Устройство для нанесения слоев материала в вакууме

Сяюэ Советских Социалистических Республикединением заявкипр Государственный комите Совета Министров ССС 32) Приорите 30.09.74. Бюллетень36.315.592 (088,8) убликов по делам изобретений и открытийата опубликования описания 20.10 вторзобретения(54) УСТРОЙСТВО Д ТЕРИАЛА НЕСЕНИЯ СЛАКУУМЕ Изобретение относится к области нанесенияматериалов в вакууме и может быть использовано для получения покрытий, напримердля изготовления интегральных схем.Известно устройство для нанесения слоевматериала в вакууме, содержащее вакуумнуюкамеру, в которой размещены источник исходного материала и подложкодержатель в видедиска, закрепленного на валу,Целью изобретения является увеличениепроизводительности устройства.Это достигается тем, что подложкодержатель выполнен в виде набора соосно расположенных дисков с окнами, а в верхней частикамеры установлен стержень с сильфоннымуплотнением и приспособлением для захватаи перемещения дисков-подложкодержателей,которое может быть выполнено в виде дискасо штырями, имеющими утолщения на конце,а в подложкодержателе выполнены пазы.Вал, на котором закреплены подложкодержатели, может быть выполнен с возможностьювозвратно-поступательного перемещения.На фиг. 1 представлено предлагаемое устройство, продольный разрез; на фиг, 2 - разрез по А - А на фиг. 1,Вакуумная камера 1 имеет подложкодержатели 2 - 6, причем нижний подложкодержатель6 жестко посажен на вал 7. Корпус камерыимеет окно 8 для соединения с вакуумной системой. В верхней части камеры установлен стержень 9 с сильфонным уплотнением 10 и диском 11, который может совершать возвратно-поступательное и вращательное движение.5 В диске 11 выполнены штыри 12 со шляпками на концах. Подложкодержатели 2 - 5 снабжены штырями 13 также со шляпками на концах, а с другой стороны подложкодержателей выполнены пазы 14, в которые входят штыри, 10 расположенные напротив пазов при соединении подложкодержателей между собой. В подложкодержателях 2 - 5 выполнены окна 15 для прохождения распыляемого материала и осаждения его на подложках 16. Источником материала является катод 17, анодом 18 служит стенка и основание вакуумной камеры.Для проведения процесса при сравнительно низком давлении в камере расположен дополнительный электрод 19, соединенный с источ ником переменного напряжения.Источником материала может быть материал, расположенный в резистивном испарителе. Покрытие можно наносить при помощи электронного пучка, высокочастотным распы лением и другими способами. Для напускарабочего газа в вакуумную камеру, а также поддержания требуемого давления в последней предусмотрен натекатель 20.В камере 1 создают давление не меньше 30 5 10 -мм рт. ст. Через натекатель 20 подают 15 О П И С А Н И Е (и) 444832ИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУаргон до 1 - 3 10 вмм рт. ст, На дополнительный электрод 19, выполненный из тантала, подают 200 - 250 в. Через 15 - 20 мин при помощи вала 7 подложкодержатели начинают вращать со скоростью 50 - 70 об/мин, На танталовый катод 17 подают напряжение 4000 в, устанавливают разрядный ток катода 100 ма. При этих режимах наносят слой тантала на подложки, расположенные на подложкодержателе 2. После нанесения слоя между катодом и подложками устанавливают заслонку (на чертеже не показана), стержню 9 придают поступательное движение вниз до вхождения штырей 2 в отверстия, выполненные в подложкодержателе 2. Затем последний поворачивают на несколько градусов до вхождения штырей 12 в пазы. Стержень 9 поднимают вверх, при этом штыри 13 выходят из отверстий в подложкодержателе 3 и, таким образом, подложкодержатель 2 освобождается от соединения с нижним подложкодержателем 3, а окно, выполненное в подложкодержателе, устанавливается напротив катода 17, Далее аналогичным образом напыляют слои на подложки, расположенные на подложкодержателе 3, уменьшая разрядный ток на катоде до 90 ма. После напыления подложкодержатель 3 поднимают с помощью стержня 9, как описано выше, и ведут напыление над подложки, расположенные на подложкодержателе 4, при разрядном токе катода 80 ма. Аналогично напыляют слои на подложки, расположенные на подложкодержателях 5, 6, при разрядном токе 70, 60 ма соответственно.После окончания последнего напыления снимают напряжение с электродов, напускают в камеру воздух, поднимают колпак, снимают подложки.Изменение скорости нанесения слоев, связанное с изменением расстояния между под ложкодержателями и катодом, компенсируется изменением режима разряда.В предлагаемом устройстве предусмотреновыполнение вала 7 с возможностью его перемещения в осевом направлении, При этом рас стояние между катодом и подложкодержателями можно выдерживать постоянным и процесс вести при одном режиме разряда,Предмет изобретения 151, Устройство для нанесения слоев материала в вакууме, содержащее вакуумную камеру, в которой размещены источник исходного материала и подложкодержатель, за крепленный на валу, о тл и ч а ю ще е с я тем,что, с целью увеличения производительности, подложкодержатель выполнен в виде набора соосно расположенных дисков с окнами, а в верхней части камеры установлен стержень с 25 сильфонным уплотнением и приспособлениемдля захвата и перемещения дисков-подложкодержателей.2. Устройство по п. 1, отличающеесятем, что приспособление для перемещения ди- ЗО сков-подложкодержателей выполнено в видедиска со штырями, имеющими утолщения на конце, а в подложкодержателе выполнены пазы.3. Устройство по п. 1, отл и ч а ю щ ее с я 35 тем, что вал выполнен с возможностью возвратно-поступательного перемещения,444832 Составитель В, Безбородова чакииа Сорректо исное в СС Типография, пр. Сапунова Редактор О. Юрк каз 3073/15ЦНИИПИ ехред Г. Дворик Изд.1308сударственного комитетапо делам изобретений иМосква, Ж, Раушская Тираж 875овета Министкрытийаб д. 4/5 Ч з 5