Резистивный датчик
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
ОП ИСАЯ ИЕИЗОБРЕТЕН ИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз СоветскихСоциалистицескихРеспублик(22) Заявлено 2 1) М. Кл. С 011 рисоединением заявк Государственный комитет Совета Министров СССР оо делам иэооретений и открытий3) Приоритет Яе 27 53) ано 25.07.75 Бюлл пуб 6,531 25(0 ВЯ Я та опубликования описания 27,01.,76 А. Клименко 1 Г 1, Ибрагимов, А. Г. Климен Авторыизобретени водников Сибирского отделения А 1 нститут физики и Заявитель) ГЕЗИСГИВ 11 ЫЙ ДАТ 11 К ермометрам.температур ся ереци паратуру Цельти измеро турДля э Известны цизкотемперату рць ивцые датчики, вьполнеюье назис нове 8 п 0 в преднаа й элемент растворо о ом ств т ольцых пленок, двуокиси олова чувствите слоев тве ьн ып олпе е легированного сурьмой, монокристаллического СЕ и 31 рдь Г 1 ри ф качеств свойств11 едоста ткых пленок и м ранее основано ца неизу тчиков на основе уголь легированного сурье: изменении сопротицием температуры в об лени 2 измене ст мой, является низкая стабильность и восцрозводимость при отогревах, так к в основе этих датчиков используются аморфные или поликристаллические плен ки.Датчики ца основе монокристалличес кого Се и 8 обладают высокой чувствиельностью и стабильностью. Однако эти дат 1 ики чувствительны к магнитным по лям и их характеристики имеют большу неравномерность температурного коэффи ниента сопротивления (резкое возрастание сопротивления в области жидкого г 77 К. 11 ан цокристаллических в СЕ+ 81, получ огут быть изгот слоев еццых влены твердых растворона диэлектрике, мрезис тивные низкотемпературные дладающие высокой чувствите тью ороше п и точностью, хстабильностью яем остью ах до комаг 350 К), с маполей и равнов области темотогрев выше ( цой температу лым влиянием мерной чувств 25 ператур жидко гнитных ительностыо о гелия. Изобретение относи сопротивления для изм в области 4,0 - 250 сложняет измерительную аптенин - повышение точнос ий в области низких темп ение этого материала в новомЗаказ Я ЯкО Изд. М 90 Тираж 740 Подписное 111 П 11 И 1 осуларствен ного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий Москва, 113035, Раушская наб., 4 Предприятие с 11 атент, Москва, Г.59, Бережковская наб., 24 Датчики температур, изготовленные из твердых растворов 68+ 31, найдут широкое применение при решении научных и технических задач, связанных с точными измерениями низких температур. На основе слоев твердых растворов Се+31 на керамике возможно изготовление нескольких датчиков на одной подложке, что может быть использовано для точного измерения градиентов температуры в области жид кого гелия,В качестве материала для датчика использовался монокристаллический слой твердого раствора Се + 81 с содержанием 81 80% удельным сопротивлением прн комнатной температуре /1 =0,11 ом.см и концентрацией акцецторных примесей Ма - -4,.:10 см, полученный на кера 17 -3мике, Толцпгца слоя составила Й =3 30 мкм. При охлаждении пленок твердогораствора СЕ+ 31 удельное сопротивлениеих возрастает, Воспроизводимость сопротивления пленок при отогревах от 4,2 доо350 К составляет 0,1%, что позволяетизмерять температуры в области жидкогогелия с точностью до 001 оК. 10 Предмет изобретения Резистгвный датчик, соиержаший чувствительный элемент в виде пленки, нанесенной на диэлектрическую подложку, о т личающийсятем, что,сцельюповышения точности измерений в области низких температур, чувствительный элемент выполнен в виде монокристаллических слоев твердых растворов (аЮ + 81
СмотретьЗаявка
1972949, 28.11.1973
ИНСТИТУТ ФИЗИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ СО АН СССР
ИБРАГИМОВ РАВИЛЬ ШАЙХУЛЛОВИЧ, КЛИМЕНКО АНАТОЛИЙ ГРИГОРЬЕВИЧ, КЛИМЕНКО ЭРНЕССА АЛЕКСЕЕВНА
МПК / Метки
МПК: G01K 7/16
Метки: датчик, резистивный
Опубликовано: 25.07.1975
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-478202-rezistivnyjj-datchik.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Резистивный датчик</a>
Предыдущий патент: Оптический способ измерения температуры
Следующий патент: Устройства для определения количества льда и незамершей воды в образцах
Случайный патент: Ограждение