G11C 5/02 — размещение элементов памяти, например в форме матриц
Способ изготовления диодной матрицы
Номер патента: 399914
Опубликовано: 01.01.1973
Автор: Чубов
МПК: G11C 11/36, G11C 5/02
...ацалогичцо указаццому ыше. При этом образуется устройство, показанное ца чертеже.На чертеже приняты следующие обозцачеция: титацовые полоски 1 - 4 и оксцдироац.цые медные полоски 5, 6.Полученное устройство скрепляют л к) бы ч цзизвестцых способов ц формуот поочсрсдцым 5 пропусканием постоянного токацротцоположных иаиралециях, Напряжеццс формо ки 10 - -15 в; оптимальная плогцость г)11 0,8 - 1 а/см, продолжительность 10 )2 чиц.Образоваццыеказанным спосооом тзл;1 х О решетки ве 11 гильцые элемс 1)гылад 1)р зковыраженной асимметрией вольт-ампсрцоц .арактерис ики. Кратцость прямых и обрг) гцгх т 01 ОВ при цеоольцПх гапр 51 жеццях д)сПг 11 десятков тысяч.5 Оригинальным свойством узлового эг Псаявляется способность резко увеличиаь )-...
Устройство памяти
Номер патента: 399915
Опубликовано: 01.01.1973
МПК: G11C 17/00, G11C 5/02
Метки: памяти
...операцию замены карт при смене информации. является повышение пав работе.М, ЧТО В УСТРойСТВО 13 ВС. ных разъемных П-образбмотками, подключенными к блок 1 з Выборки, 11 пс"12 тн ка)кдой карь Вьполнснь 1 зазк рез дополнительный сердечник н ко один печатный проводник.5 На чертеже схлЯтпчсскн нзо ройство пам)пн на 1 пб)кнх кар) двснадца гпразр 51:Пых слова. Пос 05)нное:Яном)Паюнсс устройство нагнб:,3 х к:)ртх 000 ОП Из па,Ста гиокх Ярт 1, на коорые ннесси,1. псчатньс проьч)дшки 2. В ) 11)срстн 51, нроб 13 тыс в пакете гибких карт, Встя 1)лены разряди)ц 8 н доп)1 Ппгсл- ныс 4 разъемные П-образныс фсрр)попые ссрдечн 31, Печатнын провод ПЯ г 13 б 1.Он 1,арте ООХВЯ ГЫВЯСГ ТОЛЬКО ОДНИ ДОПОЛНПТС,1 ЬНЫЙ СЕР ДСЧННК, СООТ 1)ЕГСГ 13 УОП 1 НЙ Д 2 ННОМУ...
Всесоюзная gt; amp; патентно teljikmecia” библртска
Номер патента: 363118
Опубликовано: 01.01.1973
МПК: G11C 17/02, G11C 5/02
Метки: teljikmecia, библртска, всесоюзная, патентно
...на ту же сторону кодовой подложки, где расположены выводы кодовых проводников, Кодовые подложки укладывают на монтажную плату накопителя ПЗУодна на другую. Одноименные выводы всех20 кодовых подложек соединены в одних точках,а диодные подложки установлены в специальные держатели. При необходимости заменыхранимой информации диодные подложки освобождаются, а кодовые раскрываются, как25 страницы книги, обеспечивая свободный доступ к точкам контактирования.Кодовую подложку заменяют вместе с диодной.На фиг. 1 изображен предлагаемый накопиЗО тель ПЗУ в раскрытом виде; на фиг. 2 - тоже, разрез около рабочего элемента запоминающего трансформатора.Устройство содержит кодовые 1 и диодные 2 подложки, магазин 3 диодных подложек, резъем 4, монтажную...
Запоминающее устройство
Номер патента: 371611
Опубликовано: 01.01.1973
МПК: G11C 5/02
Метки: запоминающее
...работы из-за трудности визуальной установки кассеты в заданное положение.Предложенное устройство отличается тем, что в его рамке и взаимно, перпендикулярных направляющих выполнено сквозное отверстие, в котором расположен растровый датчик.Это позволяет повысить точность работы устройства.На чертеже показана конструктивная схема устройства.Оно состоит из рамки 1 с размещенной в ней информационной кассетой 2, и направляющих 3, перпендикулярных направляющим 4, Каждая направляющая имеет регулировочный винт б, В рамке 1 и взаимно перпендикулярных направляющих 3 и 4 выполнено сквозное отверстие б, в котором установлен растровый датчик, включающий в себя укрепленный в рамке источник 7 света и закрепленный в направляющих 3 фотодиод 8.5...
