Способ контроля параметров пленки в процессе осаждения

Союз Совет сникСоциалистическихРеспублик ОП ИСАНИЕИЗОБРЕТЕН ИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ(п)789632 1) Дополнительное к авт. свил-ву2) Заявлено 11.01.79 (21) 2710685/18-21 исоели нен нем за я вки Л С 23 С 11/О Н 05 К /18 Гооударстееинын ком ите). СПОСОБ КОНТРОЛЯ ПАРАМЕТРОВ ПЛЕН В ПРОЦЕССЕ ОСАЖДЕНИЯтигается благопособу конттавленная цель д тся к технике, и осаждения пл ля целей микро тки вычислител даря тому, что согласно роля параметров пленки дения на подложку, вклю ние сопротивления между площадками датчика-свид тельно измеряют сопрот любой контактной площад детеля и подложкой, а с чика-свидетеля определяю тощения оцессе ь б контроля саждения и ожно истрое плегазовой т из соот Наи о техниолее близким к предлагаемому ческой сущности является способ. я параметров пленки в процессе ия на подложку, включающий иэсопротивления между контактныадками датчика-свидетеля 12. статок известного способа - точность измерения параметров де 3.- сопротивление между контакными площадками датчикасвидетеля- сопротивление между любоконтактной площадкойсвидетеля и подложко1 показана эквивалещения; на фиг. 2 -эквивалентная схемаечное число сопротивлений,конт осажден мерение датчикай,и пло до 20 а ф ентнаяболее упзамещения зка хема эам е пл нки.Цель изобретения - повышение точности измерения параметров пленки. рощенная через кон Изобретение относи связанной с процессам нок из газовой фазы д электроники, радиотехнт ной техники и т.д. Известен реэистивн араметров пленки в по датчику-свидетелю Однако этот способ пользовать для. контро ки в процессе ее осаый спос процессе Я,:невоэм ля парам ждения и чающему измереконтактными етеля, дополниивление между кой датчика виопротивление дат3На схеме обозначены контактные площадки 1 и 2 датчика-свидетеля и контакт 3 подложкодержателя; К - часть сопротивления пленки на поверхности между контактными площадками,часть сопротивления пленки на боковых сторонах датчика-свидетеля.При первом измерении выражение для Я . можно получить путем преобразования треугольника сопротивлений в звезду а при втором измерении дляЯ по схеме последовательно-параллельного соединения можно записать 789632 Ъ+ 4 г+ Р. Решая совместно эти два полученные уравнения, можно найти 2 Й, т.е. щ получаем формулу сопротивления датчика-свидетеля. Подкоренное выражение больше нуля при условии, что - д 1,9, Данное условие практически вйполняется всегда при изготовлении датчика-свидетеля с Кф = 1 и длиной контактных площадок примерно в два раза меньшей их ширины.П р и м е р. Проводят контроль поверхностного сопротивления пленок воль- ЗО фрама и молибдена, осаждаемых из газовой фазы термическим разложением соответствующих гексакарбонилов. Датчик- свидетель изготавливают из ситалла СТ-1 с Кф в 1 и помещают рядом с нагреваемой подложкой, на которую осаждается пленка. Измерение сопротивления В 1 и 2 производят двумя ампервольтомметрами Р, с выхода которых сигнал в кодовой форме поступает на ЭВМЭлектроника", и сопротивление датчика-свидетеля, а значит и поверхностноесопротивление пленки (так как Кф з 1)регистрируются на экране Электроника" . Вычисление Ис можно произ-,цводить и через небольшие аналоговыепреобразователи с выходом на стрелочный прибор или вручную с помощьюрассчитанных номограмм.Точность измерений поверхносногосопротивлении пленки во всех случаяхне хуже ф 5%, что обеспечивает изготовление пленочных резисторов на основекарбонильных пленок вольфрама и молибдена заданного номинала с допуском+ 5% в интервале поверхностйых сопротивлений от 20 до 1.0000 Ом/кв.4Использование предлагаемого способа контроля параметров пленки эа счет повыщения точности измерения параметров пленки в процессе ее осаждения иэ газо вой фазы решает проблему оперативного контроля на установках осаждения пленок из газовой фазы. При этом сам способ осаждения пленок из газовой фазы становится более управляемым и воспроизводимым, что ведет к снижению себестоимости операции осаждения пленок из газовой фазы эа счет уменьшения процента брака при осаждении пленок заданного номинала. Таким образом, использование предлагаемого способа контроля способствует внедрению в промышленность экономичных производительных и доступных методов осаждения пленок из газовой фазы. Данный способ контроля может также использоваться во всех тех случаях, когда осаждение пленки производится иэ рассеянного потока вещества, а среда осаждения непроводящая. формула изобретенияСпособ контроля параметров пленки в процессе осаждения на подложку, включающий измерение сопротивления между контактными площадками датчика-свидетеля, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью повышения точности измерения параметров пленки, дополнительно измеряют сопротивление между любой контактной площадкой датчика-свидетеля и подложкой, а сопротивление датчика-свидетеля определяют из соотношения-5+9% /(Ю ",) ), где Ъ 1 - сопротивление между контактными площадками свидетеля; - сопротивление между любой контактной площадкой свидетеля и подложкой.Источники информации, принятые во внимание при экспертизе1. Минаков В. И., Коган М. 3. Производство тонкопленочных микросхем. Л., "Энергия, 1973, с. 92-98.2. Гимпельсон В. Д., Родионов Ю. А, Тонкопленочные микросхемы для приборостроения и вычислительной техники м., "Машиностроение", 1976, с. 99 ( прототип) .789632 г,фыр Составитель Й. Белый Техред М.Табакович Коррек Редактор ик 9006/32 Тираж 1074 ВНИИПИ Государственн по делам ивобретений 113035, Москва, Ж, Раушск