H05H 1/00 — Получение плазмы; управление плазмой

Номер патента: 758577

Опубликовано: 23.08.1980

Авторы: Крисилов, Пядышев, Старцев

МПК: H05H 1/00

Метки: регистратор, электроннозондовый

...выходную индуктивность, включенную между выходом повторителя напряжения и экраном коаксиального кабеля.Устройство, выполненное согласно данному изобретению, представлено на чертеже.Оно состоит из электростатического зонда 1, коаксиального кабеля 2, резистора 3, повтори. теля 4 напряжения, емкости 5 обратной связи повторителя, источника 6 ЭДС со входом 7 низкочастотной модуляции и выходной индук. тивностью 8, включенной между выходом пов. торителя 4 и экраном кабеля 2.Работает данное устройство следующим обре зом.Включаетсяисточник 6, в на его вход 7 по дается модулирующий сигнал, Далее зонд вво. дится в плазму, образующую, например, при входе космического объекта в плотные слои758577 оставитель В. Рябы ехред К. Гаврон Корректор А....

Номер патента: 766047

Опубликовано: 23.09.1980

Авторы: Аксенов, Модестов

МПК: H05H 1/00

Метки: плазмы, температуры, электронной

...проводимости, а также тем, что активную проводимость определяют измерением проводимости потерь параллельного резонансного колебательного контура, включенного между зондом и корпусом, а амплитуду напряжения зонда задают величиной связи контура с питающим генератором.Схема устройства для осуществленияданного изобретения представлена на чертеже. Оно состоит из электрического 6 1 1 Г= -где Т - электВ - заряд К - посто И И Цг- амплижения иная температуона,опьцман ек иная туды и со ременного на етс твуюши е активные проводимости. 2, Способ по п. 1, о т л и ч а ющ и й с я тем, что активную проводимость определяют измерением проводимости потерь параллельного резонансного 0 колебательного контура, включенногомежду зондом и корпусом, а амплитуду...

Номер патента: 777862

Опубликовано: 07.11.1980

Авторы: Зеленский, Курилко, Татусь

МПК: H05H 1/00

Метки: ионов, пучков, ускоренных

...указанных выше процессов вводится вероятность дУ.,ионизации газа, сорта а первичным ионом на отрезке длинои Иу, в окрестнос 60ти точки хо, где концентрация нейтрального газа равна р,. (Х, а энергия первичного иона равна У,",е.:йУ = о ( д- -"У, с (2) 65 Соответствующее приращение тока частиц 1 ионов сорта а (1=сек -) на выходе трубки будет равно с Учитывая, что энергия однократно ионизованного атома сорта а меняется по закону можно получить окончательно спектральнаную плотность тока частиц сорта а на мишени (х= Ц в следующем виде: М 1 " К,1 " (5) Разрешая ф) относительно р,(х), можно получить окончательное выражение Данный способ получения пучка ускоренных ионов может быть реализован в устройстве, схема конструкции которого...

Номер патента: 689500

Опубликовано: 30.11.1980

Авторы: Быковский, Козловский, Козырев, Цыбин

МПК: H05H 1/00

Метки: импульсногоускорения, плазмы

...с - плотность мощности излучения на поверхности мишени, Вт/м, - длина волны лазерного излучения, м.Известно, что для эффективного ускорения необходимо, чтобы время образования и ускорения сгустка было меньше времени проникновения магнитного поля разрядного тока через виток в плазму (Фр )При воздействии мощного лазерного излучения с упомянутыми параметрами реализуется наивысший среди известных способов удельный энерго- вклад в единицу времени в облучаемую область мишени. Это позволяет получить высокоионизированный плотный плазменный сгусток с временем эмиссии плазмы с мишени 3 10 8 с.В предлагаемом способе синхронно с образованием такого плазменного сгустка в форме кольца проводят сильноточный разряд также кольцевой конфигурации через...