Тепловой блок вакуумной установки для нагревания подложек в кассетах
Номер патента: 371612
Опубликовано: 01.01.1973
МПК: G11C 5/02
Метки: блок, вакуумной, кассетах, нагревания, подложек, тепловой, установки
...и качество пленок. Кроме того, к сиикению производительности приводит и непроизводительная затрата времени на самопроизвольное Остывание теплового блока.Цель изобретения - улучшение качества подлокек.;:5 о достигается тем, что тепловой блок содс 1 кцт систему принудите чьцого Охлакдсцц 5 в виде трубок, встроенную в боковые стенси полого параллелепипеда.На чертеже покаазна конструктивная схема вакуумной установки с предлагаемым теп.5 овым блоком.Она состоит из вакуут 5 той камеры 1, испарптелей 2, теплового блока 3 с нагревателем 4, кассетами б для крепления подложек и системой б принудительного охлаждения в виде трубок, встроенной в боковые стенки, кассетоприсмццка 7, катушек 8 Гельмгольца и аппаратурь 9 дл 5 контроля параметров...
Способ прошивки замкнутых сердечников
Номер патента: 375674
Опубликовано: 01.01.1973
МПК: G11C 5/02
Метки: замкнутых, прошивки, сердечников
...прошиваюшивки у окЧерез обт ток, проз окно серму. Привод сердечника, ючает ток в од подводит , подлежа 5 я повышен женно м спосо ечников, и пр сердечников, в матриц заый на протячерез серс целью по Спосо наприм помина гивании дечник,прош феррг щих ус проши отлича ивки товых тройс вающ юиийс амкнутых сердечнико в, основанн го элемент я тем, что,Изобретение может быть использовано при изготовлении матриц запоминающих устройств, в частности матриц постоянных запоминающих устройств трансформаторного типа.Известны способы прошивкисердечников. например при изготовриц запоминающих устройств.Прошивку производят проводом путем вращения сердечников вокруг осей, параллельных осям сердечников, на определенные углы до совмещения окон сердечников с...
Матрица запоминающего устройства
Номер патента: 377878
Опубликовано: 01.01.1973
Автор: Авторы
МПК: G11C 11/14, G11C 5/02
Метки: запоминающего, матрица, устройства
...металлические (диэлектрические) подслои, используемые для сглаживания неровностей поверхностей подложки; 4 - дискретные магнитные пленки; 5 - сплошная магнитная пленка; б и 7 - соответственно разрядные и адресные полосковые линии выборки; 8 и 9 - диэлектрические изоляционные слои.В предлагаемой матрице элемент с замкнутой магнитной системой образован дискретной магнитной пленкой 4, расположенной на одной поверхности подложки, участком сплошной магнитной пленки 5 на другой поверхности подложки, адресным 6 и разрядным 7 проводниками. Форма и размеры участка сплошной магнитной пленки, входящего в состав запоминающего элемента в предлагаемой матрице, определяются конфигурацией поля адресной полосковой линии выборки и поля рассеяния...
377879
Номер патента: 377879
Опубликовано: 01.01.1973
Авторы: Гинцев, Рудковский
МПК: G11C 11/14, G11C 5/02
Метки: 377879
...1473 Тираж 576 ПодписноеЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРМосква, Ж, Раушская наб., д. 4/о Типография, пр. Сапунова, 2 другой группы характеристик матриц. Так, например, повышение порогового тока разрушения информации сопровождается нежелательными явлениями увеличения порогового тока записи информации, тока насыщения намагниченности пленочных элементов в трудном направлении, а также уменьшением амплитуды сигнала перемагничивания, Естественно, эти явления не могут не отразиться на технических характеристиках накопителя и запоминающего устройства в целом. Происходят они в основном из-за того, что осаждение и термомагнитная обработка немагнитных слоев осуществляется при температуре, превышающей...
