G11C 5/02 — размещение элементов памяти, например в форме матриц

Номер патента: 744720

Опубликовано: 30.06.1980

Автор: Аникин

МПК: G11C 5/02

Метки: запоминающих, матриц, сердечниках, ферритовых, шаблон

...матриц на ферритовых сердечниках; на фиг. 5 - расположение ферритовых сердечников при прошивке их проводами Х 1,.Х,; на фиг, 6 - расположение ферритовых сердечников и проводов Х при прошивке проводами У 1 Уц, на фиг. 7 - расположение ферритовых сердечников, проводЪв ХХ, и У 1;Уев, соответствующее сборочному чертежу на запоминающую матрицу.Шаблон содержит основание 1 с трапецеидальным окном 2, между параллельными сторонами окна 2 расположен элемент фиксации ферритовых сердечников, содержащий набор подвижных опорных пластин 3 с уступами 4, в которых между ограничителями 5 помещены ферритовые сердечники 6. Набор опорных пластин с уступами связан с узлом перемещения пластин и состоит из двух направляющих 7, установленных вдоль параллельных...

Номер патента: 746714

Опубликовано: 05.07.1980

Авторы: Минишев, Ямалтдинов

МПК: G11C 5/02

Метки: кодовых, механизм, осадки, проводов

...по оси у. Накопитель или его имитирующий шаблон 25 располагается на столе станка под консолью.Работа механизма осадки кодовых проводов блока памяти должна происходить в определенном положении консоли относительно стола (по оси у), так как на консоли укреплены корпус механизма и каретки 7 относительно консоли, так как работа механизма происходит только при зацеплении рейки, расположенной на консоли, и шестерни, расположенной на каретке, а также при взаимодействии первого штыря 12 на шестерне 10 и второго штыря 16 на ходовом винте 11. Второй штырь 16 перенесен в пред- И лагаемом,механизме во внутрь поля - это возможно при условии, что этот упор должен исчезать, отключаться на других линейках. Эту задачу выполняет копирная линейка...

Номер патента: 763962

Опубликовано: 15.09.1980

Авторы: Бавыкин, Замирец, Зеленский, Лысый

МПК: G11C 5/02

Метки: запоминающих, магнитных, накопителей, пленках, устройств, цилиндрических

...совмещенной с соосными ей соленоидами числовых обмоток; на фиг. 3 - схема стыковки и соединения проводников с концами близлежащих в разряде стержней; на фиг.4 - схема удаления участков проводников и образования разрядной обмотки накопителя. 51015 Применение предложенного способа изготовления накопителей для ЗУ на ЦМП обеспечивает по сравнению с известными способами следующие преимущества:упротпение процесса заполнения соле,ноидов числовых обмоток стержнями, покрытыми ферромагнитной пленкой, а также возможность упрощения механизации этого процесса;упрощение операции соединения в разрядные обмотки накопителя близлежащие в разряде стержни друг с другом с помощью гибких электрических контактов;обеспечение для каждых стержней...

Номер патента: 767832

Опубликовано: 30.09.1980

Авторы: Алексеев, Горшков, Журавлев, Киселев, Щербина

МПК: G11C 5/02

Метки: запоминающих, матриц, прошивки, сердечниках, ферритовых

...самое нижнее положение иэ-за неидеальности плоскости короба, подложек, толщины слоя клея идопусков на геометрические размерысердечников. Поэтому припрошивкепровода имеют возможность поднырнуть под прошитые проводапредыдущего слоя,Цель изобретения - уменьшениевероятности переплетения проводов,с. . повышение надежности прошивки.Это достигается тем, что в предлагаемом приспособлении верхняя частькороба выполняется в виде выпуклойцилиндрической поверхности, образую7 б 7832 Формула изобретения Составитель В,ГордоноваРедактор А, Караулова Техред А. Щепанская Корректор В.Бутяг Подлета СССРрытийнаб., д. 4/5 ж бб 2енного комиетений и от35, Раушска 1/48 Тир ВНИИПИ Государстпо делам изоб 13035, Москва, Я Зак ное Патент, г, Ужгород, ул.Проектная,лиа...