Номер патента: 586779

Опубликовано: 23.12.1980

Авторы: Гоцубанов, Летучий, Павличенко

МПК: H05H 1/00

Метки: параметров, плазмы

...10 сканирующая система. Интенсивное излучение плазменногофокуса вызывает резонансный переходатомов водорода с невоэбужденного со стояния 15 на уровень 2 р, с последующим спонтанным распадом возбужденногоуровня. Распад вынужденного возбужденного состояния атомов водорода сопровождается излучением электромаг нитной волны на длине волны Х1216 А, причеА интенсивность этогорезонансного излучения пропорциональ;на концентрации атомов водорода в облучаемой точке плазменного объема.25 Йзлучение атомов водорода принимается при помощи фотодетектора, соединенного с плазменной установкой вакуумированным каналом. Нижний предел,измерения концентрации нейтральных 30 атомов водорода составляет 10 см. В. Д. Коцубанов, А. Н. Летучий и О. С....

Номер патента: 519066

Опубликовано: 30.03.1981

Авторы: Овчаров, Панасюк, Панкратов, Самошенков

МПК: H05H 1/00

Метки: ионов, источник

...а размеры полюсов магнита больше или равны расстояни 1 о между ка:. - дом и анодом.5На фиг. 1 дана схема конструкции ис оц.ника; на фиг. 2 - разрез А-А на фиг. .Источник ионов содержит катод 1, выполненный в виде плоской сетки, удерживаемой катодными держателями 2 и рас положенной между анодом 3, изоляторами 4, о 5 и извлекающим электродом 6. Системаэлектродов помещена между пол юсным; наконечниками 7 магнита.Источник работает следующим об)таз,;.По катоду 1 через катодные держатсли 2пропускается электрический ток. который разогревает катод до рабочей температуры.В зазоре между полюсными наконсцниками 7 создается магнитное поле. На анод 3 подается положительный потенциал относительно катода 1 и катодных держателей 2 Электроны,...

Номер патента: 686577

Опубликовано: 23.05.1981

Авторы: Егоров, Новиков, Путько, Соболев

МПК: H05H 1/00

Метки: гене-patopax, дуги, напряженности, низкотемпературной, плазмы, поля, увеличения, электри-ческого, электродуговых

...теплоотдачи в окружа,ощий газ за счет поперечной конвекции, что приводит к увеличению локаль686577 Формула изобретения Составитель Н. Ермохин Редактор Л. Павлова Техред А. Бойкас Корректор Г. Наза ова Заказ 3259/50 Тираж 889 ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж - 35, Раушская наб., д. 4/5 филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4ной напряженности электрического поля дуги,Исследовалось влияние вращающегося магнитного поля на напряженность электрического поля дуги длиной 5",10 м, горящей между двумя угольными электродами и обдуваемой ламинарным потоком газа (аргон), Расход аргона составлял 2,8 г/с. Диаметр разрядной камеры - 22 мм. Источником вращающегося магнитного поля служил...

Номер патента: 843322

Опубликовано: 30.06.1981

Авторы: Лебедев, Лягушкин, Попенко

МПК: H05H 1/00

Метки: дуговым, разрядом

...электродами1 и 2, подключенными к источнику 3 дугового разряда, накладывают с помощью электродов 4 и 5 серию импульсов тока, которые формируются стандартным источником 6 питания. Каждый одиночный импульс повы 1 з шает напряжение на разряде в течение некоторого времени. Серия импульсов позволяет повысить напряжение на длительный период времени.При наложении таким образом, поперечного импульсного разряда на дуговой разряд плазменного устройства, в последнем образуется конфигурация типа магнитное сопло за счет перепада давленйя по оси разряда в зоне магнитного сопла происхо.дит дополнительный подсос газа в дуговой разряд, вызывая интенсивный теплообмен дуги с дополнительной массой газа, При этом повышается мощность за счет увеличения...

Номер патента: 680599

Опубликовано: 07.07.1981

Автор: Хурпудян

МПК: H05H 1/00

Метки: заполненияорбиты, заряженных, кольцевого, микро-сгустками, степени, ускорителя, частиц

...за цикл ускорения, сигналы мониторных детекторов регистрируют с задержками один относигде3 - ко-)ффициент заполненияорбиты ускорителя микросгустками частиц;Н - счет совпадений, зарегистрированных той из двухизмерительных систем, вкоторой исключался отборот К - меньшего фиксированного числа микросгусткон частиц;й - счет совпадений, зарегистрированных второй измерительной системой, н которойисключался отбор от К - 40большего фиксированногочисла микросгустков частиц;у - безразмерный параметр измерения, )"-К", причем21)безразмерный параметр измерения,коК - максимально возможное чис 0ло микросгустков, котороеможет быть ускорено н 5 Окольцепроводе данного ускорителя за один циклускорения.Счет совпадений измерительнымисистемами осуществляют...