Устройство для прошивки тороидальныхсердечниковфшд
Номер патента: 429464
Опубликовано: 25.05.1974
Авторы: Гасилов, Кузнецов, Пензенский, Пугонин, Степанов
МПК: G11C 5/02
Метки: прошивки, тороидальныхсердечниковфшд
...вы полнен так, что кулиса останавливается вдвух крайних положениях. При качании кулисы 3 водило 4, связанное с нсй шарнирно, совершает по направляощим качения относительно корпуса 5 возвратно-поступательное 25 движение. Вместе с водилом перемещаютсязакрепленные на нем призмы 6 и 7 и зубчатые рейки 8.В тот момент, когда вь тнажимая на ролик, отклон в 30 ную шарнирно с водпломзубчатые рейки 8 и зубчатые колеса 9 закручивает пружины возврата 10,,При этом скос призмы 7 освобождает выступ кулачка 15, который связан устройством разжима с кулачком 14, Кулачки 14 и 15, поворачиваясь пружиной 22 вокруг оси 11 вправо, вводят иглу 16 с проводом через прошиваемый ферритовый сердечник в паз, образованный второй парой кулачков 12 и 13. При...
Рамка для накопителя запоминающегоустройства
Номер патента: 434478
Опубликовано: 30.06.1974
Автор: Шипов
МПК: G11C 5/02
Метки: запоминающегоустройства, накопителя, рамка
...листового элект инакса, с контактами, вып й проволоки или листовог Изготовление таких рамок требует сложного технологического процесса, при этом прочность рамок получается низкая, а расстояние между соседними контактами основания рамки не может быть уменьшено более чем до 0,6 мм.Цель изобретения - повышение прочности и увеличение плотности расположения контактных площадок рамки для накопителя запоминающего устройства.Это достигается тем, что на основании рамки закрепляются керамические колодки с металлизированными пазами или выступами. из керамических колодок 1 сными пазами 2, закрепленныхоснования 3,Керамические колодки предединую систему, несущую напериметру ферритовый ковер.Металлизация керамической пластины осу ществляется путем...
Матрица для запоминающего устройства
Номер патента: 452852
Опубликовано: 05.12.1974
МПК: G11C 5/02
Метки: запоминающего, матрица, устройства
...выполнены двумя с расстоянием между прямым и проводом, равным половине выс дечника.На фиг. 1 изображена матрица для ЗУ на сердечниках с диаметральными отверстиями; на фиг. 2 - расположение эле ментов на обмотках матрицы.Матрица состоит из рамки с контакта ми 2,3 для распайки обмоток. Сердечни ки 4 расположены.в кассете в два слоя би 6,Выходная обмотка содержит прямой 7 и обратный 8 провода, обмотке опроса- прямой 9 и обратный 10 проводСердечники в определенном положениификсируются и удерживаются проводамиобмоток. Прямой провод удерживается изо.ляционными трубками 11,Прямой и обратный провода обмоткиопроса расположены на минимально возможном расстоянии (в данном случае равном половине высоты сердечника).Матрица такой конструкции...
Матрица для запоминающего устройства
Номер патента: 452853
Опубликовано: 05.12.1974
Автор: Буркин
МПК: G11C 5/02
Метки: запоминающего, матрица, устройства
...координатных и разрядных шин, а диэлектрическая рамка с гибкими шлейфами закреп- лена на экранной пластине планками.Это позволяет в несколько раз сократить число паек, что значительно упрощает технологию изготовления и повышает надежность матрицы.На чертеже изображена матрица в двух проекциях.Матрица памяти состоит из прошитых координатными 1 и разрядными 2 шинами ферритовых запоминающих элементов 3, Параллельно плоскости прошитых элементов 3 расположена металлическая экранная пластина 4, по краям которой размещены гребенки 5 фиксации шин 1, а за ни ми по контуру диэлектрическая рамка 6 матрицы с выводом 7 шин 1, Рамка 6матрицы выполнена из пленки пластификата, внутри которой заармированы продолжения 8 проводников шин 1. При этом...