Номер патента: 767833

Опубликовано: 30.09.1980

Автор: Аревян

МПК: G11C 5/02

Метки: запоминающих, магнитных, матриц, пленках, устройств, цилиндрических

...челнок 7 продолжает вращаться,но проводопритягиватель 10, быстродвигаясь вверх, тянет провод б, стя гивает петлю с челнока 7 (положениеЧ) и выбирает ее из игольной пластинки 2. Второй оборот челнок 7 делает вхолостую, и за это время проводопритягиватель 10 затягивает петлкО (положение Ч ). Перемещение рамки 4на следующий шаг начинается тогда,,когда игла 5 находится в крайнемверхнем положении, а затем опускается, подает верхний провод б и при 15.нимает исходное положение. Послепрошивки коврика (фиг. 2). прошитыеобмотки 11 разрезаются на отдельные числовые обмотки 12. Верхнийпровод б и нижний провод 9 припаиваются друг к другу на контактной площадке 13 для соединения в одно целое числовых обмоток 12, а проводадругого конца -...

Номер патента: 767834

Опубликовано: 30.09.1980

Авторы: Глушков, Жемейцев, Милошевский

МПК: G11C 11/4063, G11C 5/02, G11C 7/00 ...

Метки: информации, матричного, накопителя, считывания

...исток - с шиной нулевого потенциала, а затвор через элемент задержки 19 соединен с шиной 22 выборки, которая также подключена к дешифраторам 17 и 18, Ко входам дешифраторов подключены также адресные шины 23 и 26.Предлагаемое устройство Функционирует следующим образом,При наличии на шине 22 потенциала,близкого к Р, потенциал на всех выходах дешнфратора 17 близок к нулю,потенциал всех выходов дешифратора18 и затвора транзистора 20 близокк Е . В результате этого все ключевые транзисторы эакрйты,а шунтирующийтранзистор 20 открыт и потенциал шины21 считывания близок к нулю, Все информационные транзисторы 5-16 открыты и потенциал истока каждого тран"зистора ключа близок к. По приходууправляющего сигнала (нулевого потенциала) на шину...

Номер патента: 773728

Опубликовано: 23.10.1980

Авторы: Заброда, Кардащук, Лесничий, Максимчук, Мержвинский, Мороз-Подворчан

МПК: G11C 11/36, G11C 11/40, G11C 5/02 ...

Метки: матричный, накопитель

...образом.В режиме записи на шину 15 подают нулевой потенциал, а на шину 13положительный потенциал, например2-5 В, на одну иэ шин 10 и 14 подаюттоки выборки. В результате открываются транзисторы 9 и 11, соединенныес выбранными шинами, и подключаютодну из числовых шин 1 к общей шине 15.Остальные шины 1 остаются отключенными от общей шины 15, так какв цепочке транзисторов 9, 11 этихшин хотя бы один оказывается закрытым.На одну иэ шин 8 подают потенциал записи, а на остальные - нулевойпотенциал. При этом транзисторы 5,подключенные к выбранной числовойшине 1 переходят в режим насыщения,а остальные находятся в режиме отсечки. В соответствии с записываемойинформацией на выходные шины 6 пода-.ется ток записи или нулевой потенциал. В...

Номер патента: 794665

Опубликовано: 07.01.1981

Авторы: Василенко, Мягконосов, Пестерова

МПК: G11C 5/02

Метки: длязапоминающих, матриц, трафарета, ферритовыхсердечниках

...выдавливания ячеек с помощью рельефной матрицы позволяет достигнуть высокой плотности расположения ячеек и исключить искажение их профиля, которое возникает при последовательном выдавливании ячеек и обусловлено вытеснением материала трафарета в направлениях, перпендикулярных направлению движения пуансона.Соединительные каналы формируют фотохимическим методом после операции выдавливания ячеек, что позволяет увеличить поперечное сечение каналов и исключить .выпадание сердечников из ячеек трафарета.Способ осуществляется следующим образом.Сетку натягивают на раму и нагревают до 60 - 80 С, после чего на нее накатывают и напрессовывают слой сухого пленочного фоторезиста при удельном давлении 0,1 - 0,3 кг/см в течение 5 - 10 мин. Размеры...

