Патенты с меткой «полусумматор»

Номер патента: 535573

Опубликовано: 15.11.1976

Авторы: Иванов, Потапов, Яковенко

МПК: G06F 7/56

Метки: оптоэлектронный, полусумматор

...оптический модулятор 5 служит для получения сигнала суммы , а амплитудный оптический модулятор4 - для получения сигнала Перенос (Р) в 25следующий разряд, Резисторы 8, 9, 10 и 11 образуют делитель напряжения.Параметры схемы подбирают так, чтобы прифоновой засветке к амплитудным оптическиммодуляторам 4 и 5 было приложено напряжение, делающее их прозрачными для оптического излучения. Этому состоянию схемы соответствует нагрузочная прямая а с координатами рабочей точки 10 У, (где 1 - ток в цепи,а У, - падение напряжения на туннельном 35диоде 2).При засветке фотоприемника 1 одним изсветовых потоков Х и У его сопротивлениеуменьшается, нагрузочная прямая занимаетположение 1 с координатами рабочей точки 1 ь 40У. Основное падение...

Номер патента: 539378

Опубликовано: 15.12.1976

Авторы: Верзунов, Чернявский

МПК: H03K 19/16

Метки: полусумматор

...и сигнала на выходе пет. Пусть в момс:т действия тактовой частоты па Вход погусумматора поступаст дВОичпый кОд, и котОр 01 нсООходпО нрпоВить сдпни 1 д м;аднсго разряд. При это 5 р;Пзпсторы ясск 67 Открытыи;пряження псточи 2 пит;- НН 5 ПОСТПа(0 В СХСЪч ПОЛГСМ:12 ТОР 2 П ВЬ- дсг 55 Отся па рсзпсторе, включенном в дпаго5393785 о;таЯтоль Л, БатинТсхрсд М, Семенов Соррсктор О, Тюрин едантор Н. Каменска аназ 2768/17 Изд. М 1886 Тираж029 ИСНОС ияо ,Ирви, ). С,а:5 и 5 ва ц 1 лп комм 5 таторя 1. Входпь 1 с Оомотки элсмспта несовпадения 2 обссточепы, фсрритовый сердечшис пе пзмспяст свосго пулевого состояния и с 1 ггнал па выходе отсутствует. В ТО ЖЕ ВрЕМя ЧсрСЗ ВХОдну 10 ООМОТК 57 ягИ 1 Си 8 протекает ток, который персмагппчивает сердечник...

Номер патента: 600734

Опубликовано: 30.03.1978

Авторы: Горячев, Мансуров

МПК: H03K 19/20

Метки: моп-дс, полусумматор, транзисторах

...транзисторов.1-1 аиболее близким к изобретеншо является полусумматор (3), содержащий элемент И - НЕ па МОП - ДС транзисторах. Однако такой полусумматор недостаточно надежен.Целью изобретения является повышение надежности. Это достигается тем, что в полусумматор дополнительно введены две логические ячейки, каждая из которых выполнена на двух МОП - ДС транзисторах, причем точка соединения стока и истока транзисторов каждой логической ячейки подключена ко входам элемента И - НЕ, объсдинснныс затворы транзисторов каждой ячейки - к истоку. транзистора и-типа другой логической ячейки и ко входу полусумматора, а стоки транзисторов 0-типа обеих логических ячеек - к шинс питания,Электрическая схема предлагаемого полу- сумматора приведена на...

Номер патента: 935947

Опубликовано: 15.06.1982

Автор: Фурсин

МПК: G06F 7/50

Метки: инжекционных, полусумматор, элементах

...вторым коллектором второго двухколлекторного транзистора, третий коллектор соединен с выходом переноса полусумматора, коллектор первого одноколлекторного транзистора соединен с выходом суммы полусумматора.На чертеже представлена принципиальная схема полусумматора.Полусумматор содержит двухколлекторные транзисторы 1 и 2, одноколлекторные транзисторы 3 и 4 и трехколлекторный транзистор 5. Полу- сумматор имеет входы 6 и 7, выход переноса 8,и выход суммы 9. Базы всех транзисторов соединены с выходами инжектирующих источников тока 10.Данный полусумматор работает в инвертном коде, т.е. сигналу нуля соответствует высокий потенциал, а единице - низкий, При подаче на входы полусумматора двух логических единиц, транзисторы 1 и 2 закрыты, а...

Номер патента: 1008909

Опубликовано: 30.03.1983

Авторы: Косоусов, Максимов, Петричкович

МПК: H03K 19/017

Метки: мдп-транзисторах, полусумматор

...- повышение быстродействия устройства.Поставленная цель достигаетсятем,что в полусумматор на МДП-транзисторах, содержащий первый, второй,третий и четвертый МДП-транзисторыР-типа и пятый, шестой, седьмой ивосьмой МДП-транзисторы П -типа, приэтом стоки первого третьего и цетвер 10 того транзисторов подключены соответственно к стокам пятого, шестого иседьмого транзисторов, сток второготранзистора подключен к первой выходной шине, затворы первого и пято 5 го транзисторов подклюцены к первойвходной шине, четвертого и седьмогок второй, третьего и шестого - к стокам четвертого и седьмого транзисторов, исток второго транзистора подклю 20 чен к истоку третьего транзистора, аисток четвертого - к шине питания,введен девятый ИДП-транзистоо,...