Номер патента: 616913

Опубликовано: 23.07.1981

Авторы: Иванов, Шапкин

МПК: H05H 1/00

Метки: изотопов, разделения, реализации, химическихэлементов

...собойцилиндрическую камеру 1 с диэлектрическими торцовымк стенками 2. Соосно с камерой установлен инжекторэлектронного пучка, состоящийиз катода 3 и анода 4, а также приемник 5 электронов. Магнитная система выполнена, например,. в виде катушек 6,Система 7 прокачки представляетсобой насос одного из известныхтипов, Устройство содержит такжеисточник 8 анодного питания инжектора и дополнительный источник 9 питания, включенньй между цилиндрической камерой 1, а также анодом 4инжектора и приемником 5 электронного пучка,Предлагаемый способ осуществляетсяследующим образом. В объем камеры 1, помещенной в продольчое магнитное поле, создаваемое катушками 6, илиектируют по оси камеры стационарный электронный пучок. Через объем камеры с помощью 3...

Номер патента: 637039

Опубликовано: 30.07.1981

Авторы: Иванов, Курко, Лейман, Соболева, Шапкин, Щедрин

МПК: H05H 1/00

Метки: плазмохимический, реактор, стационарный

...производится из вакуумных камер 7,8 катодаи коллектора вакуумными насосами через трубопровод 9. Прием продуктовреакции осуществляется закалочнымустройством 10. Ввод рабочего газапроизводится по трубопроводу 11. 40Предлагаемое устройство работаетследующим образом. В реакционнуюкамеру 2, помещенную в продольноемагнитное поле пробочной конфигурации (Н = 7 кЭ, Нду,Ноплоские диафрагмы 6 инжектируют ленточный пучок электронов шириной: 10-100 см, равной ширине плоскойгазовой струир толщиной 4 В 01500,2 см и мощностью НВ = (10-100)10 ВтПри помощи аэродинамйческого плоского сопла 4 поперек пучка электронов плотностью и Ы 3 10" см-продуВвают плоскую сверхзвуковую струюгаза шириной Я-100 см, толщиной 55д . = 300,3 см с концентрациейи = 107 - 10 )...

Номер патента: 791182

Опубликовано: 07.09.1981

Авторы: Волков, Дятлов, Лимарь, Митина

МПК: H05H 1/00

Метки: жесткого, излучения, импульсный, источник, рентгеновского

...достигаетсяза счет того, что вольфрамовая проволока помещается параллельно стержню на расстоянии от его поверхности,равном 10-20 (О - диаметр стержня)так, что торец проволоки находитсяпосередине расстояния между соленоидами,т.е.в районе минимума магнитного поля, где наблюдается наибольшоечисло ускоренных электронов. Какизвестно,применение вольфрама в качестве материала мишени приводит кувеличению интенсивности, так какинтенсивность тормозного рентгеновского, излучения пропорциональна атомному номеру Е вещества мишени( 2 вольфрама = 74),В предлагаемом источнике ускорение электрона происходит при цикличном движении их по круговым орбитам,поэтому необходимо, чтобы в началеразряда на мишень попадала лишьчастЬ электронов с тем, чтобы...

Номер патента: 782713

Опубликовано: 30.10.1981

Авторы: Виняков, Мендерович, Ракитянский, Терехов

МПК: H05H 1/00

Метки: поля, создания, ускоряющего

...ьшение -. равным 1/180 (вданном случае к = 18). Для обе 4 спечения высокой .добротности (О = 10 ) отверстиядля пролета"пучка в резонаторе закрыем 60 ты фольгами (см.чертеж), Наличиеэтих фольг, кроме того, позволяетпредупредить пробои, которые при напряженности пола 300 кВ/см безуслов,но возникли бы в области апертуры для65 пролета пучка.(б) кВыбое сящий от сечения де 0 - добротность пр з выражения (5): 1, и е хО;Зз=1=К 2 УЬ 181 чсод(л 1 ми=О(3)е 1 и (и Л - )е=ип о р, (4)где щ 0 - частота мбдуляции воэбуждаемого пучкаНаиболее эффективно, как и вестновозбуждаются ТЕМ - волны в резонаторе, у которых электрическоеи магнитное поле не зависит от продольной координации , а векторпотенциал имеет одну компонентуАА, Ограничиваясь...