Номер патента: 796906

Опубликовано: 15.01.1981

Авторы: Багян, Калашников, Лаут, Никишин, Штильман

МПК: G11C 5/02

Метки: запоминающий, модуль

...к коммутационным платам 13. Концы про- д водов, выходящих на зту же сторону и имеющих номера 4-3, подсоединяют,ся к платам 11, а проводов с номера- ми 4 п - к платам 12, Каждая двухпроводная линия другого ортогонального направления состоит из разрядного провода 4, проходящего вдоль оснований 1 и 2. Начала проводов 4, проходящих вдоль основания 1 и имеющих номера 4 К-З, 4 К, 4 К, 4 К, где К,2. 128, объединены в группы по четыре и подсоединены к коммутационной плате 6, а концы проводов с этими номерами, расположенных вдоль основания 2, подсоединены к контактам коммутационных плат 7-10 соответственно.Расположение проводов запоминающего модуля в виде двухпроводных линий связи позволяет уменьшить индуктивные сопротивления обмоток...

Номер патента: 815768

Опубликовано: 23.03.1981

Авторы: Беккер, Лычагин, Мешковский, Фролов, Якушенко

МПК: G11C 5/02

Метки: блоков, дляферритовых, запоминающих, иустройство, накопителя

...обработки пластины.Плата с Ферритовыми сердечникамидля запоминающих матриц выполнена изстекла 1 с отверстиями 2, внутри которых образованы в пористых слояхмикросердечники 3,Изготовление платы предлагаемойконструкции осуществляют следующимобразом.В плате из стекла, например, нат -риевоборосиликатного, в котором прихимической обработке некоторая частьего (не менее 25 и не более 75 Ъ пообъему) переходит в раствор, просверливают ультразвуком отверстия, Затем пластину опускают в растворитель,чтобы со стороны цилиндрической поверхности отверстия образовался пористый слой (Фиг, 2 б), После промывки и сушки платы, пористые слои пропитывают растворами металлическихсоединений. После этого плату сушати ее поверхность подвергают...

Номер патента: 822284

Опубликовано: 15.04.1981

Авторы: Василенко, Мягконосов

МПК: G11C 5/02

Метки: дляориентации, сердечников, трафарета, ферритовых

...ультрафиолетового излучения. Фото- шаблон пазов имеет систему прозрачных для ультрафиолетового света "окон" определенного размера в зависимости .От размеров ферритовых сердечников,822284 Формула. изобретения Составитель В. ВакарРедактор Н. Недолуженко Техред Л.Пекарь КорректорЕ. Рошка Тираж 645 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Заказ 1883/79 Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 которые будут размещаться в трафарете для ориентации. Фотошаблон каналов содержит "окна" в форме окружностей совпадающих по расположению с "окнами" фотошаблона пазов,и проектируемых при экспонировании в их центры.Время экспонирования через фотошаблон каналов...

Номер патента: 822285

Опубликовано: 15.04.1981

Авторы: Василенко, Мягконосов

МПК: G11C 5/02

Метки: запоминающейматрицы, сердечниках, ферритовых

...счет исключения соединений н шине считывания. Обеспечение существенно прямолинейного движения шины считывания на протяжении всей строки сердечникон матрицы, сформированной из четных строк нечетных фрагментов и нечетных строк четных Фрагментов при формировании одной половины шины считывания или же каждой строки матрицы, сформированной из нечетных строк фрагментов и четных строк четных Фрагментов при формировании нторой половины обмотки считывания, позволяет автоматизировать процесс Формирования шины считыВания. На фиг, 1, 2 и 3 поясняется сущ,ность изобретения,Запоминающая матрица содержит нечетный Фрагмент 1, четный, фрагмент2, шину 3 считывания, Ферритовые сердечники 4,Четный фрагмент 2 (Фиг. 1) смещенотносительно нечетного фрагмента...

Номер патента: 830559

Опубликовано: 15.05.1981

Авторы: Виксман, Довбий, Тульчинский, Филимонов

МПК: G11C 5/02

Метки: запоминающихустройств, магнитныхпленках, матриц, цилиндрических

...ии обмоток после извлечения техноских струн,Цепь изобретенияности и быстродейстматриц ЗУ на ЦМП.Поставленная цель достигае что согласно способу изготовления м риц ЗУ на БМП сообщают ролику доп15 вСпособ изготовления. матриц запоминающих устройств на цилиндрических магнитных пленках по авт.св. М 489153,отличающийся тем,что,сцелью повышения надежности и бшстро действия изготовления матриц путем уве. личения глубины формования провода, проложенного в зеве струн основы, сообщаютролику дополнительную угловую скоростьпо сравнению со скоростью прокатки, на пример, с помощью зубчатой передачи,нительную угловую скорость прокатки,например, с помощью зубчатой передачи.На чертеже изображена конструкцияустройства, реализующего...

