H01F 5/08 — H01F 5/08
Способ определения места возникновения нормальной фазы для сверхпроводящих магнитных систем с циркуляционным охлаждением
Номер патента: 1342309
Опубликовано: 15.10.1993
Автор: Желамский
МПК: H01B 12/00, H01F 5/08, H01F 7/22 ...
Метки: возникновения, магнитных, места, нормальной, охлаждением, сверхпроводящих, систем, фазы, циркуляционным
...тока в магнит. Датчик 5 нормальной фазы предназначен для измерения напряжения нормальной фазы на обмотке магнита, Сигналы с датчика 5 нормальной фазы и с акустического приемника 1 подаются на измеритель б временных интервалов. Сигнал с акустического приемника 1 усиливается в необходимое число раэ усилителем 7,Устройство работает следующим образом,При появлении нормальной фазы сигнал с датчика Б запускает измеритель б, который останавливается сигналом с при. емника 1, усиленным а усилителе 7, В результате измеритель 6 показывает величину, пропорциональную расстоянию Способ определения места возникновения нормальной Фазы для сверхпроводящих магнитных систем с циркуляционным Охлаждением, основанный на регистрации электрического...
Устройство криорезистивных обмоток электромагнитной системы с тепловой защитой
Номер патента: 1551146
Опубликовано: 15.08.1994
МПК: H01F 5/08, H02H 5/04
Метки: защитой, криорезистивных, обмоток, системы, тепловой, электромагнитной
УСТРОЙСТВО КРИОРЕЗИСТИВНЫХ ОБМОТОК ЭЛЕКТРОМАГНИТНОЙ СИСТЕМЫ С ТЕПЛОВОЙ ЗАЩИТОЙ, содержащее датчик реактивного напряжения, первый вход которого имеет клемму для подключения первого вывода источника питания, его выход подключен к входу первого дифференциального усилителя, а второй вывод - к первому выводу датчика температуры, выполненного в виде криорезистивной обмотки, своим выходом подключенного к входу второго дифференциального усилителя, исполнительный орган, первый вывод которого имеет клемму для подключения второго вывода источника питания, второй вывод подключен к первому выводу датчика тока, выход которого соединен с входом третьего дифференциального усилителя, выход которого соединен с вторым входом первого компаратора и первым...
Устройство криорезистивной обмотки электромагнитной системы с тепловой защитой
Номер патента: 1551147
Опубликовано: 15.08.1994
МПК: H01F 5/08, H02H 5/04
Метки: защитой, криорезистивной, обмотки, системы, тепловой, электромагнитной
УСТРОЙСТВО КРИОРЕЗИСТИВНОЙ ОБМОТКИ ЭЛЕКТРОМАГНИТНОЙ СИСТЕМЫ С ТЕПЛОВОЙ ЗАЩИТОЙ, содержащее исполнительный орган, первый вывод которого имеет клемму для подключения к первому выводу источника питания, к второму выводу исполнительного органа подключена цепочка из последовательно соединенных датчика тока, криорезистивной обмотки электромагнита и датчика реактивного напряжения, свободный вывод которого имеет клемму для подключения к другому выводу источника питания, первый дифференциальный усилитель, вход которого подключен к датчику реактивного напряжения, второй дифференциальный усилитель, вход которого подсоединен к криорезистивной обмотке электромагнита, третий дифференциальный усилитель, вход которого подключен к датчику тока, при этом...