Номер патента: 890567

Опубликовано: 15.12.1981

Авторы: Волокитин, Дедюхин, Филиппов, Чибирков, Шиманович

МПК: H05H 1/00

Метки: генератор, плазменный, строительных

...фиг. 1 и 2 изображено устройство в двух проекциях, общий вид.Устройство имеет электрод 1, выполненный в виде эллиптического цилиндра, причем сильно вытянутоговдоль одной из осей. Электрод 1 имеет разрез шириной 1-4 мм вдоль образующей цилиндра, Внутри электрода 1расположен эквидистантно электрод 2,который также имеет разрез шириной1-4 мм. Оба электрода разделены диэлектуическим наполнителем 3.Устройство работает следующим образом,. Электрический ток величиной, например, 150-200 А подается на электроды 1 и 2. Производится поджег дугипосредством осциллятора либо крат-.ковременным замыканием электродов.Магнитное поле, создаваемое током,текущим по электродам, взаимодейст вует с током дуги, что вызывает ееперемещение вдоль...

Номер патента: 795417

Опубликовано: 07.01.1982

Авторы: Рошаль, Столов

МПК: H05H 1/00

Метки: генератор, импульсный

...3 постоянного напряжения и ячейкой, состоящей из включенных параллельно резистора 4, управляемого коммутатора 5 и индуктивного накопителя 6 и соединенной с нагрузкой 7 через управляемый коммутатор 8.При замыкании коммутатора предварительно заряженный конденсатор 1 разряжается через внутреннее сопротивление ис точника 3 и замкнутые контакты коммутатора 5 на нагрузку, формируя в ней передний фронт импульса тока. В момент окончания разряда конденсатора, когда напряжение на нем становится равным нулю, от крывается диод 2, через который в дальнейшем проходит ток, поддерживаемый на уровне первой площадки с помощью источника 3 при условии, что его напряжение выбрано равным падению напряжения на 30 активном сопротивлении нагрузки,...

Номер патента: 890954

Опубликовано: 15.07.1982

Авторы: Дикий, Калиниченко, Лысойван, Назаров, Швец

МПК: H05H 1/00

Метки: бестоковой, плазмы

...до давления 2 10-" - 5 10-" торр, затем возбу 5 кдают Вс 1 - поле и при достижении плазмой критической плотности, при которой возможно распространение электромагнитной волны во всем рабочем объеме камеры, производят дополнительный цапуск нейтрального газа.Экспериментально момент критической плотности (ее можно рассчитать по дисперсиоцным зависимостям для данного типа волны) определяется с помощью микроволнового ицтерферометра (в нашем случае использовался ицтерферометр Уортона с длиной волны 1=8 мм) и высокочастотного зонда, расположенного вдали от ацтеццы, регистрирующего начало распространения волны.Таким образом, способ предусматривает осуществлять напуск газа в два этапа. Это открывает возможность вначале установить...

Номер патента: 949852

Опубликовано: 07.08.1982

Авторы: Гугняк, Сорокин

МПК: H05H 1/00

Метки: мощности, плазматроне, разряда, электрического

...в одной из нихВЧИ плазменного разряда; на фиг. 3 -схема с ВЧЕ плазменным разрядом; нафиг, 4 - схема с СВЧ плазменным раз" 20 рядбм; на фиг. 5 - схема с электродуговым разрядом; на фиг. б - чертежВЧ плазмотрона с датчиками статического давления; на фиг, 7 - графикизменения разности давлений й Р приизменении мощности разряда для двухразличных расходов газа.Способ осуществляется следующимобразом.Если через завихритель ввести газв камеру плазмотрона с расходом Я,то его расход установится одинаковым949852 Формула изобретения г по Я/2, если условия течения газа вних одинаковые (фиг. 1),Но если на одну из труб поместитьйндуктор и зажечь разряд, то условияистечения .газа изменяются (фиг. 2) ив свободную от разряда часть трубыувеличивается...