Номер патента: 841034

Опубликовано: 23.06.1981

Авторы: Гецевичюс, Рагульскис, Федаравичюс

МПК: G11C 5/02

Метки: cep-дечниках, матриц, направляющая, прошивкизапоминающих, устройства, ферритовых

...При этом во вторичной обмотке и еецепи протекает сравнительно большой ток(60 - 70 А), который нагревает включеннуюв эту цепь планку 1. Поскольку материалпланки 1 отличается высокой теплопроводностью, а диаметр направляющих отверстий 2 близок к диаметру прошивочных проводов, то последние по причине собственныхтемпературных деформаций, а также уИомянутого натяжения обрываются. Так как направляющая планкадляустройства прошивки является элементомнезначительных размеров, то величина тока,достигающая до 80 - 100 А, считается достаточной для обрыва проводов, толщинакоторых занимает интервал между 0,0 б -0,2 мм, При этом продолжительность процесса обрыва прошитых проводов при указанных параметрах составляет несколькосекунд,Применение нагрева...

Номер патента: 841035

Опубликовано: 23.06.1981

Авторы: Виксман, Довбий, Лысый, Тульчинский

МПК: G11C 5/02

Метки: длязапоминающих, магнитных, матриц, пленках, устройств, цилиндри-ческих

...относительно ф 5их нейтрального положения, создавая вструнах вертикальную составляющую силы.Так как упор 3 выполнен соприкасающей а со струнами поверхностью заданного профиля, то струнам по поверхности упора 3 придают требуемый изгиб. При этом вертикальная составляющая силы по длине струн в местах их смещения по высоте распределяется в соответствии с выполненным профилем поверхности упора 3. Удерживая одну половину струн. на упоре 3, например (четные), другую половину (нечетные) раз-, водят в вертикальном направлении и открывают зев. Прокладывают в него проводпод углом к,струнам и вводят упор 4, расйолагая его в необходимом месте зоны плетения зева и на заданной высоте. После этого опускают разведенные в зев струныи в местах...

Номер патента: 842953

Опубликовано: 30.06.1981

Авторы: Беккер, Платонов

МПК: G11C 5/02

Метки: блокапамяти, плоского, сердечниках, ферритовых, формирования

...Ж - 35, Раушская наб д. 4/5 Филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4ферритовых сердечников, а следовательно, и трафаретов к поверхности плиты определяется параметрами неоднородного магнитного поля, существующего около поверхности плиты. Эта сила может изменяться при изменении величины тока, протекаю щего по обмоткам электромагнитов. Процесс формирования поля ферритовыхсердечников осуществляют в следующей последовательности.Трафареты с фиксированными в нихсердечниками помещают на поверхность плиты-основания таким образом, чтобы сердечники выступали над трафаретами. При этомсердечники оказываются отделенными от поверхности плиты тонким слоем липкой ленты. Пропуская по обмоткам плиты-основанияток, создают вблизи ее поверхности...

Номер патента: 843787

Опубликовано: 30.06.1981

Автор: Уилбер

МПК: G11C 11/34, G11C 5/02

Метки: матричный, накопитель, полупроводниковый

...и два изоляционных слоя, расположенных между полупроводниковой подложкой Р-проводимости и разрядными шинами, при этом первый слой, выполненный из двуокиси кремния, размещен на поверхности полупро"Пате г. Ужгород, ул. Проектн ил Тираж 64 Государственного елам изобретений сква, 3-35, Раушс Подпкомитета СССРоткрытийая наб., д. 4/5п 11 843788 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Соеетских Социалистических(22) Заявлено 25.12.79 (21) 2858442/30-1 1) М.К В исоединением заявкиГосударственный комитет Приоритет(45) Дата опубликования описания 07.07.81 53) УДК 631.312.69РОКОЗАХВАТНОЕ ПОЧВООБРАБАТЪВАЮЩЕЕ ОРУДИЕ Изобретение относится к области сельскохозяйственного машиностроения, в частности к широкозахватным почвообрабатывающим...