Дозатор для тороидальных ферритовых сердечников
Номер патента: 462215
Опубликовано: 28.02.1975
Авторы: Гродзенский, Гуральник, Логинов, Фурлетов, Циолковская, Ярославцев
МПК: G11C 5/02
Метки: дозатор, сердечников, тороидальных, ферритовых
...ферритовых сердечников, нанизанных на проводник, применяют скобу-дозатор с параллельными губками, одна губка которой служит упором, а другая отделяет столбец, содержацпй определенное количество сердечников. Для раскладки сердечников в матрице памяти используют катушку с винговым желобом, на которуо наматывают проводник с отдсленными столбцами сердечников, Поворачивая ка тушку, лроводник со столбцамп сматывают с нее и переносят на рамку матрицы памяти.На дозировку сердечников скобой-дозатором, намотку проводников со столбцами на катушку с винтовым желобом и перенос его 2 при помощи катушки на рамку матрицы затрачивают много, времени.Цель изобретения - расширение области применения дозатора.Это достигается тем, гго скоба закреплена 25 в...
Матрица для запоминающего устройства
Номер патента: 466541
Опубликовано: 05.04.1975
Авторы: Волков, Гродзенский
МПК: G11C 5/02
Метки: запоминающего, матрица, устройства
...стержня.На фиг. 3 - сечение АА матрицы (фиг, 2)вдоль адресной обмотки,Матрица ЗУ содержит магнитопленочный20 стержень 1, который расположен в канавке2 металлической подложки 3. Вокруг подложки 3 намотаны адресные обмотки 4, расположенные в углублениях 5. Кипер 6 выполнен,например, в виде прямоугольных стержней25 шириной, равной ширине канавки 2, и длиной,равной ее длине. Кипер имеет поперечные выемы 7, предназначенные для прохождения адресных обмоток 4 между ним и стержнем 1,Кипер 6 установлен в канавке 2 по отноше 30 нию к стержню 1 так, что выступы 8 плотноприлегают к стержню 1 и заполняют промежутки между адресными обмотками 4 высоко. проницаемым магнитным материалом.При прохождении адресного импульса тока участок магнитной...
Устройство для прошивки матриц на ферритовых сердечниках
Номер патента: 469988
Опубликовано: 05.05.1975
Автор: Соболев
МПК: G11C 5/02
Метки: матриц, прошивки, сердечниках, ферритовых
...друг на О друга пластины 2 и 3 с пазами 4 для ферритовых сердечников 5. На соприкасающихся поверхностях пластин выполнены канавки 6 для проводников прошивки 7, Канавки для проводников одного направления прошивки 5 размещены на одной пластине, а канавки дляпроводников другого направления прошивки - на другой пластине. Пазы под ферритовые сердечники на пластинах размещены по рядам и столбцам в форме параллелограмма. О Пластины установлены на основании устройства внутри каркаса 8, выполненного в виде шарнирного параллелограмма, одна сторона которого закреплена на основании неподвижно. На неподвижной стороне 9 параллелограм ма и на стороне, противоположной ей, шарнирно установлены элементы фиксации 10 для прижима концов проводников...
Рамка для запоминающейся матрицы
Номер патента: 473210
Опубликовано: 05.06.1975
Автор: Соболев
МПК: G11C 5/02
Метки: запоминающейся, матрицы, рамка
Способ изготовления матриц запоминающего устройство зу на цилиндрических магнитных пленках
Номер патента: 474842
Опубликовано: 25.06.1975
Авторы: Гродзенский, Гуральник, Циолковская
МПК: G11C 5/02
Метки: запоминающего, магнитных, матриц, пленках, цилиндрических
...1 иводпт,к боль шому проценту брака при изготозле риц ЗУ и сжижению надежносви ее рЦель изобретения - ,повышение изготовления матрицы ЗУ. Это до тем, что проводник прокладывает п к технолотическпм струнам, Бди кото на проводника в зеве з момент его разна длине,развертки голувитка обмотки, после чего закрывают зе водя при этом последовательное фо проводника, сформованный проводя мещают к адресным обмоткам при зеве. На фиг. 1 изображено положение проводника,в момент закрытия зеза;,на фиг. 2 - разрез по А - А на фиг. 1 (последовательное формование проводника в процессе закрытия зева).На ткацком станке в качестве основы натягивают технологические струны 1. При помощи ремизок (на чертеже не паказаны) раздвитают струны для образования зева....
