Запоминающий элемент на диодах ганна

Уе: тисимое ог явт. свидетсльс;ва Л чеио 25.11.1970 (ЛЪ 1408293/18-24) Кл. б 11 с 11/ исоединецием заяшси Ле Комитат .по делам изобретен: й и открытий при Совете 1 ии 1 строе(088.8) 1.1971. БОллстсць Ле 2за 1972 я описания 24.11.1972 ата опубликова Авторыизобретен и В. И. Старосельский и А. НСапсльниковДГщ еМосковский инженерно-физический институт:. явитсл 1 ПОМИ ИЙ ЭЛЕМЕНТ НА ДИОДАХ ГАННА 5 погия ецид элскском наитока быть заиотохСи реза, вцым сткие коиИзооретсиис от 110 сится к Области здпохпцающих элементов, действие которых основано ца эффекте образовация в некоторых полупроводниках домена сильного электрического поля при превышении порогового Напряжения (эффект Ганна) . Изобретение может быть применено в сверхбыстродействующих цифровых вычислительных устройствах и приборах ядерной электроники.Известные запомшающис элементы диид мического типа состоят из двух одинаковы.: диодов Ганца, соедицеццых параллельно и нагруженных ца общее сопротивление. Каж. дый диод имеет участок с умеш.шсциой площадью поперечцого сечения. 11 аиряжеиие 15 питания выбирают ниже порогового значения, так что в исходпом состоянии домены сильного поля в дцодах це образуются. При подаче ца вход запускающего импульса в диоде возбуткдастся домен. При этом ток че рез диод уменьшается, а ток через другой диод соответственно увеличивается. 1 огдд домен в первом диоде проходит участок выреза, ток в первом диоде достигает минимальной, а ток во втором диоде - максимальой величины. Параметры схемы могут быгь ьыбрацы так, что в этот момент ток во втором диоде оказывается достаточным для возбуждения домена. После исчезновения домена ца ацоде первого диода следующий домен 30 образуется в момент прохождения домена во г 1 ором диоде мимо выреза. Таким образом, схема имеет два устойчивых состояния - наличия и отсутствия генерации.Для правильной работы схемы необходимо, чтобы образование доменов в диодах происходило це в области выреза, а вблизи катода. Это возОткцо Тол,ко п 11 Н наличии и Н 1 тикятодиой ооласти участка с повышенным сопротивлением, снижающим пороговое зпдцсци электршеского Наля при условии достаточно малой глубии вырезов. Образовдцис участка с иовцСиил сопротивлением в процессе ссздяиия коптя ктов яв,1 ястся цеконтро:Н 1)уем 11 х и иевосироизвОдимым процессом. В идстоящсс время отработана техносоздаии 51 Омиеских коцтяктов к арсгаллия, ири которой гороговое значениетричсского поля близко к тсоретичезиачсииО 3,3 кпс.ч. Такие диодь 1 имстотболинес отцошсиие максимальногок минимальному, однако оии ие могутистользоваиы для соз;1 дния описаицогомицдюп,его элемситд ввиЭ того, чтов таких диодах обрдзуегся цд участке вьа це вблизи катода. Следовательно, осцонедостатком прототипа являются жетреоовяния к хдряктсристи 1 се кятодногот акта диода.Заказ 246/16 Изд. М 1856 Тираж 448 Подписное ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Москва, гК, Раугнская наб., д, 4/5пр, Сапунова пографпл,3Цель изобретения - обеспечить правильнуюю работу запоминающего элемента без предъявления каких-либо специальных требований к характеристике катодного контактаЦель достигается путем создания па боко вой поверхности диодов участка с диэлектрическим покрытием, В качестве диэлектрпка выбирают материал с большой диэлектрической проницаемостью, например ВаТтО,.Работа предлагаемого запоминающего эле мента поясняется чертежами, где на фиг. 1 схематически показано строение запоминающего элемента па диодах Ганна с участком диэлектрического покрытия, па фиг, 2 - эпюра тока в диоде Ганна с участком диэлектри ческого покрытия.Запоминающий элемент состоит из двух одинаковых диодов Ганна 1 и 2, соединенных параллельно 11 нагруженных на общее сопротивление 3. Часть поверхности диодов 4 и о 20 покрыта слоями диэлектрика с высокой диэлектрической проницаемостью.Запускающий импульс возбуждает в диоде 1 домен сильного поля, который движется от катода к аноду. При этом ток диода 1 изме няется так, как показано на фиг. 2. Участок АВ соответствует прохождению домена мимо участка с диэлектрическим покрытием. Уменьшение тока на участке АВ вызывает увеличение тока в диоде 2 и возбуждение в пем 30 домена.Домен в диоде 1 доходит до анода и исчезает, а новый домен в диоде 1 возбуждается при прохождении домена в диоде 2 мимо участка 5 с диэлектрическим покрытием. Схе ма переходит в состояние устойчивой генерации, В отличие от прототипа, к характеристике катодного контакта не предъявляется каких-либо специальных требований, так как наличие диэлектрика не изменяет порогового 40 напряжения диода. Для правильной работы элемента участок с диэлектрическим покрытием должен быть расположен ближе к аноду, чем к катоду, чтобы исчезновение домена на аноде предшествовало возц но вого домена. Запоминающий элемент на диодах Ганна, содерл(ащий два диода, соединенные параллельно н нагруженные на общее сопротивление, от,илаюшийся тем, что, с целью упрощения изготовления элемента, часть поверхности диодов покрыта диэлектриком с высокой диэлектрической проницаемостью, например ВаТ 10 з, причем участок диэлектрического пскрытия расположен ближе к аноду, чем к катоду,