Номер патента: 621278

Опубликовано: 15.08.1982

Авторы: Антонов, Киселевский

МПК: H05H 1/00

Метки: плазме, слоя, токового

...разностьпотенциалов плазма - металл Ч с отрицательным потенциалом на металле.Если плотность плазмы Не н ее температура Т имеют отличный от нуля градиент вдоль поверхности, контактнаяразность потенциалов в разных участ-ках металлической поверхности окажется неодинаковой, что, в свою очередь, вызовет появление в пристеночном слое касательной составляющейэлектрического поля Е;. В результатев пристеночном слое образуется ":оковый слой с направлением; противоположным градиенту Т и Ее, а в метал278 Ъ 5 О 5 20 253645 ле - так, совпадающий с этим градиентом (см.фиг.1), Возникияе токи создают магнитные поля в плоскостях перпендикулярных току с нулевой линией вблизи поверхности металла,Возникший пристеночный ток является одним из эффективных...

Номер патента: 598523

Опубликовано: 23.09.1982

Авторы: Антонов, Киселевский

МПК: H05H 1/00

Метки: нагрева, плазмы

...- к выходной щели камеры.5 На чертеже представлена схема описываемого устройства.В вакуумной металлической камере 1устройства установлена металлическая мишень 2, внутри которой высверлен капил лярный канал, состоящий цз двух прямолинейных участков, расположенных под прямым углом, причем входное колено 3 канала имеет диаметр 0,8 - 1,2 мм, глубину 2 - 2,5 мм, а выходное колено 4, соответствен цо, диаметр 0,6 - 0,8 мм и глубину 1,5 -2,5 мм; окно 5 предназначено для прохождения светового потока в канал, линза 6 - для фокусирования луча через окно в вакуумной камере внутрь входного колена 20 канала.Лазерное излучение от цеодцмного ОКГ,работающего в режиме модулированной добротности длительность импульса 50 цс, энергия 50 Дж), фокусируют...

Номер патента: 932961

Опубликовано: 15.10.1982

Авторы: Бородин, Велихов, Голубев, Рутберг

МПК: H05H 1/00

Метки: плазмы

...газа меньше 100 плазма всила змятпоне имеет тем ператупу выше 5000 - :6000 К, тто привочпт к пазложенито молекул рабочего газа. При расхоле газаКГбольше 30 - происхочит срыв разрядасза счет газодинамических неустойчивостей. Интервал давления газа 0,1 в : 50 ат 1 в его хололном состоянии) выбпан цз условия контрагиповацич разпяла, так как в условиях коцтракции высокая темпепатура в луге также приводит к разложению молекул пабочего газа. Выполнение указанных режимов позволило получить плазю со слелуютцим соотнотпением концентрации металла к концентрации возбужденных молекул газаум10 ( (1. Концецтпацпя электронов этой плазмы составляет 10 тт - 10" см -а время жизни 1 - 10 -с. Эти требования прелъявляются, в частности, к плазме...

Номер патента: 272456

Опубликовано: 23.11.1982

Авторы: Владимиров, Комельков, Модзолевский

МПК: H05H 1/00

Метки: высокоскоростного, затворов, открытия, электрогазодинамический

...а также максимальное уменьшение влияния перегородки посредством ее разрушения, испарения и выноса в столь же малые времена, как и время открытия.Для этого создают направленную на затвор плазменную струю с токами выноса и магнитными полярны, что позволяет объединить температурные и ударные воздействия, Величину плотнос ти токов в струе выбирают в зависимости от давления газа. Например, чтобы разрушить и испарить перегородку в виде медной фольги толщиной 50 мк за время около 5 мкс при давле нии 1 атм, плотность тока в струе должна быть 10 А/см при амплитудах тока ь сотни килоампер. Минимально необходимое давление во фронте плазменной струи должно быть порядка нескольких тысяч атмосфер, а температура за фронтом - порядка нескольких десятков...

