Способ получения вольфрамовых покрытий

п 11 ЬУО 658 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ Вяз ьоветскик Социалистических Республик(23) Приоритет Государственный комитет оветв Министров СССао делам изобретении и открытий, М, Королев и В, Ф, Соловь 71) Заявитель УЧЕНИЯ ВОЛЬФРАМО 54) СПОСОБ ПОКРЫТ И Изобретение относ металлических покр новлением соединени к области получения восстановлением гек дородом на нагретой Известен способ покрытий восстановл фрама водородом пр водорода и температится к области получения ытий тазофазным восстай металлов, в частности вольфрамовых покрытий сафторида вольфрама во подложке.получения вольфрамовых ением гексафторида воль- и 4 - 10-кратном избытке уре подложки 500 - 600 С 10 Наиболее близок к предложенному способполучения вольфрамовых покрытий, предусматривающий пропускание газовой смеси,содержащей водород и 30 - 60 мол, % гексафторида вольфрама, при температуре подложки 700 - 1000 С 21,Недостатками известных способов являетсянеравномерность получающихся покрытий потолщине, несовершенство их текстуры при 20сравнительно низкой степени использования,гексафторида вольфрама,Предложенный способ отличается от известного тем, что после проведения процесса притемпературе подложки, равной 700 в 10 С, и 25содержании 30 - 60 мол, % гексафторида вольфрама в газовой водородсодержащей смесив течение 1 - 10 мин снижают температуруподложки до 400 - 600 С и содержание гексафторида вольфрама в смеси до 5 - 25 мол. %, 30 причем температуру снижают со скоростью 10 - 100 С/мин при уменьшении содержания гексафторида вольфрама 1 - 3 мол. % на каждые 20 С,Указанное отличие позволяет повысить рав номерность покрытий, совершенство их тексту. ры и степень использования вольфрама.Предложенный способ заключается в том, что процесс ведут при атмосферном давлении и начинают его при температуре подложки, р авной 700 - 1000 С, и содержании 30 - 60 мол. % гексафторида вольфрама в тазовой смеси, пропускаемой вдоль подложки. По истечении 1 - 10 мин, не прекращая процесса, температуру поверхности подложки снижают до 400 - 600 С, а содержание гексафторида вольфрама в газовой смеси уменьшают до 5 - 25 мол. %, причем температуру снижают со скоростью 10 - 100 С/мин при уменьшении содержания тексафторида вольфрама 1 - 3 мол. % на каждые 20 С, после чего продолжают процесс до получения покрытия требуемой толщины,П р и м е р. Вольфрамовое покрытие наносят на молибденовую трубку диаметром 20 мм и длиной 700 мм, которая нагревается изнутри нихромовым нагревателем. Вдоль трубки, нагретой до 750 С, пропускают со скоростью 20 моль/ч газовую смесь, содержащую водород и гексафторид вольфрама в количествеСоставитель Л, Казакова Техред Л. Гладкова Корректоры: Л. Орлова и Л, Денискина Редактор 3. Ходакова Подписное Заказ 2081/9 Изд,746 Тираж 1130 НПО Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д, 4/5Типография, пр. Сапунова, 2 40 мОл, %, Через 2 мин температуру йддложки в течение 5 мин снижают до 550 С с одновременным уменьшением содержания гексафторида вольфрама в газовой смеси до 18 мол. % из расчета 2 мол. % на каждые 20 С, после чего процесс продолжают еще 20 мин, В результате получают вольфрамовое покрытие толщиной 0,25 мм, неравномерность которого по толщине не превышает 10 - 12%, при выходе по вольфраму 60%, а величина текстурного максимума равна 24, в то время как неравномерность покрытий, полученных известными способами, составляет 16 - 20%, выход по вольфраму - не более 45%, а величина текстурного максимума - 50. Формула изобретения Способ получения вольфрамовых покрытийпутем пропускания газовой смеси, содержа 4щей 30 - 60 Мол. % тексафторида вольфрама и водород вдоль подложкинагретой до 700 - 1000 С, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью повышения равномерности покрытий, совер шенства их текстуры и степени использованиягексафторида вольфрама, через 1 - 10 мин снижают температуру подложки до 400 - 600 С и содержание гексафторида вольфрама до 5 - 25 мол. %, причем температуру снижают со 10 скоростью 10 - 100 С/мин при уменьшении содержания гексафторида вольфрама 1 - 3 мол. % на каждые 20 С. Источники информации,15 принятые во внимание при экспертизе1. Осаждение из газовой фазы. Под ред.К. Пауэлла. М Атомиздат, 1970, с. 462,2, Авторское свидетельство457757, кл.С 23 С 11/02, 1971,