Патентш4еш14еская библиотека i

Йоаа Совотсииа Социаиистическиа РоспублииЗависимое от авт. свидетельствааявлено 27 Л.1972 ( 1742315118-24) 11 с 11/4 с присоединением заявкиКомитет по дела ПриоритетОпубликовано 12.П 1.1973, Бюллетеньизаоретений и открыти ори Совете Министров 1 Д 77.022 (088.8) Дата о ия 24 Х.1973 икования описа Авторизобретения Э. Р,Ка Заявител нологический инстит ыбинскии вечернии авиат ПОМИНАЮЩ Й ЭЛЕМЕНТ В результате пр изобретения снижае мая в цепях управлНа чертеже изобр минающий элемент,Запоминающий эл триггерную ячейку, онных транзисторов и вспомогательных 5 стоками информаци менени ся мощ ,ния и вжен пр предлагаемого ость, рассеиваесамом элементе,длагаемый заподставляет собой ю из информациоминающих 3, 4нсаторов. Между нзисторов и обемент пр состоящу 1 и 2, за б конде онных трПредлагаемый запоминающий элемент может быть использован для построения оперативных запоминающих устройств ЭЦВМ.Известны запоминающие элементы, содержащие информационные и нагрузочные МДП- транзисторы, а также запоминающие элементы, в которых, с целью уменьшения рассеиваемой мощности, включены вспомогательные конденсаторы.Недостатком известных элементов хранения является необходимость использования восстанавливающего сигнала с повышенным напряжением.Целью изобретения является уменьшение напряжения восстанавливающего сигнала.В предлагаемом запоминающем элементе это достигается благодаря тому, что заряд запоминающих и разряд вспомогательных конденсаторов осуществляется при помощи диокладками вспомогательных конденсатороввключены заряжающие диоды 7 и 8, Вторыеобкладки вспомогательных конденсаторов подключены через вход 9 к генератору восстанав 5 ливающего сигнала. Между общей точкой 10и теми обкладками вспомогательных конденсаторов, которые подсоединены к заряжающим диодам, включены разряжающие диоды11 и 12.10 Открытое состояние одного из информационных транзисторов 1 или 2 и закрытое состояние другого поддерживаются за счет наличияили отсутствия заряда на запоминающих конденсаторах 3 и 4, благодаря подаче на вход 915 восстанавливающих сигналов медленно нарастающего и медленно спадающего напряжения.Предположим, что в исходном состояниитранзистор 1 открыт, а транзистор 2 закрыт.20 Такое состояние элемента может сохраняться,если запоминающий конденсатор 3 заряжен, азапоминающий конденсатор 4 разряжен, Когда на входе 9 восстанавливающий сигнал увеличивается с - Е до О ф), запоминающий кон 25 денсатор 3 медленно разряжается током обратно смещенного р - а-перехода, образованного стоковой областью транзистора 2, Восста) Для определенности полагаем, что в качестве ин.формационного используются МДП.транзисторы с р.ка.30 налом,373771 Составитель Р, Яворовская Техред Л. Богданова Корректор Н, Аук Редактор Б, Наикина Заказ 1440/14 Изд.130 б Тираж 576 ПодписноеЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРМосква, Ж, Раушская наб д, 4/5 Типография, пр. Сапунова, 2 новление за,ряда на запоминающем конденсаторе 3 осуществляется во время умень 1 пенця напряжения на входе 9 с 0 до - Е, В монумент, когда напряжение на входе 9 станет меньше напряжения на запоминающем конденсаторе 3, открывается диод В, и конденсатор заряжается по цепи: генератор восстанавливающего сигнала, вспомогательный конденсатор б, заряжающцй диод 8, запоминающий конденсатор 3, общая точка 10. При этом напряжение на конденсаторе 3 восстанавливается до первоначального уровня.Одновременно заряжается вспомогательный конденсатор 5 по цепи: источник восстанавливающего сигнала, конденсатор 5, диод 7, открытый транзистор 1, общая точка, Очевидно запоминающий конденсатор 4 зарядиться не сможет, т, к, оказывается зашунтированным открытым транзистором 1. Когда напряиение на входе 9 увеличивается до О, оба вспомогательных конденсатора разряжаются по цепи: генератор восстанавливающего сигнала, вспомогательный конденсатор 5 или б, разряжающий диод 11 или 12, общая точка.В результате при периодической подаче восстанавливающих сигналов на входе 9 запоминающий элемент сохраняет свое состояние - записанную информацию. Лмплитуда восстанавливающего сигналадолжна бь 1 ть 6 олЫце цапряжения, соответствующего логической единице (10 - 12 в), навеличину прямого падения напряжения на5 диоде, составляющего 0,6 - 0,8 в, В ИЗвЕстныхэлементах памяти восстановление утраченногозаряда осуществляется за счет использованиянагрузочных МДП-транзисторов, Напряжениевасстанавливающега сигнала в этом случае10 превышает напряжение логической единицына величину порога открывания транзистора,которое с учетом смещения подложки достигает значения 7 - 10 в. Таким образом, включение диодов в элемент позволяет снизить ам 15 плитуду напряжения восстанавливающего сигнала с 18 - 20 в до 11 - 13 в,Предмет изобретенияЗапоминающий элемент, содержащий ин формационные МДП-транзисторы, запоминающие и вспомогательные конденсаторы, отличаюи 1 ийся тем, что, с целью уменьшения напряжения восстанавливающего сигнала, между стоками информационных МДП-транзисто ров и вспомогательными конденсаторамивключены заряжающие диоды, а между шиной нулевого потенциала и вспомогательными конденсаторами - разряжающие диоды.