Номер патента: 812148

Опубликовано: 23.11.1982

Авторы: Атаманов, Буравцев, Иванов, Красанов, Левадный, Логунов, Митин, Наседкин, Перышкин, Сатаров, Шапкин

МПК: H05H 1/00

Метки: плазмохимический, пучком, реактор, электронным

...магнитного поля, диафрагмы дифференциФальной откачки электронной пунпси, устройство.для установки обрабатываемых деталей,электронная пушка выполнена формирующейтрубчатый пучок электронов, а устройство напус 20ка газа расположено на оси электронной пушки,коаксиально с устройством для установки обрабатываемых деталей, а диафрагмы дифференциальной откачки выполнены в виде кольцевыхщелей, повторяющих форму поперечного сечениямиэлектронного пучка.При этом весь поток рабочего газа проходитчерез зону разряда трубчатой формы и обтекание невозможноНа чертеже схематично изображен плазмохи- З 0мический реактор с электронным пучком.Плазмохимический реактор содержит реакционную камеру 1, На фланце реакционнойкамеры 1 смонтированы устройство 2...

Номер патента: 828943

Опубликовано: 23.11.1982

Авторы: Копубанов, Летучий

МПК: H05H 1/00

Метки: атомов, нейтральных, плазме, температуры

...цель достигается тем, чтопо способу определения температуры атомовв плазме путем зондирования электромагнитными резонансными волнами и регистрациейрассеянного плазмой излучения плазму зондируют последовательно двумя электромагнитнымиВолнами с различной шириной спектра, причемодна из волн имеет спектральную ширину,превышающую ширину резонансной линии ато.ма, другая волна имеет спектральную ширинуменьше этой же резонансной линии, а температуру определяют по отношению получейных фло.уресцентных сигналов.5 8 г 894 З 6В качестве таких источников могут быть ис- регястрацией рассеянного плазмой излучения,пользованы лазеры на красителях. о т л н ч а ю щ и й с я тем, что, с цельюТаким образом, преимущества предлагаемого...

Номер патента: 548126

Опубликовано: 30.11.1982

Авторы: Соминский, Цыбин

МПК: H05H 1/00

Метки: диагностики, полей, приборах, электрических, электронных

...отверстием 3, термокатод-поджигатель 4, торцовые катодные экраны 5 35 и 6, печку 7 источника нейтральных частиц, рабочее вецество 8, диафрагмы 9 и 10 источника, сетки 11 и 12 анализирующей системы, коллектор 13 ионов. .40Магнетронный прибор при включенных магнитном поле В и анодном напряжении О запускают током тер.(озмиссии с поджигателя. В установившемся режиме в направлении вдоль магнитного поля пропускают пучок нейтральных частиц, поперечные размеры которого должны быть много меньше расстояния между катодом и анодом. Пучок частиц формируют с помоцью источника, состоящего иэ печки 7 с рабочим вецеством 8 и диафрагм 9 и 10. При нагреве печки создают поток частиц, вылетающих через диафрагму 9.Интенсивностьпотока задают,изменяя...

Номер патента: 1001224

Опубликовано: 28.02.1983

Автор: Коренев

МПК: H01J 1/30, H05H 1/00

Метки: диод, плазменный

...конденсаторобразован металлической подложкой 353 и металлической мелкоструктурнойсеткой 5 с диэлектрическим заполнением в виде ферромагнитной прокладки, а второй - металлической мелкоструктурной сеткой 5 и анодом 6 с 4 Овакуумным заполнением,Разность потенциалон Пс междуобкладками первого конденсатора определяют по формуле где Е - электрическая прочност.ферромагнитной прокладки.Такпри толщине ферромагнитной прокладки из феррита марки 4 СЧ 10, ранной 1 мм, электрическая прочность составляет 40 кВ/мм. Напряжение зажигания разряда при этой толщине и при давлении остаточного газа10 5 торр составляет 2,3 кВ. При этом напряженность электрическОго поля В ферромагнетике составляет л 2,3 кВ/мм, что существенно меньше пробивной напряженности...

Номер патента: 708940

Опубликовано: 15.10.1983

Авторы: Одинцов, Фефелов

МПК: H05H 1/00

Метки: диафрагма, плазменной, установки

...состоящая иэ секторных элементов 2 .Контактируя с плазмой, эта диафрагма подвергается воздействию интенсивных потоков заряженных частици сама является источником примесей, поступающих в плазму.Цель изобретения - уменьшение,загрязнения плазмы тяжелыми примесями и повышение ресурса работы диаФрагмы.Цель достигается тем, что обращенная к плазме йоверхностьсекторных элементов выполнена из пористого тугоплавкого материала, порыкоторого заполнены твердофаэным наполнителем с близким к тугоплавкомуматериалу значениемпроиэведения коэффициента распыления на атомный вес.Пористый слой образован тканево-нитяной тугоплавкой структурой.Обращенная к плазме поверхностьсекторных элементов образует сосью диафрагмы угол, величина которого одного...

