Резистивный материал

Номер патента: 641813

Опубликовано: 15.12.1979

Автор: Шулишова

МПК: H01C 7/00

Метки: композиционных, материал, резистивный, резисторов

...по сравнению со стехиометрическим составом.Изготовляется материал методом боротермического носстзновления ок си кальция в вакууме, 1 йхта рассчитывается на прохождение реакции СаО + 7 В= СаВ 6 + ВО. При составлении шихты берется запланированное избыточное количество одного из ее компонентов (окиси кальция или бора). Реакция проводится при 1800 ОС в течение 1 ч,Изменение соотношения компонентов состава н указанном диапазоне позволяет получать резистивный материал для токопроводящей Фазы н диапазонеб 41813. 17 0 60 материал с тного, поско тной окиси са стоимос 40 к,эа 1 кг 5780 О,15 36 ормула иэобре 5 . 148320 25 зИэвестсамари кальци бор ный материадй 1,0-;69,6:й 0,13437,6 230,2-,615 1,5- 2 Как виднтериал, нети значенийуспешно заний...

Номер патента: 898517

Опубликовано: 15.01.1982

Авторы: Колдашов, Красов, Поташникова, Пуронене, Пушкина, Турчина, Фомина, Чигонин

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, резисторов

...параметров при длительном воздействии (в течение 30 сут) повышенной влаж. ности (98%) не более й 1% и ТКС не более 100 101/С.П р и м е р. Порощкообразные окись свинца, двуокись кремния, двуокись рутения, окись индия тщательно смешивают. Из полученной массы прессуют таблетки, Таблетки по мешают в корундовый тигель и проводят син.8517 4нической связкой, наносят на подложки изкерамики "22 ХС" и вжигают в конвейернойпечи при 800 - 850 С, Приготовляют четыре со.става предлагаемого материала для резисторов.Соотношения исходных компонентов материалаи электрофизические характеристики получен.ных резисторов приведены в таблице. опротивление, Ом/кв ТКС, 1/ С 10 6 Стабиль. при 25-125 С ность, %+2,8 Известный 24 71 5 в 5 Из таблицы следует, что...

Номер патента: 911629

Опубликовано: 07.03.1982

Авторы: Колдашов, Красов, Поташникова, Пуронене, Турчина, Фомина, Чигонин

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, резистивный

...влажности (98) не более Ф 1 а также выход годных резисторов 75-95 (в зависимости от величины сопротивления резисторов).911629 Сонротив- ТКС 1/фС ление, . 108(при Ом/О 25-. 155 С)ею ю ю Ве Содержание; мас.Ф Стабильность,Ф Состав в 1 О Рьо, вцо 1 ипо 1 и Предлагаемый 117 7010 1, 2 4990 13 47 30 . 4 б 129 100 1,2 0,7 100 10. 35 25 10 20 9,3 69,8 20,9 Известный Формула изобретения Редактор Н,Гришанова Составитель Н,КондратовТехред Л.Пекарь Корректор О. Билак Заказ 1140/46 Тираж 758.ВНИИПИ Государственного комитета СССР. по делам изобретений и открытий 113035,Москва, Ж, Раушская наб.,4/5Подписное филиал ППП Патент 1 г.ужгород, ул.Проектная,4 Установлено, что при содержании в резнстйвной композиции вольфрама менее 2 и более 20 мас, Ф и...

Номер патента: 682956

Опубликовано: 30.08.1979

Авторы: Баскакова, Горячева, Грибенюк, Кривошей, Солнцев, Юсова

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, резистивный

...Полученные прессованные заготовки подвергают размолу и рассеву до достижения дисперсности +63 - 100 мкм. Окись кадмия и ниобия дисперсности +20 - 44 мкм и фракция лигатуры +63 - 100 мкм тщательно перемешивают, и 10 из полученной шихты прессуют резистивные элементы методом гидропрессования при давлении 0,6 т/см-. Спрессованные изделия спекают при 600 С в воздушной среде в течение 6 ч в печи электросопротивлс ния. Скорость охлаждения составляет300 град/ч.В таблице приведены характеристики резистивных элементов на основе предлагаемого материала в зависимости от различ ного количественного содержания компонентов.Преимуществом предлагаемого матсриала по сравнению с известными является повышенная мощность рассеяния за счет уве личения...

Номер патента: 491163

Опубликовано: 05.11.1975

Авторы: Волков, Капусткин, Фотиев

МПК: H01C 7/04

Метки: материал, резисторов, термочувствительный

...данного типа. Это приводит к перекрыванию 3(1 орбиталей ионов ванадия и появлению металлического характера проводимости.П р и м е р 1. Из мелкокрио порошка кислородной ванади натрия ХаЪбОц прессуют пол давлеццем - 10000 кг/см таблетку диаметром 6 л:,я н ллш;ой 10 л.и. Таблетку спекают в вакуумнрованной ампуле при температуре 650 С в 5 течение - 25 час. После этого образец помешают в вакуум - 10 -и,я рт. ст. и потецциометрическим методом на постоянном токе цзмеряюг его электропроволность в зависимости от температуры.На графике (фиг. 1), гле по осц орлццаготложен логарифм электросопротцвлснця (в о,и сл), а по осн абсцисс - елиццца, лелеццая на абсолютную температуру (в Т, К-), кривая 1 получена при нагревании об разца н 2 прц его...