Резистивный элемент

г т,)ЖОПИСАНИЕИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ 26690 Союз Соаетских Социалистических Республик( 1269459/24-7аявки4/01 аявлено 061 Х.196 Кл исоединением К Н 01 с 302 ПриоритетОпубликовано 01,17.1970. Бюллетень12Дата опубликования описания 7.И 1.1970 Камитет ло делам изобретений и открытий ори Совете Министров СССР, Молча Заявитель ЕЗИСТИВНЫЙ ЭЛЕМЕ иченный характер, еличины поперечделяемой допустиньшение толщины увеличения ширио, увеличению поперечном напряжеаничению диапазоможет иметь огран ьку для заданной в ечения пластин, опре лотностью тока, уме ит к необходимости стин и, следовательн стного эффекта в по соответственно к огр отпой применимости. способ поскол ного с мой п 5 приводны пла верхно нии и на част 10 вертка пластинчатона фиг, 2 - бифи. Известны конструкции резистивных элементов, содержащие токоподводы и активную часть в виде двух идентичных половин бифилярно сложенных, пластин из электропровод- ного материала с прорезями, разделяющими эти пластины на отдельные элементы сопротивления, расположенные перпендикулярно линии перегиба и подсоединенные к токоподводу параллельно. В этих конструкциях за счет создания и-ного количества прорезей можно получить вполне определенные величины сопротивлений, в том числе и низкоомные значения, необходимые, например, для шунтов.Поскольку реактивность низкоомных резисторов имеет индуктивный характер, бифилярная конструкция является достаточно эффективной: она существенно уменьшает реактивность шунта,Однако остаточная реактивность известных низкоомных резисторов обычной бифилярной конструкции имеет все же довольно значительную величину, что ограничивает диапазон их частотной применимости. Что касается поверхпостного эффекта, то в известных конструициях низкоомных резисторов, по существу, не предусмотрено специальных способов для уменьшения влияния этого эффекта, за исключением общеизвестного стремления уменьшить толщину пластин. Однако этот В предлагаемом резисторе токоподводы выполнены в виде бифнлярных пластин, разделенных прорезями на систему отдельных параллельно включенных пластинок, Расстоя ние между каждыми двумя соседними прорезями и,поперечные сечения отдельных пластинок уменьшаются по мере удаления пластинок от продольной оси симметрии резистора, увеличивая при этом соответственно их сопро тивление.Это снижает реактивные потери, обеспечивает равномерное распределение плотности тока по всему сечению активной части и уменьшает влияние поверхностного эффекта 5 в этой части резистора, что позволяет уменьшить частотную, погрешность и увеличить диапазон частотной применимости низкоомного резистора.На фиг, 1 показана раз0 го резистивного элемента;лярный резистивный элемент, согнутый по линии сгиба Л - А, общий вид.Активная часть Б шунта, т. е. та часть, которая находится между точками В и В присоединения потенциальных отводов к токовым пластилинам шунта, разделена прорезями 1 на ряд пластинок.Токоподводящая часть Г шунта, т. е. та его часть, которая находится между активной частью Б и контактивными пластинами 2 шунтаприсоединяемыми к внешней цепи, выполнена в виде бифилярных изолированных друг от друга пластин, в которых также выполнены прорези 3, превращающие сплошную пластину токоподвода в систему элементарных токоподводящих пластинок.Прорези на токоподводах расположены симметрично относительно оси симметрии шунта, причем расстояние между двумя соседними ,прорезями, то есть ширина, а следовательно, и сечение элементарных токоподводящих пластинок уменьшается по мере их удаления от продольной оси симметрии к краям,шунта. Поэтому электрическое сопротивление отдельных токоподводя:цих пластинок оказывается неодинаковым: по мере удаления пластинок от оси симметрии шунта оно будет возрастать.Известно, что поверхностный эффект приводит к вытеснению тока от внутренних частей любого проводника к,периферийным частям. Перераспределение плотности тока, т. е, увеличение ее по мере удаления от внутренних частей провода к периферийным, происходит для данной частоты или заданного диапазона частот по вполне определенному закону. По такому же закону распределены и лрорези в токоподводящей части шунта, вследствие чего в тех частях шунта, где действие поверхностного эффекта приводит к увеличению плотности тока, оказываются элементарные пластинки с большим электрическим сопрогивлением и, наоборот, участкам с меньшей,плотностью тока соответствуют токоподводящие пластинки с меньшим сопротивлением для прохождения тока, 5 Таким образом, наличие прорезей 3, соответствующим образом расположенных на токоподводящей части сопротивления шунта, приводит к уменьшению тока в его периферийных частях и увеличению тока в цент 10 ральных частях, т, е. создает эффект, обратный поверхностному эффекту. Это дает возможность обеспечить равномерное распределение,плотности тока по всему сечению активной части шунта, уменьшить поверхностный15 эффект в этой части шунта и в конечном счете уменьшить частотную погрешность и увеличить диапазон частотной применимости шунта.Предмет изобретения1. Резистивный элемент, содержащий токоподводы и активную часть в виде двух идентичных половин бифилярно сложенных пластин из электропроводного материала с про резями, разделяющими эти пластины на отдельные элементы сопротивления, расположенные,перпендикулярно линии перегиба и подсоединенные к токоподводу .параллельно, отличающийся тем, что, с целью снижения 30 реактивных потерь и расширения диапазоначастотной применимости, токоподводы выполнены в виде бифилярных пластин, разделенных прорезями на систему отдельных параллельно включенных, пластинок.35 2, Резистивный элемент .по п. 1, отличающийся тем, что прорези в токоподводах выполнены так, что расстояние между каждыми двумя соседними прорезями и поперечные сечения отдельных пластинок уменьшаются 40 по,мере удаления пластинок от продольнойоси симметрии резистора, увеличивая при этом соответственно их сопротивление.266901 Фиг. 2 иг Составитель А, ХодатаеваРедактор Э. Рубан Техред Л, Я, Левина Корректор А. И. Зим Тип пр. Сапунова,Заказ 1769/9Ц 1.ИИПИ Комитет Тираж 480делам изобретений и открытий пр Москва Ж, Раушская наб., д. 4 Подписное зете Министров СССР