Сапслькиков

Номер патента: 324651

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Московский, Сапслькиков, Старосельский

МПК: G11C 11/36

Метки: ганна, диодах, запоминающий, элемент

...в процессе ссздяиия коптя ктов яв,1 ястся цеконтро:Н 1)уем 11 х и иевосироизвОдимым процессом. В идстоящсс время отработана техносоздаии 51 Омиеских коцтяктов к арсгаллия, ири которой гороговое значениетричсского поля близко к тсоретичезиачсииО 3,3 кпс.ч. Такие диодь 1 имстотболинес отцошсиие максимальногок минимальному, однако оии ие могутистользоваиы для соз;1 дния описаицогомицдюп,его элемситд ввиЭ того, чтов таких диодах обрдзуегся цд участке вьа це вблизи катода. Следовательно, осцонедостатком прототипа являются жетреоовяния к хдряктсристи 1 се кятодногот акта диода.Заказ 246/16 Изд. М 1856 Тираж 448 Подписное ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Москва, гК, Раугнская наб., д, 4/5пр,...