН 11 НХ 0 ответВЛЯРТСт ИЗЯ) " НИЕ т)Д ЗМЕРОВ т 1 ПЯ Э Ь Как С РЯД тт е Х З еД" твниТДК и П)ог;.Хтв Потв)ЕЧН 01 О СРЧЕтИЯ ПЛЯЗМЬт Бдопэ Бед 1 ттцт)1 тв р .;Зе ряда. Это позволяет определить плотцддь поверхности ц объем пх 1 Яэмы, Обработка полученных с...

Номер патента: 1598840

Опубликовано: 30.10.1992

Авторы: Демиденко, Коваленко, Меркин

МПК: H05H 1/00

Метки: напыления, плазмотрон

...гаэ подается в зазор между катодом и МЭВ. Порошок вводится на срез сопла.Диаметр критического сечения вход",)Ьф ного сопла (0,30-0,5)й, где с 1 - внут- Ъ ренний диаметр МЭВ. Внутренний дпаметр анода й =(0,99-0,95)д, дпипаанода Ь (2,50-3,5) с 1 ц.Плазмотрон работает следуюпп1 г 1 81 дадо лазмйВ эуюиии Электрическая дуга, горящая между катодом 1 и анодом 5, создает поток плазмообразующего газа находящегося в состоянии низкотемпературной плазю. На выходе из сопла в поток вводится порошок напг 1 гпяемого материала, Разгоняясь и оплавляясь, частицы порошка попадают на напьляемую поверхность и сцепляются с неи. ОКачество покрытия, наносимого плазмотроном, зависит от однородности поля температур и скоростей в поперечном...

Номер патента: 1268077

Опубликовано: 30.01.1993

Автор: Тоболкин

МПК: H05H 1/00

Метки: движения, плазмы, скорости

...1 ийТИЕ 9 Г, жГдацца е еа, Е 11 рс ГЕ, 11 Ц 1, ч пользовяно еари,аиягеЕОстикс. ппя;1 мы длйизмерений движения пчязмецньпс тече.ний, 5Целью изобретения чвцяется повышение точности измерений и расширениеФ,"Екционяльцьех воэможцост 1 зй способа.Ия чертеже схематично показано устроЙге Еао длй осушествпеаеий спсасобя, 1 йСпособ реаааиэуют гпедуеощим образом,С электрола 1 возбуждают ва,есокочастотный Факельный разряд 2 внутриразрядной камеры 3 Ток ВЧ-еааэряда5амплитудно модуцируют с частотой 1001200 Гц путем изменения схемы питанияс глубйеаой модуляции 10-307. Частотаи глубина модуляшаи разряда определяются скоростью потока и мощностьюразряда а также условиями Фоторегистрации сложной структуры плазменногопотока,Илаэмообрязующий газ подают в...

Номер патента: 1120908

Опубликовано: 23.02.1993

Авторы: Доронько, Черников, Шляховецкий

МПК: H05H 1/00

Метки: ваграночного, восстановления, газа

...повышают скорость подачи газа до (4-7) 102 м/с.Предлагаемый способ иллюстрирует"- .ся чертежои, где изображены камера 1 для восстановления газа, полые электроды 2 и 3, трубопроводы 4, зона 5 дугсвого разряда и взаимодействия с) встречных потоков. ОСпособ осуществляется следующим (ф образом.Отходящий ваграноцныи газ предвасрительно смешивают с 1-34 воры и подают встречными потоками по трубопроводам через полые электроды 2 и 3 со скоростью (2,10-2,25)102 м/с и температурой 281-298 К в камеру 1 К электродаи 2 и 3 прикларывают переиенное напряжение с силой тока 8- 12 А, зажигают электрическую дугу и112008 Температура газа 1000-1100 К выбрана из условий обеспечения протекания процесса восстановления газа с одной стороны и минимальных...

