Способ считывания информации с магнитных пленок

Номер патента: 525155

Опубликовано: 15.08.1976

Авторы: Розенталь, Романовский

МПК: G11C 11/155, G11C 7/00

Метки: доменами, информации, магнитными, магнитоодноосной, пленки, считывания, цилиндрическими

...упростить схему уст чертеже показана блок-схема предлого устройства,о содержит магнитоодноосную пленку МД 2, 3, на которой расположены и Холла 4, 5, токовые выводы котоключены последовательно и соединены чником питания 6, а потенциальныевыводы подключены по дифференциальной схеме к усилителю считывания 7, соединенному с узлом стробирования 8. Датчики Холла расположены под противоположными концами 9, 10 одноименных ферромагнитных аппликаций 11, 12 в рабочих каналах 13, 14 продвижения ЦМД. Противоположные концы 9, 10 указанных аппликаций играют поочередно роль источника компенсационного сигнала. 10Работа предложенного устройства основана на том, что ЦМД 2, 3 при движении по рабочим каналам 13, 14 не могут находиться под...

Номер патента: 1633455

Опубликовано: 07.03.1991

Авторы: Гришин, Пермяков, Ульянов

МПК: G11C 11/14

Метки: вихрях, информации, магнитных, считывания

...он обладает избытком энергии и неизбежно сократится, заняв место над шиной 9. Пропускают ток через систему токовых шин, свободных от МВ. Тогда под действием магнитного поля токовой шины ближайшие к ней МВ соответствующей полярности смешаются на край шины. После выключения тока МВ смешается в сторону утоньшения пленки над этой шиной, т. е, в очередные бит-позиции, осуществляя свое продвижение на полшага. При подаче тока в следующие шины процесс повторяется и МВ смещаются на вторые полшага. Гаким образом, все МВ одинаковой полярности продвигаются системами шин с сохранением порядка следования в каналах и синхронно во всех каналах, а следовательно, с сохранением чередования МВ и вакансий, несущих информацию. Продвижение осуществляется с...

Номер патента: 1770986

Опубликовано: 23.10.1992

Автор: Проценко

МПК: G11C 11/14, G11C 7/00

Метки: блок, доменах, запоминающего, информации, магнитных, считывания, устройства, цилиндрических

...ко вторым выводам магниторезистивныхдатчиковНа чертеке приведена схема блока считывания информации для запоминающегоустройства на цилиндрических магнитных доменах,Устройство содержит детектор 1 доменов, выполненный по мостовой схеме. В одни смежные плечи мостовой схемы включены располокенные на магнитоосной пленке доменной микросхемы рабочий и компенсационный магниторезистивные датчики 2 и 3 считывания. Первые выводыэтих датчиков объединены и подключены к первому выходу источника 4 питания, а их вторые выводы подключены через разделительные элементы 5 и 6 в виде конденсаторов ко входам усилителя 7 считывания, выход которого является выходом устройства,Другие смежные плечи мостовой схемыдетектора 1 доменов образованы обмотками 8...

Номер патента: 385316

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Лисовский, Электроники

МПК: G11C 11/16

Метки: доменах, информации, магнитных, памяти, считывания, цилиндрических, ячеек

...пласти нах из магнитоодноосных материалов (орто 385316ферритах, гранатах); намагниченных нормально к их плоскости, ферромагнитный резонанс возможен на двух частотах, определяемых соотношениямив= 1 (Нл + )щ = НА. - Ф где а, а- частоты ФМР, у - гиромагнитное отношение, Н - внутреннее статическоев 10 магнитное поле, НА - поле анизотропни; частота всоответствует ориентации намагниченности вдоль поля, а частота щ- против поля. Так как намагниченность ЦМД направлена против поля подмагничивания, то внутри 15 ЦМД частота будет равна вц=а,а частота ФМР для пластины вне доменов будет равна впл=в.Для типичных магнитоодноосных гранатов Н т 10 э, Нм 102 э, ЬНт 1 э (ЛН - ширина линии ФМР), так что частоты ФМР 20 лежат в дециметровом диапазоне,...

Номер патента: 566265

Опубликовано: 25.07.1977

Авторы: Андреев, Шорыгин

МПК: G11C 7/02

Метки: блоков, доменах, информации, магнитных, памяти, считывания, цилиндрических

...и параллельной этому полю. Таким образом, в отсуствии ЦИД магнитное поле рассеяния ферромагнитной пластины 3 остается постоянным, а следовательно наводимая этим полем ЭДС индукции в пластине 5 второго проводника равна нулю. При прохождении ЩЯ (условно изображено на чертеже цифрой 13),по тракту продвижения 2 под пластиной 3, ее вектор намагниченности М под действием горизонтальной составляющей поля рассея- ф 5 ния этого ЦИД отклоняется от равновесного положения (обозначенного цифрой 12), параллельного оси У, на некоторый угол, в положение, показанное цифрой 14. Параллельность 30 между вектором Й и направлением высокочастотного поля нарушается, что обуславливает появление момента вращения вектора Й в этом поле, а следовательно и...