Номер патента: 1012775

Опубликовано: 23.07.1984

Автор: Беляев

МПК: H05H 1/00

Метки: взаимодействия, ионов, неупругого, сечений, эффективных

...разделение их на две группы,отличающиеся :о энергиям, невозможно,Целью изобретения является измерение эффективных сечений неупругоговзаимодействия двух одинаковых ионов,Указанная цель достигается тем,что в известном способе измеренияэффективных сечений неупругоговзаимодействия ионов по скоростиобразования вторичных частиц, возникающих в результате столкновения ионов, формируют полый пучок монокристаллических ионов, а их столкновения осуществляют фокусировкой пучка,На чертеже представлена схематраекторий ионов пучка 1 в районефокуса 2 конечных размеров. Стрелкойуказано общее направление движенияионов в пучке, Сплошными линиямиобозначены траектории, участвующиев создании изображения точек Фокуса 3, 4, 5, б. Пунктирные...

Номер патента: 1066446

Опубликовано: 15.10.1984

Авторы: Марголин, Полыновская, Пятницкий, Эдельман

МПК: H05H 1/00

Метки: локальных, параметров, плазмы

...сигналов, принципиальная схема которого приведенана фиг. 2, содержит триггер 10, входкоторого соединен с выходом Фотодетектора 5, а управляющий вход соединен с выходом опорного фотодетектора107, линию 11 задержки, вход которой .соединен с первым выходом триггера10, дифференциальный усилитель 12,суммирующий вход которого соединенс выходом линии 11 задержки, а разностныйвход соединен с вторым выходомтриггера 10, при этом выход дифференциального усилителя 12 соединен с вто рым входом двухканального обращающего усилителя.20Описанное устройство для реализации предложенного способа работаетследующим образом.еСформированный лазером 1 импульсрезонансного излучения модулируетсяпрерывателем 2 излучения, выполненным в виде электрооптического...

Номер патента: 1118222

Опубликовано: 23.08.1985

Авторы: Успенский, Федяков

МПК: H01J 3/02, H05H 1/00

Метки: источник, электронов

...размер отверстия в аноде;Н - расстояние между катодоми анодом.На фиг, 1 показан предлагаемый источник электронов в разрезе; на фиг, 2 - приведено распределение потенциала вдоль оси источника.Источник электронов, содержит газонаполненную камеру 1, в которой соосно установлены катод 2 и анод 3 с осесимметричным отверстием 4. Между катодом и анодом подключен источник питания 5. За анодом 3 со стороны противоположной катоду 2, установлен вспомогательный электрод 6, выполненный в виде отрезка металлической проволоки, электрически соединенный с анодом. При этом расстояние от анода 3 до электрода 6 удовлетворяет соот- ношению Источник. электронов работает следующим образом.При определенном давлении газа(10 2 -10 " торр) в...

Номер патента: 1102473

Опубликовано: 30.12.1985

Авторы: Карпухин, Саппа

МПК: H05H 1/00

Метки: бестоковой, плазмы

...1отложено по горизонтальной оси графика, В течение времени от момента 0до 1 происходит первичный напускнейтрального газа до давления оптимального для электрического пробоя(2 10 -510 торр),В момент 1 включают ВЧ-поле,. поддействием которого ионизуется гази создается плазма. В 12, когда плотность плазмы возрастет до величиныкритической 10 -5 102 см(т,е.,когда в плазме эффективно распространяются и термализуются.электромагнитные волны, что улучшает ввод ВЧ-мощности в плазму большой плотности)производят инжекцию твердотопливныхтаблеток. Двигаясь в плазме, твердоетопливо испаряется и нейтральныйгаз ионизуется электронами плазмы,Плотность плазмы за период от 12до 1, возрастает до величины 5 ф 10а10 в зависимости от вводимойв плазму мощности и...