Кардащук

Номер патента: 1689991

Опубликовано: 07.11.1991

Авторы: Вешняков, Гавриленко, Кардащук, Мороз-Подворчан

МПК: G11C 19/28

Метки: буферное, запоминающее

...7 1-го разряда формируется отрицательный импульс (диаграмма О), которым переключаются в "1" 1-й триггер, и возвращается в "О" (1-1)-й, при этом дисды Шоттки, имеющие низкое напряжение прямого смещения (обычно 0,35-0,45 В), позволяют отвести заряд из баз п-р-и-транзисторов и препятствуют протеканию перекрестных токов в тиристорном триггере, что необходимо для достижения на выходе выключенного тиристора полного напряжения +5 В,Затем потенциал 1-й управляющей шины понижается, и с небольшой задержкойотключения возвращается в исходное состояние элемент 7 1-го разряда. Длительность формируемых импульсов ти вуправляющей и токовой шинах определяется, главным образом, величиной тзЕсли (+1)-й триггер установлен в "0", то после переключения...

Номер патента: 847372

Опубликовано: 15.07.1981

Авторы: Вешняков, Кардащук, Соломонов

МПК: G11C 19/00

Метки: регистр, сдвига

...содержит ячейки 1-3 памяти (на чертеже показаны только три ячейки памяти), триггеры 4 и 5, пер. .вый элемент И б, второй и третий элементы И 7 и 8, тактовые шины 9 и 10, выходы 11-13 ячеек памяти 1-3.Регистр сдвига функционирует следующим образом.Ксли в накопителе 14 заполнены, ст 1-ой до 6 -ой позиции, то триггеры 4 ячеек 2 и 3 памяти находятся в состоянии "1", а триггер 4 ячейки 1 памяти - в "0", то все триггеры 5 - также в "0". Управление . по тактовым шинам 9 и 1 О производится неперекрывающимися импульсами Ф,ифЗанесение новых данных осуществляется по импульсу Ф в тактовой шине 10, при этом маркерная "1" продвигается по регистру, а импульс сдвига появляется последовательно на выходе регистра. Когда по очередному импульсу...

Номер патента: 773728

Опубликовано: 23.10.1980

Авторы: Заброда, Кардащук, Лесничий, Максимчук, Мержвинский, Мороз-Подворчан

МПК: G11C 11/36, G11C 11/40, G11C 5/02 ...

Метки: матричный, накопитель

...образом.В режиме записи на шину 15 подают нулевой потенциал, а на шину 13положительный потенциал, например2-5 В, на одну иэ шин 10 и 14 подаюттоки выборки. В результате открываются транзисторы 9 и 11, соединенныес выбранными шинами, и подключаютодну из числовых шин 1 к общей шине 15.Остальные шины 1 остаются отключенными от общей шины 15, так какв цепочке транзисторов 9, 11 этихшин хотя бы один оказывается закрытым.На одну иэ шин 8 подают потенциал записи, а на остальные - нулевойпотенциал. При этом транзисторы 5,подключенные к выбранной числовойшине 1 переходят в режим насыщения,а остальные находятся в режиме отсечки. В соответствии с записываемойинформацией на выходные шины 6 пода-.ется ток записи или нулевой потенциал. В...

Номер патента: 767841

Опубликовано: 30.09.1980

Авторы: Кардащук, Карманов, Корсунский, Липилин

МПК: G11C 17/00

Метки: запоминающее, постоянное

...соответствующего данному состоянию. При поступлениина дешифратор по входу 15 строб-импульса чтения выбранный выход деширатора через открытый ключ подключается к источнику потенциала, аостальные выходы эаэемляются.Строб-импульс по входу 15 поступаеттакже на ключ 14, который подает навыход дополнительной диодной сборки 13 высокий потенциал, в результате чего все ее диоды смещаются в 10 рбратном направлении и практическине влияют на процесс считывания,протекающий так, как и в устройствепрототипе. С выбранного выхода де-,шиФратора 3 высокий потенциал пода ется на соответствующие выходныешины накопителя 1 через диоды, подключенные к выбранной входной шине.Время установкивысокого потенциала на выходных шинах определяется 2 О процессом...