Способ получения ферритовой заготовки в виде непрерывной ленты
Номер патента: 480109
Опубликовано: 05.08.1975
Авторы: Самородова, Соловьев
МПК: G11C 5/02
Метки: виде, заготовки, ленты, непрерывной, ферритовой
...от 3 до 5% от веса порошка, до образования гранул, засыпают гранулированный порошок в дозирующее устройство и равномерно подают его на вращающиеся валки.Сущность предложенного способа заключается в следующем. Ферритовый порошок тщательно перемешивают со связкой до получения гранул. 11 олученный гранулированный порошок засыпают в дозирующее устройство, через которое он равномерно поступает на вращающиеся валки. Попадая в пространство между валками, ферритовые гранулы спрессовываются и прокатываются в ленту, длина которой определяется количеством порошка, а плотность ленты зависит от угла захвата, определяемого диаметром прокатных валков.После многократного прокатывания с одновременным контролем толщины и уменьшением зазора...
Интегральная матрица для запоминающего устройства
Номер патента: 481940
Опубликовано: 25.08.1975
Авторы: Глориозов, Рыбкин, Сыпчук, Трубочкина
МПК: G11C 11/34, G11C 5/02
Метки: запоминающего, интегральная, матрица, устройства
...в логических вентилях, например, типа ТТЛ - элементах,имеюших два логических состояния: логический ноль и логическую единицу.На фиг. 1 изображена матрица логических вентилей; на фиг. 2 дан пример интегральной схемы логического вентилятипа ТТЛ,Интегральная схема 1 вентиля (изоб-.ражена условно), имеет выход-металлизнрованная плошадка 2 межслойного перехода, и вход - металлизированные плошадки 3 межслойных переходов. К интегральной схеме 1 вентиля через область 4подсоединена шина 5 нулевого потенциала, через область 6 - шина 7 питания,Кроме логических вентилей, хрдняшихинформацию, в матрице имеются шинынулевого потенциала и питания. Дляуменьшения количества слоев ИС запоминающего устройства шины нулевого потенциала и питания...
Контактная колодка для распайки выводов кодового жгута постоянного запоминающего устройства трансформаторного типа
Номер патента: 488253
Опубликовано: 15.10.1975
Авторы: Болотов, Синев-Баранов, Якунин
МПК: G11C 5/02
Метки: выводов, жгута, запоминающего, кодового, колодка, контактная, постоянного, распайки, типа, трансформаторного, устройства
...проивочных проводов присоединен вывод диода.5 Целью предлагаемого изобретения являетсяповышение надежности изготовления колодки.Поставленная цель достигается тем, что диэлектрическая пластина выполнена с двумя выступами, верхние части которых снабжены 0 зубьями, расположенными с обеих сторон выступов под углом к ним и параллельно друг другу, а расстояние между зубьями равно шагу лепестков.Контактная кол айки выводов 5 кодового жгута помина ющегоустройства транс типа изображена на чертеже.Диэлектрическая пластина 1 снабжена двумя выступами 2, образующими пазы 3, верх няя часть выступов снабжена зубьями 4, 5,расположенными с обеих сторон выступов под углом к ним и параллельно друг другу. Расстояние между зубьями соответствуют шагу...
Способ изготовления матриц запоминающих устройств на цилиндрических магнитных пленках
Номер патента: 489153
Опубликовано: 25.10.1975
Авторы: Аверин, Касаткин, Кондратьев, Кошель, Умов, Филимонов
МПК: G11C 5/02
Метки: запоминающих, магнитных, матриц, пленках, устройств, цилиндрических
...подуглом к проводу в интервале от 0 до 90 .оВ качестве основы используется лескаили технологические струны, Каждыйсформованный провод полувитка обмоткисдвигают и положение, перпендикулярноек направлению основы, обеспечивая этимзазор между элементами основы и проводами, и перемещают его эа прижимы, чтоизолирует его от зоны образования зева.Таким образом, ликвидируют натяжение ивытягивание проводов, устраняют прогибыи непараллельность основы, что облегчаетизвлечение ее из пакета обмоток и замену магнитными стержнями.В процессе плетения концы числовых,и экранируюших обмоток, не отрезая, разводят в противоположные стороны и последовательно фиксируют на держателях,что позволяет легко находить концы прираспайке.Все это обеспечивает...