Номер патента: 1158021

Опубликовано: 30.04.1993

Авторы: Аньшаков, Волокитин, Дедюхин, Соловьев, Чибирков

МПК: H05H 1/00

Метки: диэлектрических, плазменной

...токе разояда 40 А,ет, в свою очередь, эрозию содежурной дуги. Угол 45 обеспеменьшее межэлектродное прост а под угломловлен наи -з1ван ми зажигай дугой при что снижала-анода 2 чивает наи ранство ос ОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬС(56) Рыкалин Н,Н. Примененратурной плазмы в технолоных материалов, - Сматериалы, 1972, Ф 1,Авторское свидетельствойг 733231, кл, Н 05 Н 1/00, 1 Изобретение относится к пла технике и используется для термич работки строительных диэлектриче териалов, например для по защитно-декоративных покрытий. Цель изобретения - увеличение ре оты устройства за счет снижения эрНа чертеж ое устройство,Устройство из катодного узла, включающего катод 1 и сопло-анод 2 дежурной дуги, анодного узла, содержащего анод 3, привод 4 анода,...

Номер патента: 1628539

Опубликовано: 15.05.1993

Авторы: Ляшенко, Скворцов, Церевитинов

МПК: C21D 1/09, H05H 1/00

...имеет место и для сплавов, Нижний предл длительности импульсаогрдцичец возможностями пллэмоимпульсного обарудондция.Л р и м е р 1. Обработке импульсной плазмой подцергллся цилиндрический стержень, выполненный из титлцл, который рлэмосдлся в центре полости г г) 1 О тдвлялл 10 1 ж/см",;.тсГсвг Стс ц;Гпдеесл ре В 5 ллсе 16с Й с, 1 аттерх -цОСТ ОГ 1)дбатдцд ЕЕОЕГГЧ т,С)ЕЕЕ МЕХЛМЕСТО цоЛЕС)ЕЕГсостЕ ЕгГКП)ГЭс),Остн п 1)еде.Г), 500-6500 Л дс, д тс).ч",;,ицл 15 упрочцеццого слоя колеблцлсх От 5до 15 мкм.ДЛННЫЕ ЦРЕ ГРЫ ПОКЛЗИНЛЮтт.та ЭЛсчет упроисцця способд качество поНЕрХцОСтц;ОСЛЕ сдб)1)дбатКЕ Ес уХудяд" 20 .есстНерд неамер Ность с)ойстн цоеэерх-"ЦОСТЕЕ ЛЧКГДЦР 5 ЕТС 5 ЕС.ЕЕ тСЛ) ипульсон Обрдботкунеци пггь, ОбрлГотКа ИДЕЦтИЧЦОГО СтЕРжнл...

Номер патента: 1549464

Опубликовано: 23.05.1993

Авторы: Волокитин, Дедюхин, Шишковский

МПК: H05H 1/00

Метки: плазменной, поверхности

...поверхности путе 2плазменной технологии и может быть использовано для плазменной обработки.диэлектрических материалов с целью получения низкосорбциоцных, защитно- декоративныхпокрытий на строительных материалах Цель изобретения - повышение равномерности. обработки поверхности по длине дуги, Это достигается . наложением,магнитного поля в виде .однополярных треугольных импульсов аперемещаемую относительно поверхности дугу, расположенную под углом к, этой поверхности. Магнитное поле накладывают в прикатодной области с частотой йЧ/д, где У. - скорость пе;". ремещения разряда; й - токопроводящнй а диаметр дуги. 2 ил. перемещения вдоль поверхности плазменного устройства В катодной области на дугунакладывают магнитное поле, силовые...

Номер патента: 1823160

Опубликовано: 23.06.1993

Авторы: Ульянов, Чулков

МПК: H01S 3/22, H05H 1/00

Метки: высокого, давления, несамостоятельного, разряда, стабилизации, тлеющего

...к молекулам примеси с увеличением напряженности электрического поля между электродами газоразрядного устройства. 1 ил,резко уменьшить проводимость среды засчет увеличения в области усиленного поля фчастоты прилипания к молекулам электроорицательной примеси, при этом концент- .рация молекул должна быть достаточномалой, а именно, чтобы примесь не влияла рбы на параметры разряда в большей частиобъема промежутка, Подбирая род газа иего парциальное давление, можно управлятьразвитием шнуров, и порысить предельный ффэнерговклад,Устройство работает следующим образом. Электронный пучо, сформированный вэлектронной пушке 8 поступает в разрядноеустройство и иойизует поток газа. в которыйподмешивается электроотрицательная примесь, При подаче...

