Способ изготовления накопителя дляферритовых запоминающих блоков иустройство для его осуществления

Союз Советских Соцналнстических Республик(51)М. К . 0 11 С 5/О С ПРИСОЕДИНЕНИЕМ ЗаЯВКИ Нов(23) Приоритет Государственный комитет СССР но делам изобретений и открытий(54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ НАКОПИТЕЛЯ ДЛЯ ФЕРРИТОВЫХЗАПОМИНАЮЩИХ БЛОКОВ И УСТРОИСТВО ДЛЯ ЕГО ОСУШЕСТВЛЕНИЯ Изобретение относится к конструкциям запоминающих устройств и способу их изготовления.Известны платы с Ферритовыми сердечниками, выполненными в виде керамической платы с отверстиями, в которых установлены ферритовые тороиды. Между тороидами, выполненными, например, в виде ферритовых слоев, и керамической платой расположены переходные слои 11.,Недостатками данных плат являются: а) высокое тепловое сопротивление переходного аллоя;б) переходный слой увеличивает 15 коэрцитивную силу тороидального сердечника, что неизбежно приводит к увеличению перемагничивающих токов, т. е. к увеличению потребляемой мощности запоминающего устройства; 20в) с уменьшением эффективной толщины тороидального сердечника увеличивается роль переходного слоя в возрастании коэрцитивной силы, что ограничивает миниатюризацию к повышению быстродействия.Наиболее близким по технической сущности к предлагаемому способу изготовления плат является способ изготовления матрицы магнитной памяти,заключающийся в том, что из керамического материала изготавливают пластины, толщина которых должна соответствовать требуемой высоте тороидов. В этой пластине делают отверстия, диаметры которых соответствуют наружному диа:етру тороида. Затем керамическук. пластину помещают на Ферритовую пластину, состав которой должен соответствовать составу с требуемыми характеристиками для тороидов и устанавливают в камеру для проведения химических транспортных реакций. После проведения реекций внутренняя поверхность отверстий в керамической пластине покрывается слоем феррита. Одновременно покрывается ферритовым слоем часть поверхности керамической пластины, обращенная к Аерритовой пластине, Этот слой удаляют шлиФованием Я .Недостатком этого Способа является то, что высокотемпературный процесс химической транспортной реакции сложен и плохо поддается автоматиза-. ции, что приводит к частому нарушению химического состава феррита. Другим недостатком является невозможность равномерного нанесения тонкого слоя меррита и возникновение микротре;чин, 815768то снижает быстродействие запоминающих элементов.Цель изобретения - повышение надежности плат с Ферритовыми сердечниками и повышение инФормационной емкости накопителя.Цель изобретения достигается тем,что подложку пластины памяти для запоминающе о устройства выполняют изстекла, например, натриевоборосиликатного, Путем химической обработкиподложки внутри отверстий, просверленных ультразвуком на ее поверхности,образукт пористые слои, в которыхФормируют микросердечники, пропитывая пористые слои магнитным материалом, производят термическую обработку 15подложки, шлиФуют ее с обоих сторони на поверхности подложки наносятпечатные проводники,На Фиг. 1 представлена плата с Ферритовыми сердечниками для запоминаю- Щщих матриц; на Фиг, 2 - последовательность обработки пластины.Плата с Ферритовыми сердечникамидля запоминающих матриц выполнена изстекла 1 с отверстиями 2, внутри которых образованы в пористых слояхмикросердечники 3,Изготовление платы предлагаемойконструкции осуществляют следующимобразом.В плате из стекла, например, нат -риевоборосиликатного, в котором прихимической обработке некоторая частьего (не менее 25 и не более 75 Ъ пообъему) переходит в раствор, просверливают ультразвуком отверстия, Затем пластину опускают в растворитель,чтобы со стороны цилиндрической поверхности отверстия образовался пористый слой (Фиг, 2 б), После промывки и сушки платы, пористые слои пропитывают растворами металлическихсоединений. После этого плату сушати ее поверхность подвергают химической обработке, в результате которойв порах образуются осадки, содержащие металлы ,Фиг. 2 в), Далее платупромывают, подвергают термическойобработке и механической шлифовке(Фиг, 2 г), В заключение наносятсяпечатные провоцники, чем и завершается процесс изготовления платы(Фиг. 2,ц),Далее приводится пример конструктивного исполнения платы и способ ееизготовления. В подложке толщиной1 мм из натриевоборосиликатного стекла марки ДВМ ультразвуком с помощью пуансона просверливают отверстия.Поверхность платы подвергают химической обработке путем погружения ее враствор 0,25 Ъ соляной кислоты при Якомнатной температуре, При этом вокруг отверстий образуется пористыйслой, состоящий иэ аморйнэго 5 Отолщиной 60 мкм. Плата промывается в дистиллированной воде и сушится при температуре около 70 цС для. удаления влаги из пор. Затем плату опускают в раствор хлорного железа .ГеС 8 комнатной .емпературы (270 г РеСГ на 1 л раствора). Пропитанную раствором хлорного железа плату помешают в раствор аммиака ЯН 4 ОН при температуре примерно 23 С, При этом в порах происходит реакцияГеСЯ +ЗНН 4 ОН . Ге(ОН)8 + ЗНН 4 СВГидроксид железа,Ге(ОН) в видеосадка задерживается в порах, а легкорастворимая соль МН СВ вымывается.Путем нагревания плата при температуре около 350 ОС гидроксид железаГе(ОН) переводят в оксид железаГе 03, После прокаливания Ге Оз становится нерастворимым в кислотах, чтопозволяет повторить цикл обработкиплаты несколько раз до более полного,заполнения пор, Затем плату шлиФуютс обеих сторон и на ее поверхностьнаносят печатные проводники путемхимического осаждения меди с даль -нейшим гальваническим ее наращиванием,Предлагаемая пластина памяти испособ ее изготовления позволяют повысить быстродействие магнитных запоминающих элементов примерно на 20.Формула изобретения1. Способ изготовления накопителядля Ферритовых запоминающих блоков,заключающийся в выполнении отверстийв немагнитной подложке, о т л ич а ю щ и й с я тем, что, с цельюповышения надежности накопителя, поверхность отверстий разрушают до образования пористых слоев, пропитываютих магнитным материалом, термообрабатывают подложку, шлифуют с обеих сторон и на ее поверхности наносят пе -чатные проводники.2, Устройство для осуществленияспособа изготовления накопителя дляферритовых запоминающих блоков памяти, соцержащее подлокку с отверстиями, о т л и ч а ю щ е е с я тем,что, с целью повышения инФормационной емкости накопителя, на поверхность отверстий нанесен магнитныйматериал, а на обе поверхности подложки - печатные проводники, приэтом, подложка выполнеча из стекла,например, натриевоборосиликатного,Источники информации,принятые во внимание при экспертизе1. Авторское свидетельство СССРР 216800, кл. 6 11 С 5/02, 1968,2, Авторское свидетельство СССРР 208840, кл, С 11 С 5/02, 1968815768 Составитель б. РозентальЛ. Кеви Техред М.Табакович КорректорА. Грипенк еда аказ 1044/8 Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектн Тираж б 45 Подписи ВНИИПИ Государственного комитетпо делам изобретений и откры 3035, Москва, Ж, Раушская наб СССРий д. 4/