Способ послойной прошивки накопителя на ферритовых сердечниках
Номер патента: 490176
Опубликовано: 30.10.1975
МПК: G11C 5/02
Метки: накопителя, послойной, прошивки, сердечниках, ферритовых
...предлагаемым способом следующая.Сердечники ориентируют и закрепляют прзСр, на липкой основе) на поле прош накопителя.Иглами из ферромагнитного материала, и одним концам которых прикреплены шины прошивки одной из координат, прошивают ряды сердечников.Иглы пз сердечников нс вынимаются, т. е. шины первого слоя находятся пока внс пол сердечников, По всей плоскости поля прошив.и псрпспд:1 кулярпо к псму подают неоднородное магнитное п 0,1 с таким ооразом, фсрроз 1 агпитп 11 с иглы по всей длине прижимаются к пизу (плп верку) отверстий сердсчниког. В освободившуюся часть отверстий сердечников производят прошивку проводов в 10 рого слоя. Прп зтом прошивка Осуществляется или непосредственно шинами, плп на пх концах закрспле 1 пыз 1 и пгламп...
Устройство для образования зева в запоминающих матрицах
Номер патента: 495705
Опубликовано: 15.12.1975
МПК: G11C 5/02
Метки: запоминающих, зева, матрицах, образования
...1 цихцпс диск11 ц и чещеся25 сти рабодвижцысные в павообразу ци 51 ЗОВа В 311 помиащее зевообразуюалом, кот 01 ый со.- одом, о т л и ч а юповышения точно содержит цеиозастицы, соединеного размещены зестВО,1 л 51 ООРазОГа матрицах, содерж и, соединенные с в рез муфту с ирив тем, что, с целью ты устройства, о 1направляющие п. кет, в пазах котор ющие лиски,Изобретение относится к области устройств д,151 Об)заЗОВапи 5:сна и мозкет Оыть использовано цри изготовлении матриц запоминающих устройств.Известно устройство для образования зева ири изготовлении матриц запоминающих устройств, содержащее зевообразующие диски, сос:1 ицсицые с валом, который соединен чсрс: муфту с приводом.11 сдостатком указанного устройства является изкая точность...
Механизм прибоя обмоточного провода станков для плетения матриц
Номер патента: 502394
Опубликовано: 05.02.1976
МПК: G11C 5/02
Метки: матриц, механизм, обмоточного, плетения, прибоя, провода, станков
...валу 14набраны Т-образные рычаги 15 с пружинными стержнями 16. Рычаги 15 плечами 17 подпружинены к профилированному барабану 6 при помощи пружин 18, связанных с основа нием 1 скобами 19. На основании 1 установлена гребенка 20.Механизм прибоя обмоточного провода работает следующим образом.Основу 21 с натяжного устройства 22 про пускают через механизмы зевообразования23, управляемый упор 24 и крепят на механизме подачи 25. После включения привода 2 вращение передается на валик 5. Рычаги 15 с закрепленными на них стержнями 16 по стоянно поджаты к барабану 6 через плечи17 и пружины 18, При этом стержни 16 расположены между пластинами 26 гребенки 20 с возможностью качательного движения на валу 14. Обмоточный провод 2 при помощи 30...
Матричный накопитель
Номер патента: 506060
Опубликовано: 05.03.1976
МПК: G11C 11/40, G11C 5/02
Метки: матричный, накопитель
...Х, закрыты, так как напряжение эмиттер-база равно нулю, Остальные транзисторы закры-ты, так как напряжение эмиттер-база больше нуля.При работе с ЗЭ на основе аморфных полупроводников различают три режима: стирание, запись и считывание, Эти три реО жим а отличаются длительностью импульсов тока через ЗЭ и их амплитудой. Обнуление ячеек памяти осуществляется в режиме стирания.В предлагаемом накопителе этот режим осуществляется следующим образом. Выбирается число, на разрядные выводы подается импульс напряжения длительностью, соответствующей режиму стирания, на выбранную шину Х (и на невыбранные шкны У) подается напряжение, величина которого задает ток стирания. Разделительный элемент является здесь генератором тока для ЗЭ выбранной...
