Победаш

Номер патента: 1539701

Опубликовано: 30.01.1990

Авторы: Бирдус, Васильев, Мармалевский, Мерщий, Победаш, Тимошин

МПК: G01V 1/00

Метки: объемной, сейсморазведки

...(болота, водоемы, посевы, холмы и т.д.) методикой многократногопрофилирования по схеме метода общейточки отражения размещают в горизон-тальной последовательности семейство источников колебаний с шагом, равным 50 м и более. На участке профиля закрытом для проведения наземных сейсморазведочных 40 работ бурят наблюдательную скважину глубиной 300-500 м и размещают в ней в вертикальной последовательности семейство приемников колебаний с шагом, равным 25-50 м и .более. 45Регистрируют колебания от каждого из разноудаленных источников наземного профиля всеми сейсмоприемниками . вертикального профиля.Продолжают (с учетом скорости волн в среде) волновое поле с вертикального профиля наблюдений на горизонтальный профиль (линия...

Номер патента: 1159136

Опубликовано: 30.05.1985

Авторы: Макаренко, Победаш, Святненко, Сенько, Скобченко

МПК: H02M 7/538

Метки: инвертор

...шунтирован. в проводящем направлении цепочкой из последовательно соединенных тиристора 50и конденсатора, а каждый тиристоршунтирован цепочкой иэ последовательно соединенных резистора и диода,включенного в обратном по отношению к тиристору направлении, 55 На чертеже представлена схема силовой части инвертора напряжения.Предлагаемый инвертор напряжения выполнен по мостовой схеме, каждое плечо которой содержит силовой транзистор 1, тиристор 2 анодом подключенный, например, к коллектору силового транзистора 1, и резистор 3. Кроме того, в каждое плечо инвертора напряжения включены конденсатор 4, образуюший с тиристором 2 посяедовательную цепь, включенную параллельно силовому транзистору 1 в прямом направлении по отношению к источнику...

Номер патента: 1089730

Опубликовано: 30.04.1984

Авторы: Макаренко, Победаш, Сенько, Скобченко

МПК: H02M 3/145

Метки: постоянного, регулируемый

...две последовательные цепи, первая из которых включена параллельнотранзистору, а вторая образуетвстречно-параллельное соединение стиристором,На фиг. 1 показана структурнаясхема регулируемого преобразователя постоянного напряжения; на фиг.220временные диаграммы, поясняющиепринцип работы преобразователя, нафиг.З - один из возможных вариантоввыполнения структурной схемы системы25управления с конкретной реализациейее отдельных узлов.Регулируемый преобразователь постоянного напряжения (фиг. 1) содержитпоследовательно соединенные регулиру-ф 30ющий транзистор 1 и сглаживающийфильтр 2, вход которого зашунтирован, обратным диодом 3, а выходы 4 и 5образуют выход регулируемого преобразователя постоянного напряжения,Параллельно регулирующему...

Номер патента: 711167

Опубликовано: 25.01.1980

Авторы: Королев, Косачев, Победаш, Рычагов, Соловьев, Столяров

МПК: C23C 11/02

Метки: металлов, осаждения, тугоплавких

...с зернами, имеющими отношениевысоты к ширине менее 2. 35Процесс начинают в условиях образования плотных осадков, затем переводят процесс в область образованиядендритных осадков, затем снова вобласть образования плотных осадкови т.д. в течение всего процесса независимо от его продолжительности,Заканчивается он в условиях образования плотных осадков Минимальное количество изменений условий процессадолжно предусматривать получение 45плотного, дендритного и снова плот-ного осадков. Длительный период осаждения дендритных осадков при формировании слоя толщиной более 0,1 мм приводит к образованию пористых некачественных осадков, а длительный период образования плотных осадков дотолщины более 0,2-0,3 мм снижает ихпрочность,Указанный...

Номер патента: 457757

Опубликовано: 25.01.1975

Авторы: Белова, Ижванов, Королев, Победаш, Рычагов, Соловьев, Столяров

МПК: C23C 11/02

Метки: компактных, металлов, нанесения, покрытий, тугоплавких

...верхний предел температурного интервала процесса, что способствует повышению скорости осаждения покрытий и эффективности извлечения ценных компонентов из отходящих газов. Кроме того, сочетание указанных условий процесса обуславливает снижение внутренних напряжений в осаждаемых покрытиях.П р и м е р 1, Ниобиевое покрытие наносят пропусканием газообразной смеси, содержащей 42 мол. % КЬ 1.5 и 58 мол, % водорода,457757 ния газообразных фторидов, направляемых вдоль покрываемой поверхности, водородом при повышенной температуре и атмосферном давлении, отличающийся тем, что, с це лью повышения эффективности, процесс осуществляют при содержании водорода на 1 - 55 мол. % меньше стехиометрически требуемого количества и 650 в 22 С,10 2....

Номер патента: 180800

Опубликовано: 01.01.1966

Авторы: Ижванов, Королев, Победаш, Стол, Эпш

МПК: C23C 16/06

Метки: газовой, молибдена, получснмя, фазы

...ИЗ ГАЗОВОЙ 2гого металла, которыйтг д 1.гсц например рГексафторпд молцбературе 35 С. пособах получениязы с осаждением екачестве исходитахлорид или кар мол ибде ги на ог, сырья боиил мо В известныхна из газовойгретую подлож висцользуетсн. днЯ впостепа ми гг.зстиисхо,ного1 ол и бдца.сафторвд.рным соотионную капе молибде"-б 50 С по повышения эконогается В качееггс.пользовать гексафторидПарогазовую смесь гена с водородом с моля1; 1 О подают в реакцпроисходит восстановленгретой до температуры процесса ы 1 ья иседмет изобретен Способ получен фазы с осаждение 10 на нагретую подлчто, с целью повь цесса, в качестве ют тексафторид м гя молибдена м компактного ожку, отличаю щения экоцозц исходного сырь олибдена. овей тем, цроКомитет по делам...