Резистивный материал

Номер патента: 531197

Опубликовано: 05.10.1976

Авторы: Красов, Мишанин, Пиганов, Хромов, Чернобровкин

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, резистивный

...его алюминат прдуюшем колич ественном соотношенииных компоне. тов, вес. %Моноокись кремния 5-105 Алюминат неодима 30-70лром остальноДля получения материала для вьных резисторов было приготовленосмесей с оазличным содержанием алюмината неодима. Пои этэн" были использованыпорошки исходных материалов с размеромзерен 0,02- 0,08 мм,Перед напылением материал прогреся в испарителе при температуое 800 о15 1000 С в течение 5-10 минут,Полученные материалы имели следуюццхарактеристики.531 197 Моноокись кремнияАлюминат неодимаХром 5-1030-70 остальн ое. Составитель В. ЛякишевРедактор С. Титова Техред О, Луговая Корректор И, Гоксич Заказ 5 о 45/144 Тираж 9 б 3 Подписное ШИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и...

Номер патента: 240820

Опубликовано: 20.10.1999

Авторы: Заборская, Зуева, Кайнов, Курилло, Стакло, Терехов

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, металлопленочных, резисторов, токопроводящий

Токопроводящий материал для металлопленочных резисторов, содержащий полупроводниковую, например кремниевую, основу и токопроводящие компоненты, например никель и вольфрам, отличающийся тем, что, с целью повышения удельного сопротивления материала, он содержит 75 - 80% кремния, 15 - 17% никеля, 1,5 - 4% вольфрама и 2,5 - 3% титана.

Номер патента: 317113

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Агарков, Болдырев, Власов, Павлов, Павлушкин, Рудовол

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, непроволочных, объемного, резисторов, типа

...наполнителя использован хромово-титановый боридв области гомогенности, а в качестве связующего алюмо-боро-силикатно-бариевое стекло,Кроме того, упомянутые компоненты взяты в 20весовых процентах в следующем соотношении: хромово-титановый борид 50 - 80, алюмо-боро-силикатно-бариевое стекло 20 - 50.Предлагаемый материал для непроволочных резисторов объемного типа изготовлен 2методом горячего прессования при +900 С вслабо восстановительной среде. В качестверезистивн ого материала в нем примененсложный тугоплавкий борид: Т 1 о,аСго 2 В, а вкачестве связующей фазы - стекло состава, З 0 вес. %: 8102(4 - 20); В 20 з (8 - 20); ВаО (60 - 78); А 120 з (до 12).Содержание резистивного материала в композиции составляет 50 - 80 вес, %, остальное -...

Номер патента: 809410

Опубликовано: 28.02.1981

Авторы: Корзо, Юсипов

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, резистивный, резисторов, тонко-пленочных

...вес.в: Каждую смесь сплавляют отдельно в электрической печи, углерод в виде мелкодисперсной сажи вводят в расплав после плавления хрома и кремния,Иэ каждой смеси резистивного материала отливают мишень диаметром 130 мм, толщиной 12 мм. После остывания мишень подвергают механической обработке для снятия верхнего слоя на глубину О, 5-1 мм, ионно-плазменным распылением в атмосфере аргона при рабочем давлении 3,410 Па иэ нее получают резистивные пленки с поверхнзостнык сопротивлением 0,5.1 кОм/ммЭксплуатационные испытания резистс-ров на основе сплава хром-углерод- кремний в температурном интервале до 400 С и в вакууме 10Па в течение 1000 ч показывают, что изменения номинальных значений сопротивлений составляют не более 7,8.Установлено,...

Номер патента: 1019500

Опубликовано: 23.05.1983

Авторы: Астров, Карпеченков, Слушков, Теплицкая, Шоткин

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, резистивный, резисторов, тонкопленочных

...резистивный материал,включающий хром, кремний, вольфрам, идиоксид марганца, дополнительно содержит диоксид церия при следующем количественном соотношении компонентов, вес.Ъ:ВольФрам 10-20Кремний 15-25Диоксид марганца .15-30Диоксид церия .8-36Хром ОстальноеВведение в известный резистив-ный материал двуокиси церия - оксицаметалла с большим атомным весом "позволяет .расширить диапазон удельных сопротивлений реэистивных пленок,получаемых ионно-плазменным напылением до 12000 Ом/о при низком (длявысокоомного диапазона) ТКС в пределах (.150-400) 10 1/С и при сохранении во всем. диапазоне высокой стабильности их свойств во времени притемпературе окружающей среды от -60до +155 С.П р и м е р. Для получения мишенейиэ резистивного материала готовят...