Устройство для набора кольцевыхферритовых сердечников в шаблоны
Номер патента: 369840
Опубликовано: 05.04.1976
МПК: G11C 5/02
Метки: кольцевыхферритовых, набора, сердечников, шаблоны
...ячеек оказывается перекрытой лежащими сердечниками и остается неэаполненора. т 15 ой. ожет быть использовано 51) М. Кл. 011 С 5/02 Н 05 К 13/Оромагчитов выполнены в виде пакета пластин из магнитомягкой электротехнической стали. Обмотка верхнего электромагнита подключена к токовому ключу 7. Три одновибратора 8, 9 и 10 включены по кольцевой схеме. 5 Выходы одновибраторов 8 и 10 подсоединены ко входам токовых ключей 7 и 11соответственно,Устройство работает следующим образом. 10В бункер, на дне которого установленшаблон, засыпают сердечники, закрываюткрышку и помещают в зазор между электромагнитами, Включаются одновибраторы,которые подают импульсы тока поочередно в катушки верхнего и нижнего электромагнитов. При подаче тока в...
Реверсивный дешифратор
Номер патента: 513493
Опубликовано: 05.05.1976
МПК: G11C 5/02, G11C 8/10, H03M 7/22 ...
Метки: дешифратор, реверсивный
...через нагрузки и диодную матрицуподключены к выходам формирователей тока, а начала обмоток записи подключены к выходам регист.ра адреса.Недостаток этих дешифраторов состоит в сложности выполнения.Цель изобретения - упрощение реверсивного дешифратора,Эта цель достигается тем, чо введен дополнительный регистр адреса, выходы которого подключенык дополнительным обмоткам записи переключателейтока, при этом концы обмоток считывания объединены и подключены к шине источника питания.Схема предложенного дешнфратора показана начертеже,Дешифратор содержит импульсные формировате(.ли токов записи 1 и считывания 2, выходы которыхчерез диодную матрицу 3 соединены с нагрузками,,например, шинами 4 накопителя 5. Свободные кон- Ь цы шин 4 соединены с...
Рамка для накопителей запоминающих устройств
Номер патента: 476824
Опубликовано: 05.08.1976
МПК: G11C 5/02
Метки: запоминающих, накопителей, рамка, устройств
...зазора на перемещение. з На чертеже показана конструкция йредложенно рамки.Планки 1 и 2, образующилены в углах шарнирами 3,жение рамки на время прошированное от прямоугольногов сгорону, соответствующуюжения сердечников в матрицпологической схемой,, Координатные провода с нанизаннымина них сердечниками раскрепляют к лепесткам планок, С помощью механизма прслшивки или вручную прошивают первую строку из первых нанизанных на провода сердечников в направлении одной координаты,перемешают прошитый ряд сердечников вдолькоординатных проводов под углом к этимпроводам и прикрепляют его к первым лепесткам планок 1 и симметрично ей. Приэтом просветы втверстиях сердечниковоткрыты значительно больше, чем при расположении сердечника под углом 45,...
Матрица для запоминающего устройства
Номер патента: 540295
Опубликовано: 25.12.1976
Авторы: Авсеев, Бобров, Милославов
МПК: G11C 5/02
Метки: запоминающего, матрица, устройства
...обоймы имеют щели 3, через которые проходят шины 8 считывания, что обеспечивает организацию рядов биаксов по разрядам и выдержку необходимого зазора между ними. Биаксы расположены в обойме с двух сторон и удерживаются в пазах обоймы при помощи шин прошивки.Перекрещивание шины считывания способствует компенсации дифференциальной помехи, наводимой в обмотке другими импульсными цепями и позволяет построить матрицу без применения подложек и рамок с контактами. Прошитая матрица распаивается непосредственно на печатной плате, на которой также установлены электронные элементы управления,Запись информации в матрицу осуществляется по методу записи ортогональными полями, для создания которых используются ортогонально расположенные шины опроса и...
Матрица памяти
Номер патента: 551693
Опубликовано: 25.03.1977
Автор: Кириллов
МПК: G11C 5/02
...выходных контактных колодок рас. положены в промежутках между входными отверстиямй указанных каналов, против которых между контактами выполнены сквозные проемы,На чертеже изображена предлагаемая мзтрица памяти,Матрица памяти содержит пакеты числовых обмоток с каналами 2, которые обхвачены этими числовыми облеэтками, В каждый канал помещается по два стержня 3 цилипдрнческих магнигных пленок с обычным изоляционным покрытне.;з. у которых концы с однсн стороны замкнуты между собой пайкой 4, а вторые концы, изогнуты для прилегания к лепесткам 5 контактной колодки 6 или для последовательного соединения пайками 7 с парами противолежащих стержней разных пакетов одной матрицы. Контактные лепестки 5 расположе. ны в промежутках между...