Способ формирования тензорезисто-pob

(22) Заявлено ОЮ 778 (2) 2640442/18-21 с присоединением заявки й 9 С 23 С 13/00Н 01 В 5/14 Государствеый комитет СССР о дедам зобрете отар ьтЙ(23) Приоритет Опубликовано 16281, бюллетень й 9 б Дата опубликования описания 15,02 В 1(54) СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ТЕНЗОРЕЗИСТОРОВ Изобретение относится к областиизмерительной техники и может бытьиспользовано как при разработке иизготовлении тонкопленочных малогабаритных первичек преобразователейФизических величин повышенной точности, так и при изготовлении тонкопленочным микросхем.Известен способ изготовления тонкопленочной интегральной схемы,предусматривающий нанесение тонкойпленки материала,обладающего высокимйадгезионными свойствами к материалуподложки, затем на подложку наносяттонкую пленку материала, имеющегослабые адгезионные свойства по отношению к материалу подложки. Третьяплевка, которая наносится на подлож.ку, обладает слабыми адгезионныьзтсвойствами по отношению к подложке Юс двумя ранее нанесенными слоями,но имеет хорошую адгезию по отношению к материалу второго слоя. Принанесении четвертого слоя используется материал, аналогичный материалупервого слоя. Используя ультразвуковые колебания, создающие напряженияв третьем и четвертом слоях тонко"пленочного покрытия, частично отслаивают и отшелушивает третий и четвер 2тый слои, в результате чего на топологическом рисунке, образованномпервым н вторым тонкопленочными слоями, пол чают еще два топологическихслоя 1 .Однако этот способ не обеспечивает получение резисторов с высокойточностью, кроме того, операция ультразвуковой обработки создает напряженин в резиативном и проводящемслоях, которые являются причиной нестабильности резистивных тонкопленочных элементов,Наиболее близким по техническойсущности к предложенному являетаяспособ формирования тензорезиа 1 оров,включающий нанесение на металличес"кую подложку с изолирующим слоемрезистивиой пленки, создание конфигурации элементов схемы методом 4 ютолитографии, нанесение слоя проводящего материала 2 1.Недостатком способа является то,что при формировании резистивныхэлементов тонкопленочной схемы изоляционный алой должен обладатьвысокими адгезионными свойствамик материалу резистивной пленки, таккак он входит в качестве подалояматериала токопроводящей пленки.Это приводит к тому, что при селективном травлении материала иэоляцион.ного слоя и его удалении с участковсхемы, где располагаются резистивныеэлементы, не удается полностью удалить с резисторов материал изоляци-онного слоя и получить номиналы ре,зисторов с высокой точностью и вбспроизводимостью.Цель изобретения - повышенйе точности номиналов сбпротивления тенэорезисторов и их воспроизводимости,В спосрбе Формирования тензорезисторов, включающем нанесение наметаллическую подложку с изолирующимслоем резистивной пленки, созданиеконфигурауии элементов схемы методомфотолитографии, нанесение слоя проводящего материала, после нанесенияреэистивной пленки наносят пленкуматериала, имеющего слабые адгезионные свойства с реэистивным и изолируюРщим слоями, а перед нанесением слояпроводящего материала наносят подслой иэ материала, имеющего хорошиеадгезионные свойства с материаломреэистивного слоя, на слое проводящего материала Формируют маску,после чего удаляют пленку, имеющуюслабые адгезионные свойства,На чертеже изображена схема формирования тензорезисторов. 36На металлическую подложку 1 сизолирующим слоем 2 напыляется тонкая пленка тенэорезистивного материала 3. В качестве последнего используется сплав-вихром Х 20 Н 80. Послепроведения фотолитографии создаетсяфоторезистивная защитная маска, черезкоторую травлением формируется конфигурация элементов схема-теизорезисторов и участки под контакты и токопроводящие дорожки. После проведения 40межоперационной химической обработкина подложку напыляется тонкая технологическая пленка 4 и методом фотолитографии создаются участки под контакты и токоведущие дорожки с последуваим удалением в травителе материала технологического слоя в открытыхместах. В качестве материалов технологического слоя применялись тонкиепленки алюминия и меди толщиной00,08-0,1 мкм, После межоперационнойобработки на подложку напыляетсяслой проводящего материала 5 с подслоем 6. В качестве материала токопроводящего слоя используется золото,. а материала подслоя - хром. Затем с помощью фоторезистивной маски формн" руется конфигурация контактных площадок и токопроводящих дорожек, и раздельным травлением удаляются незащищенные участки золота и хрома . до появления технологического слоя меди илн алюминия. Последующим удалением материала технологического слоя открываются участки схемы, обладающие электрическим сопротивлением.При использовании предлагаемого способа изготовления тензорезисто" ров отсутствует фзагрязнениеф материала резистивной пленки материалом подслоя, обладающим высокой степенью адгезии к резистивному материалу, повышается точность получения номи" нала сопротивления и уменьшается разброс резисторов внутри схема, можно изготовлять тензоризистивные схемы без использования подгонки ре- зисторов, а также исключается воэ" действие травителей на изолирующий слой подложки в местах расположения элементов теиэорезистивиой схемы.Формула изобретенияСпособ формирования теиэореэисторов, включающий нанесение на металлическую подложку с изолирующим . слоем резистивной пленки, создание конфигурации элементов схемы методом фотолитографии, нанесение слоя проводящего материала, о т л и ч а ющ и й с я тем, что, с целью повышения точности номиналов сопротивления теизореэисторов и их воспроиэводимости, после нанесения резистивной пленки наносят пленку материала, имеющего слабые адгезионные свойства с резистивным и изолирующим слоями, а перед нанесением слоя проводящего материала наносят подслой иэ материала, имеющего хорошие адгеэиоиные свойства с материаломреэистивиого слоя, на слое проводящего материала формируют маску, после чего удаляют пленку, имеющую слабые адгеэионные свойства.Источники информации,принятые во вникание при экспертизе1. Патент Японии Р 50-8179,кл, Н 05 К 302, 1975.2. Патент США В 3423260,кл, 156-3, 1969 (прототип),804718 2 Составитель Л.БеспаловаРедактор П,Коссей Техред Т. Маточка Кор М. Де писн Заказ 10824/42 Тираж 1059 Под ВНИЯПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Б-.35, Рамская наб., д. 4/5