Номер патента: 1493078

Опубликовано: 07.07.1993

Авторы: Волокитин, Дедюхин, Старченко, Чибирков, Шишковский

МПК: H05H 1/00

Метки: плазменного, покрытия, электропроводных

...условия Г 7,)/21 уосси вр охлаждеууия материала до темпе плавления (крисалли 3 ау)ии ). Для большинства металлов ве 1 уичина частоты сканирования дуги по поверхности лежит в диапазоне )0-20 Гц,з.п. матер зла изделия пу"ем сканирования по поверхности плазменной дуги с частс;той )0-200 Гц, а частицы покрытия внедряют в зону расплава плазмотроном косвенного действия,Сканирование плазменной дуги по поверхности электропроводноуо изделия вызывает ее расплавление и поддержание необходимой температуры расплава. Обеспечивая куирокую зону расплава поверхисусти, а также необходимый запас кинетическсуй эуус ргии час лицам напьууунслссгсу матс риала за с чет гил вязкости и линвлсуучс.с уссу с 1 усвпорв плазменного уусу 1 ока у с усс р гс рсу когвс...

Номер патента: 950165

Опубликовано: 07.07.1993

Авторы: Аньшаков, Волокитин, Дедюхин, Филиппов, Чибирков

МПК: H05H 1/00

Метки: генератор, плазменный

...изобретения является иние производительности обработктериалов,(54)(57) ПЛАЗИЕННЫИ Г РАБОТКИ МАТЕРИАЛОВ по о т л и ч а ю щ и й с целью повышения произ обработки материалов, ком наполнителе выпол отверстия вдоль образ ческого цилиндра, рав ложенные по эллипсу. Цель достигается тем, что в плазменном генераторе для обработки материалов, содержащем коаксиально расположенные анод, катод, выполненные ввиде эллиптических цилиндров, разде"ляющий их диэлектрический наполнительи соленоид, в диэлектрическом наполнителе выполнены сквозные отверстиявдоль образующей эллиптического цилиндра, равномерно расположенные поэллипсу,На чертеже изображен плазменныйгенератор для обработки материалов,Генератор катод 1, анод 2, диэлектрический...

Номер патента: 749355

Опубликовано: 07.07.1993

Авторы: Венедиктов, Волокитин, Петров, Филиппов, Шиманович

МПК: H05H 1/00

Метки: генератор, плазменный

...а ю щ и й с я тем, что, с цельюобеспечения равномерности обработки,электроды выполнены в виде эллиптических цилиндров и разделень 1 междусобой диэлектрическим наполнителем,осуществляется с низкоительностью,Известен плазменныйдержащий. коаксиально ра. анод, катод и окружающиПри работе наблюдаютсягового разряда с рабочиэлектродов,Целью изобретения явчение равномерности обрЦель достигается темменном генераторе для обтериалов, содержащем коположенные катод, анодих соленоид, электродывиде эллиптических цилиУЙ 9355 дакто Нефедо 1 оргентал Корректор Т,Вашков ех ж Подписноеитета по изобретениям и открытиям сква, И, Раушская наб., д. Ц/5 аказ 2830; ТираНИИПИ Государственного ком113035, Ио ГКНТ СССР Производственно-издательский комбинат "Патент",...

Номер патента: 1400461

Опубликовано: 07.07.1993

Авторы: Волокитин, Дедюхин, Шишковский

МПК: H05H 1/00

Метки: дугового, перемещением, разряда

...столбом дуги, что облегчает процесс шунтирования "дуга - выступ винтовой нарезки электрода" и исключает переброс с одного выступа на другой. При горизонтальном расположении электродов выступ Вицтовой царезки, на которспривязана дуга, предварительно подогреваетсл дуговым разрядом, что об"легчает переброс Огг)рного пятна повыступу 13 сторону п 1)ОтипоноложуюВ 1 эап 1 ееиО 32 ектрОда. Существ РцнОс вл 1япе на напряжение нробол оказываетградиент температуры в промежуткемежду дугой и вьступом витовой царезки электрода,. С его увеличениемзто напряжение уменьшается,Скорость врацепя электродов задается при помощи электропривода 3,Дуговой разряд возбуждаетсл междупарой выступов винтовых нарезок одцм из Способов; заО)ачизацием.осциллятором и т,п,...