Номер патента: 851487

Опубликовано: 30.07.1981

Авторы: Бегагоина, Белкин, Диженков, Петров

МПК: G11C 5/02

Метки: запоминающихматриц, магнитныхпленках, цилиндрических

...удалении технологических струндля ускорения удаления бензина. В каналы, заполненные полиэтилсилоксаном, устанавливают стержни с ЦМП.Нанесения слоя полиэтилсилоксана на технологические струны в процессе йодбивки проводников исключает непосредственный контакт струн с обмотками, деформацию обмоток и канала матрицы и тем самым исключает застревание струны в канале. Заполнение каналов полиэтилсилоксаном уменьшает механическое давление стенок каналов на цилиндрическую магнитную пленку и повышает надежность и удельную плотность информации матрицы. Формула изобретения Способ изготовления запоминающих матриц на цилиндрических магнитных пленках, заключающийся в натяжении технологических струн; последовательном вплетении в них проводников,...

Номер патента: 898500

Опубликовано: 15.01.1982

Автор: Василенко

МПК: G11C 5/02

Метки: запоминающей, матрицы, сердечниках, ферритовых

...фоторезисга 2 с участками проводников 3на одной его поверхности и участкамипроводников 4 на противоположной стороне (изображены пунктиром), соединяемыхи законченные координатные обмотки уча фсгками проводников, сформированнымина поверхностях сквозных отверстий 8,Ряд сердечников 1 матрицы. (фиг.2).запрессованы примерно на половину ихвысоты в слой сухого пленочного фото- ффреэиста 2, который помещен на основание 6, температура которого может регулироваться. 00 4Ряд сердечников 1 матрицы (фиг. 3) полностью эапрессованы в слой сухого пленочного фоторезиста после операции напрессования второго слоя фотореэиста на выступающие части сердечников из первого слоя фоторезиста.Сердечники 1 на фиг. 4 изображены в слое сухого пленочного фотореэиста,...

Номер патента: 898501

Опубликовано: 15.01.1982

Авторы: Василенко, Мягконосов

МПК: G11C 5/02

Метки: ориентации, сердечников, трафарета, ферритовых

...сформированы расположенные в мат 4 ричном порядке прозрачные области 2, окруженные частично прозрачными дпя ультрафиолетового света областями 3, разделенными полностью непрозрачными для ультрафиолетового света областями 4, фО На фиг. 2 изображена схема экспонирования пластины 5 из светочувствительного стекла через фотошаблон 1На фиг. 3 - экспонированная пласти- фф на 5 после операции термообработки. Обпасти 6 имеют большую степень кристаллизации по сравнению с областями 7. 4На фцг. 4 изображено сечение фрагмента трафарета, содержащего пазы 8для сердечников, кацапы 9, вакуумнойфиксации,фотошаблон 1, представляющий собойстацдартцую плоскопараллепьную стеклянную пластину, на поверхности которой фотолитографическим способом...

Номер патента: 911611

Опубликовано: 07.03.1982

Авторы: Бордюгов, Волков, Темкин, Цишкевич

МПК: G11C 5/02

Метки: запоминающих, крепления, магнитных, матриц

...наугловых стойках в диагональном направлении, на двух противоположнорасположенных планках установленырейки с пазами для размещения угловформула изобретения 1 ОУстройство для крепления магнитных запоминающих. матриц, содержащее каркас для установки матриц, выполненный в виде четырех угловых стоек, 1 и рамки, соединенные с торцами угловых стоек, о т л и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью повыаения технологичности и обеспечения ремонтопригодности устройства, оно содержит четыре щ планки, две рейки с пазами и съемныевилки, причем планки установлены на угловых стойках в диагональном направлении, на двух противоположно расположенных планках установлены у рейки с пазами для, размещения угловмагнитных запоминающих матриц, а на цругих двух...

