Элемент памятиf-ff; ri-iill, lt. -, i i л-б •

Номер патента: 372578

Авторы: Вител, Клейнерман

ZIP архив

Текст

ависимое от авт. свидетельства М с 11/О Заявлено 29.1 Х.1971 ( 1700369/18-24)с присоединением заявкиКомитет по деп риоритет изобретений и открыти при Совете Министров СССР. А. Калабеков и Р. И, Клейн дового Красного ий институт свя осковский ордена Т электротехнич ен витель юьажа . е 1 гю 3.п 3т ьт, Р 1: ПАМЯТ ЕМ мен, что обуславливает переход данного диода в режим ограничителя тока. При этом напряжение на другом диоде оказывается ниже порогового, поэтому негенерирующий домен 5 диод представляет собой лишь пассивную нагрузку для генерирующего. После снятия сигнала Е, конденсатор 7, сохраняя напряжение на своих обкладках неизменным за время гашения домена, обеспечивает благоприятные О условия для зарождения нового домена именно в ранее генерирующем его диоде.Схема предложенного элемента памяти обладает двумя устойчивыми состояниями. Одно устойчивое состояние характеризуется тем, 5 что генерирующим домен является диод 2.При этом напряжение на конденсаторе 7 и, следовательно, на выходе элемента имеет положительную полярность. Другое устойчивое состояние предполагает генерирующим домен О диод 1. В этом случае выходное напряжениеэлемента характеризуется отрицательной пол я р н остью.Таким образом, предложенный элемент памяти имеет потенциальную форму представ ления дискретной информации. жащии диоды Ганектродами к раз Элемент памяти, содО подключенные одними Предложенное устройство относится к области вычислительной техники.Известны элементы памяти, содержащие диоды Ганна, подключенные одними электродами к разнополярным клеммам источника питания, резистор и конденсатор.Однако такие устройства сложны и недостаточно надежны в работе.Предложенный элемент памяти отличается тем, что в нем другие электроды диодов Ганна соединены между собой и подключены через резистор к входному выводу элемента, а через конденсатор - к клемме нулевого потенциала источника питания.Это позволяет значительно упростить устройство и повысить его надежность,На чертеже изображена принципиальная электрическая схема предложенного элементапамяти.Он содержит диоды Ганна 1, 2, подключенные соответственно к разнополярным клеммам 3, 4 источника питания, а также резистор б, соединенный с входным выводом б элемента, и конденсатор 7, соединенный с клеммой нулевого потенциала 8 источника питания и выходным выводом 9 элемента,Устройство работает следующим образом, При подаче на клеммы 3, 4 питающего напряжения Е, и на клеммы б, 8 управляющего сигнала Еу в одном из диодов возникает доредмет изобретени+Еп Составитель Л, МорозовРедактор Л. Утехина Техред Т. Ускова Корректор Е, Талалаева Заказ 1137/10 Изд.326 Тираж 576 ПодписиЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССМосква, Ж, Раушская наб д. 4/5 ипография, пр, Сапунова полярным клеммам источника питания, резистор и конденсатор, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности работы устройства, в нем другие электроды диодов Ганна соединены между собой и подключены через резистор к входному выводу элемента, ачерез конденсатор - к клемме нулевого потенциала источника питания,

Смотреть

Заявка

1700369

Московский ордена Трудового Красного Знамени электротехнический институт

витель Б. А. Калабеков, Р. И. Клейнерман

МПК / Метки

МПК: G11C 11/36

Метки: ri-iill, л-б, памятиf-ff, элемент

Опубликовано: 01.01.1973

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-372578-ehlement-pamyatif-ff-ri-iill-lt-i-i-l-b.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Элемент памятиf-ff; ri-iill, lt. -, i i л-б •</a>

Похожие патенты