H03K 19/40 — H03K 19/40

Номер патента: 537446

Опубликовано: 30.11.1976

Авторы: Осинский, Тявловский

МПК: H03K 19/40

Метки: инвертор, сложный

...схема предлагаемого сложного инвертора с логическим элементом, например многоэмиттерным транзис тором 1 с выходами 2, выход которого соед нен с базой входного транзистора 3 сложно инвертора. Эмиттер входного транзистора соединен с базой второго транзистора 4, а коллектор транзистора 3 соединен с базой 25 первого выходного транзистора 5. Излучающий диод 6 включен последовательно с выходными транзисторами 4 и 5, а фотодиод 7, образующий с излучающим диодом 6 оптронную пару, включен между базой транзистора 4 30 и общей шиной. Резистор 8 служит для ограничения тока выходных транзисторов 4 и 5. Выходом 9 сложного инвертора является место соединения коллектора транзистора 4 и катода излучающего диода 6,Работа инвертора заключается в...

Номер патента: 573884

Опубликовано: 25.09.1977

Автор: Хотянов

МПК: H03K 19/40

Метки: логический, не, элемент

...отрицательные),При поступлении ступенчатого отпирающего входного сигнала МДП-транзистор 4 запирается. Поскольку МДП-транзистор 5 обладает определенным сопротивлением, фронт нарастания напряжения на затворах МДП-транзисторов 1, боказывается задержанным относительноположительного фронта входного сигнала, Поэтому на начальном этапе переходно.го:процесса разность потенциалов между обкладками конденсатора 3сохраняется неизменной (равной Е - О ) 45о 1и все приращение напряжения на входепередается, так как разряжающий МДПтранзистор б закрыт, аемкость конденсатора 3 выбирается значительнобольшей паразитных емкостей схемы.Поскольку активный МДП-транзистор 1вначале также закрыт, напряжение навыходе повышается после увеличениянапряжения на...

Номер патента: 641655

Опубликовано: 05.01.1979

Авторы: Еремин, Кармазинский, Черников

МПК: H03K 19/40

Метки: инвертор, мдп-транзисторах, управляемый

...одна обкладка которогоподключена к истокам нагрузочноготранзистора и второго транзистора 15смещения, а вторая - к истоку первоготранзистора смещения, к стоку второго транзистора смещения и к затворузарядного транзистора.На чертеже представлена принципиальная электрическая схема устройства.Затвор и сток транзистора предварительного заряда 1 подключены к шине питания 2, а чсток - к затворунагрузочного транзистора 3, между затвором и истоком которого включен ускоряющий конденсатор 4. Сток транзистора 3 подключен к шине питания 2,а исток - к стоку переключающеготранзистора 5, к истоку транзисторасмещения 6, к одной обкладке ускоряющего конденсатора 7, вторая обкладкакоторого подключена к стоку трачзистора смещечия б, к истоку...

Номер патента: 696606

Опубликовано: 05.11.1979

Автор: Фридман

МПК: H03K 19/40

Метки: инвертор

...1 5 Коллектор транзистора 1 через конден3 69 сатор 6 соединен с общей шиной, а через последовательно соединенные резистор 7 и диод 8 с входной клеммой 9, которая через резистор 1 О соединена с базами транзисторов 1 и 2, эмиттеры которых через резистор 11 подключены к общей шине, Коллектор транзистора 2 соединен с базой транзистора 3 и через резистор 12 подключен к шине 13 питания, к которой подключен коллектор транзистора 3, эмиттер которого через транзистор 4 в диодном включении соединен с выходной шиной 14 и коллектором транзистора 5, эмиттер которого подключен к общей шине, База транзистора 2 через диоды 15, включенные в противоположном базо-емиттерному направлении, подключена к общей шине.Устройство работает как обычный...

Номер патента: 741473

Опубликовано: 15.06.1980

Авторы: Кильметов, Краснопольский, Механцев, Переверзев, Сухоруков

МПК: H03K 19/40

Метки: инвертор, переходом, полевых, транзисторах, управляющим

...принципиальная схема инвертора, в котором четыре полевых транзистора 1 - 4 с управляющим переходом и с чередующимися типами проводимости каналов попарно образуютпервый А-транзистор 5, включенныймежду выходной шиной 6 и общей шиной 7 и второй Х -транзистор 8 дополняющего типа, включенный между шинойпитания 9 и выходной шиной. Затворы транзисторов 1 и 4 подключены,квыходной шине, затвор транзистора 2 щчерез А-диод 10 в обратном включении и затвор транзистора 3 через)-диод 11 в прямом включении подключены к входной шине 12.На Фиг. 2 представлены вольтамперные характеристики А -транзисторов 5 (сплошными линиями) и 8(пунктирными линиями),Инвертор работает следующим образом.ЗОВ исходном состоянии сигнал нашину 12 не поступает, ее...

Номер патента: 898620

Опубликовано: 15.01.1982

Автор: Якимаха

МПК: H03K 19/40

Метки: дополняющих, инвертор, мдп-транзисторах, микромощный

....упро 2 Ощенным выражением при ЧрЪ 4 Чт( Мг - температурный потенциал)р=оехр (ЧР-Чт) /и т)где 1 - ток стока;1 о - тепловой ток стока;25Ч,- напряжение затвор-исток;Ч - пороговое напряжение в микрорежиме;и - фактор, учитывающий рекомбинационные процессы на позоверхности полупроводникаподложки (1 а(3),Основным недостатком микрорежимаМДП-транзистора является сильнаятемпературная зависимость почтиЗ 5 всех параметров, входящих в формулуно включенные р-канальный МДП-транзистор 7 в резистивном включении и и-канальный МДП-транзистор.8 микро- мощного повторителя напряжения включены между шинами 4 и 2. Между первой шиной 9 смещения и шиной 4 питания включен первый преобразователь уровня напряжения образованный последовательно включенными...