Номер патента: 920828

Опубликовано: 15.04.1982

Автор: Лысый

МПК: G11C 5/02

Метки: запоминающих, магнитных, матриц, пленках, цилиндрических

...провода и выравнивают технологические струны по высоте в направлении прокла дывания в зев провода, а последова" тельное Формирование провода числовой обмотки технологическими струнами осуществляют в порядке их рас- положения в направлении наклона 50 струн.На Фиг.1 показана операция наклона технологических струн в зоне плетения и выравнивания их высот в направлении угла прокладывания в 55 зев провода числовой обмотки; на Фиг,2 - расположение в зеве провода числовой обмотки и расположение на струнах элемента (упора), наклоняющего,струны; на Фиг.3 - сече ние А-А на Фиг.2 (направление и угол наклона струн); на фиг.4 - сечение Б-Б на Фиг.2 (выравнивание высот технологических струн в направлении угла прокладывания провода). б 5 Устройство...

Номер патента: 930378

Опубликовано: 23.05.1982

Авторы: Алексеев, Горшков, Журавлев, Киселев

МПК: G11C 5/02

Метки: запоминающих, матриц, прошивки

...магнитных сердечников и прошивают их.Устранение продольного изгиба проводапри прошивке вследствие того, что проталкивающая сила распределена по длине провода, находящегося в отверстиях сердечников, позволяет повысить надежность и 5 быстродействие прошивки запоминающихматриц на магнитных сердечниках. 30Устройство для прошивки запоминающихматриц, содержащее основание с установленными на нем бобинами с прошивочнымипроводами, пропущенными через направляющие, электромеханическим преобразовате 35лем, электрический вход которого соединенс выходом блока управления, подложку длямагнитных сердечников, о т л и ч а юш е е с я тем, что, с целью повышения46быстродействия и надежности прошивкизапоминающих матриц, оно содержит платформу,...

Номер патента: 930379

Опубликовано: 23.05.1982

Авторы: Гомон, Гудименко, Кононенко, Косинов, Кузьменко, Сафронов

МПК: G11C 5/02

Метки: запоминающих, магнитных, матриц, пленках, цилиндрических

...4, Расстояние между канавкамипревышает диаметр технологических струнне менее чем в два раза,В соответствии с предложенным способом изготовление запоминающих матрицна БМП осуществляют следующим образом.В начальной стадии изготовления матрицы натягивают в два слоя первую группу технологических струн 4, укладывая их в канавки верхней и нижней частей оправки, чем одновременно обеспечивается определенный шаг их укладки. Затем на оправку с уложенными струнами укладывают путем намотки виток к витку провод числовой обмотки 5, ориентируя егр в поперечном по отношению к струнам направлении. При этом, в зависимости от схемы матрицы, витки числового провода могут чередоваться с витками киперной обмотки, технология намотки которой не...

Номер патента: 936024

Опубликовано: 15.06.1982

Автор: Василенко

МПК: G11C 5/02

Метки: ориентации, сердечников, трафарета, ферритовых

...расположения перемычек, После удаления фоторезистивного рельефа опорная пластина 1 защищена слоями никеля 5 в местах расположения перемычек и свободна от никеля в местах расположения 15 отверстий будущего трафарета (д). Поэтому при последующем травлении опорной пластины 1 в травящем растворе, не действующем на никель, формируются сквозные отвер стия 6 (е). В силу изотропии травления 20 сравнительно толстой опорной пластины 1 отверстия 6 имеют в сечении форму песочных часов, и участки 7 никелевых слоев нависают над отверстиями. При заполнении трафарета ферритовыми сердечниками тонкие никелевые слои на участках нависания 7 разрушаются и размеры ориентирующих отверстий трафарета определяются уже размерами отверстий в опорной пластине 1 из...

Номер патента: 938314

Опубликовано: 23.06.1982

Автор: Беккер

МПК: G11C 5/02

Метки: запоминающей, матрице, ориентации, сердечников, трафарет, ферритовых

...повышение степени заполнения отверстий трафарета сердечниками. Поставленная цель достигается тем,что трафарет, выполненный в виде пласти 35ны со сквозными отверстиями, расположенными в соответствии с топологиейсердечников в матрице, состоит из пластины, выполненной из светочувствитель 40ного материала, например толщиной0,5 Р ( и ( 0,9 П, при этом обеспечивается получение сквозных отверстий прямоугольной формы и длиной 0, превышающей диаметр ц сердечника, при толщине Ъ, больше равной радиусу сераечни 45ка. В предложенной конструкции трафарета сердечники не крепятся к трафарету, так,как 3 ) 3 , что полностью устраняет образование механических напряжений между сердечником и трафаретом.Увеличепие тошцины пластины трафарета от п - 0,5 Р до Ъ...

