Способ форсированного запирания транзисторов

гф Кь(ф ОПИСАНИЕИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических Республик(осударственный комитет СССР но делам изобретений и открытий(54) СПОСОБ ФОРСИРОВАННОГО ЗАПИРАНИЯТРАНЗИСТОРОВ 30 Изобретение относится к области преобразовательной техники и может быть использовано при разработке источников питания переключательного типа.Известны способы форсированного запирания транзисторов 1,(2, состоящие в том, что подают запирающее напряжение на переход база-змиттер насыщенного транзистора,Однако эти способы имеют ряд недостатков: значительные времена выключения и спада коллекторного тока; большие динамические потери; возможность инверсного режима,транзистора при запирании.Наиболее близким техническим решением к данному изобретению по технической сущности и достигаемому ре эультату является способ форсированного эапирания транзисторов (3 .иэ насыщенного состояния, состоящий в том что формируют запирающее напряжение на переходе база-эмиттер, Однако при коммутации транзисторов на частотах, соизмеримых по длительности импульсов с временами выключения, такой способ не обеспечивает достаточно высокий КПД и надежность. Целью изобретения является повышение КПД и надежности использованияпереключающих транзисторов,Поставленная цель достигаетсятем, что в способе форсированного запирания транзисторов из насыаенногосостояния, состоящем в том, что формируют запирающее напряжение на переходе база-эмиттер, одновременноформируют запирающее напряжение напереходе коллектор-база.На фиг. 1 приведена блок-схемаустройства, реализующего предлагаемый способ форсированного эапираниятранзисторов иэ насыщенного состояния; на фиг, 2 - диаграмма токов инапряжений в различных точках схемы,устройство (фиг,. 1) содержит транзистор 1, вторичную обмотку 2 коммутирующего трансформатора 3, конец которой соединен с эмиттером транзистора 1, параллельно соединенные резистор 4 и диод 5, соединенный катодом с началом вторичной обмотки 2, а анодом - с базой транзистора 1, диод 6, соединенный катодом с коллектором транзистора 1, а анодом - с концом вторичной обмотки 7 коммутирующего трансформатора 3, Начало вторичной/38 Тираж 857ЦНИИПИ Государственного комитетапо делам изобретений и открытий 113035 Москва ЖРа ская на Заказ б ПодписноеСР4 5 иал ППП Патент Ужгород, ул, Проектная,обмотки 7 соединено с базой транзистора 1,В насыщенном состоянии транзистора 1 к переходу база-эмиттер приложено отпираюшее напряжение от вторичной обмотки 2 коммутируюшего трансформатора 3, При этом величина отпираюшего тока базы определяется напряжением на вторичной обмотке 2 трансформатора 3 и сопротивлением 4 в цепи базы транзистора 1. При этом диод 105 запирается и оба перехода транэис-тора смещаются в прямом направлении.Диод 6 заперт напряжением на вторичной обмотке 7 коммутирующего трансформатора 3,При смене полярности напряженияна вторичных обмотках 2, 7 трансформатора 3 к переходу база-эмиттертранзистора 1 прикладывается эапираюшее напряжение через диод 5 и формируется импульс запирающего тока базы,Одновременно через диод б к переходуколлектор-база насыщенного транзистора прикладывается запирающее напряжение с вторичной обмотки 7 коммутирующего трансформатора 3, В реэультате этого происходит форсированное эапирание коллекторного перехода. Предложенный способ позволяет уменьшить время выключения и спада тока коллектора, уменьшить динамические потери, а следовательно, увеличить КПД и надежность использования переключающих транзисторов. формула изобретенияСпособ форсированного запираниятранзисторов из насышенного состояния, состояший в том, что формируютзапирающее напряжение на переходе база-эмиттер, о т л и ч а ю щ и й с ятем, что, с целью увеличения КПД инадежности использования переключаюших транзисторов, одновременно формируют запирающее напряжение на переходе коллектор-база,Источники информации,принятые во внимание при экспертизе1. Пауль Р. Транзисторы, МСов, радио 1, 1973, с. 417-420,2, Коссов О.А, Усилители моШностина транзисторах в режиме переключенияЭнергия, М 1971, с, 42-44,3. Моин В,С, Лаптев А,А. Стабилизированные транзисторные преобразователи, М Энергия, 1972,с. 342 рис, 9-17 (прототип),