Способ получения маскирующего покрытия фотошаблона

Союз Советских Социалистических Республик(23) Приоритет осударствеииый коми СССР по делам изобретеии и открытийОпубликован Дата опублик УДК 621.793.(54) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МАСКИРУЮЩЕГО ПОКРЫТИЯФОТОШАБЛОНА снинеовышениеизносос Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при изготовлении фотошаблонов, В современной микроэлектронике широкое распространение получили металлизированные фотошаблоны, для которых в качестве маскирующего покрытия используют пленку на основе хрома.Известен способ получения хромовых пленок теомическим испарением гранулированного хрома в вакууме 1, Однако этот способ несовершенен изоза однократного использования дозы испаряемого хрома, возможности ее загрязнения, отсутствия постоянства скорости испарения в течение процесса, невоспроиэводимость скорости испа-. рения при подаче на испаритель одной и той же мощности.Кроме того, полученные этим способом пленки имеют большое количество видимых дефектов, что приводит к снинению качества Фотошаблонов. Удовлетворительное качество пленки получается при двухслойном напылении и боль. шой толщине, но это лишает возможности испольэовать ее при изготовлении фотошаблонов с высоким разрешением, пленки имеют низкую стойкость к истиранию. Наиболее близким к изобретению по технической сущности является способ получения маскирующего покрытия фотошаблона путем ионно-плазменного распыленияхромовой мишени (2.Маскирующее покрытие, полученное этим способом, имеет плотность пленки выше, чем в пленках, полученных другим известным способом. Однако при используемьгс скоростях распыления образуется пленка с крулнокристаллической структурой, а значит со значительной дефектностью и недостаточной стойкостью к царапинам и истиранию, поэтому испольэовать такие пленки для изготовления фотошаблонов не представляется возможным.Целью изобретения является ние дефектности фотошаблона, п его разрешающей способности и стойкости,Достигается это тем, что в способе получения Маскирующего покрытия фото- шаблона путем ионно-плазменного распыления хромовой мишени распыление хрома проводят со скоростью 2,5- 5 нм/сек при ускоряющем напряжении на мишени 3,5-5 кВ.В процессе изготовления фотошаблонов минимальной шириной линии;.В4в Ф 1 Ф1Жв3Ф,Я 2 Ц 94с11 мкм на установке УРМЗ.279.014 нацу толщины, увеличению плотности стеклянные подложки размером 70 х 70 мм хрома в пленке и к увеличению связи ионно-плазменным распылением наносят пленки хрома с подложкой, пленку хрома толщиной 0,04-0,045 мкм. Таким образом, полученное маскиПо предлагаемому способу задается руюшее покрытие при малой толщине режим осаждения: ускоряющее напряже пленки имеет достаточную оптическую ние на мишени 4+0,1 кВ, плотность плотность, высокую стойкость к цара- ВЧ мощности на мишени 25 Вт/см , око- пинам и истиранию и малую дефектарость осаждения хрома 5+0,5 нм/сек. ность, что позволяет снизить дефект- Время осаждения 15 сек, ность и повысить разрешающую способПолученная пленка имеет следующие о .ность иизносостойкость фотошаблона. параметры.Толщина 0,04 мкмждОптическая Формула изобретенияплотностьПлотность 2 ед. ГОСТа;95 Ъ от плотностиобъемного материала 1 а мне более 0,15 см Составитель Л,БеспаловаТехред Н Бабурка Корректор М.вигула Редактор Е,Гончар Заказ 457/44 Тираж 1074 Подписное ЦНИИЛИ Госудаоственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, М, Раушская наб д. 4/5Филиал ППП Патент, г.ужгород, ул,Проектная,4 Размер кристаллов 0,025+0,01 мкмждПлотность дефектовУсилие процарапывания 500-600 Г,Увеличение скорости распыления хрома обеспечивает получение пленки с мелкокристаллической структурой, 25 обладающей меньшей дефектностью по сравнению с пленкой, полученной известным способом, Увеличение ускоряюшего напряжения на мишени увеличивает энергию конденсации атомов ЗО хрома, что приводит к увеличению оп= тической плотности пленки на единиСпособ. получения .маскирующего покрытия фотошаблона путем ионно-плазменного распыления хромовой мишени,о т л и ч а ю ш и й с я тем, что, сцелью снижения дефектности фотошаблона, повышения его разрешающей способности и износостойкости, распыление хрома проводят со скоростью2,5-5 нм/сек при ускоряющем напряжении на мишени 3,5-5 кВ.Источники информации,принятые во внимание при экспертизе1, Данилин Б,С, Вакуумная техникав производстве интегральных схем,М., Энергия,. 1972,2, Микроэлектроника, вып,1 (41),серия 3, Металлические пленки вполупроводниковом производстве,: М1975 (прототип) .