Номер патента: 942127

Опубликовано: 07.07.1982

Авторы: Беккер, Петухов, Якушенко

МПК: G11C 5/02

Метки: ориентации, сердечников, трафарете, ферритовых

...2 камеру. 3, ферритовые сердечники 4, трафарет 5, пазы 6. В камеруустанавливают трафарет 5 с пазами 6,при этом на одной из его сторон наклеена липкая лента. Насыпают ферритовые 25сердечники 4 на трафарет 5 и создаютс помощью катушек,1 и 2 магнитныеполя, силовые линии которых направленыво взаимно перпендикулярном направлении.Импульсы магнитного поля, силовые линии которого направлены перпендикулярноповерхности трафарета 5, должны бытьоднополярны, чтобы под действием поляферритовые сердечники устремлялисьвверх, а падали под действием силы тя 35жести, импульсы магнитного поля, силовые линии которого направлены параллельно поверхности трафарета 5, должны чередоваться по полярности, так как поддействием этого поля ферритовые сердечники не...

Номер патента: 942128

Опубликовано: 07.07.1982

Авторы: Думчюс, Рагульскис, Судинтас, Тарутис, Федаравичюс, Чепулкаускас

МПК: G11C 5/02

Метки: ориентации, сердечников, ферритовых

...11 ВМ. М., Советское рацио",1976, с, 99 (прототип). 3 9421. этом на первом цержателе расположенвторой двигатель, соединенный с оцнимконцом оси, другой конец которой соединен со вторым держателем первый ивторой двигатели соединены с соответст-.вующими выходами блока управления, авибратор выполнен в вице дискретныхпьезокерамических возбудителей,На фиг. 1 дано устройство, общий вид;.тель 9, ведущий вал 10 двигателя 9, ос-,нование 11, электромагниты 12, пьезокерамические возбудители 13, блок 14управления.Устройство работает следующим об- Оразом.Предварительно на цно камеры 1 устанавливают пьезокерамические возбуцители 13, сверху которых размещаетсятрафарет с пазами 3 и прижимается крышкой 2,и через отверстия в крышке 2 заполняется...

Номер патента: 943842

Опубликовано: 15.07.1982

Авторы: Герд, Диетер, Хеинц

МПК: G11C 5/02

Метки: перфорированных, шаблонов

...шаблонов и схемы осуществления способа, при котором расположенные друг над другом пластиныфольги под влиянием давления,обусловленного технологией примене ния, не подвергаются более различной степени коробления и,кроме того,обладают высокой механической прочностью,Ссгласно изобретению эта задачарешается тем, что перфорированныепластины фольги по окончании процесса очистки с помощью хорошо смачивающей и обладающей незначительной вязкостью клейковины и остатки клея,имеющиеся в перфорации, удаляютсяна стадии затвердевания с помощью сжатого воздуха либо растворителя вструе сжатого воздуха или тем, чтодля склеивания друг с другом отдель-.ных слоев фольги применяются легкоплав-,кие клеи, и остатки клея, возможноимеющиеся в перфорации,...

Номер патента: 951387

Опубликовано: 15.08.1982

Авторы: Василенко, Мягконосов, Чистяков

МПК: G11C 5/02

Метки: запоминающей, матрицы, сердечниках, ферритовых

...отверстия 3, при этом кольцевые углубления-пазы 2 выполняются глубиноюравной высоте ферритовых .сердечников,4 устанавливаемых в эти пазы 2(Фиг. 2). Затем на обе поверхности щплаты 1 наносят слой 5 изолирующегоматериала, например, сухого пленочного фоторезиста (Фиг. 3),Эта операция может быть выполнена, например, накатыванием слоя 5 сухого пленочного фоторезиста толщиною10-20 мкм сначала на одну, а затемна противоположную поверхность платы1, Для этого плату 1 нагревают до 6080 С. При этом в первую очередь слой зоФоторезиста формируют на поверхностиплаты 1 с выступающими над ней илицастично утопленными ферритовыми сердечниками 4. Далее плату 1 экспонируют через соответствующие фотошаблоны с изображением рисунка обмоток ипроявлением...