Патенты с меткой «проводимости»

Номер патента: 1826070

Опубликовано: 07.07.1993

Авторы: Бадинтер, Гришанов, Зотов, Торкунов, Чернов

МПК: G01R 27/00

Метки: магазин, проводимости, сопротивления

...КЯр(1-0,Х 1, ., Хь, Хм), (22) При К0 напряжение О с полярностью,противоположной полярности напряжениюОаь, прикладывается между выходом и инвертирующим входом повторителя-усилителя 2 и повторяется последним междуполюсоми Ь как напряжение Оь = О, (23)также противоположное по полярности падению напряжения на включенной ступенисопротивлении ВР масштабного мультирезистора 1.Итоговое напряжение на пути прохож-.дения рабочего тока между полюсами а иравно:081 = Оаь+ Оы Оаь+ 0=-1 йр(1 + К - КО,Х 1, , Хь , Хм),откуда в соответствии с законом Ома воспроизводимое (имитируемое) между пол юсами а и 1 току 1 сопротивление йзт - Оак/1" йр(К+ 1- КО,Х 1 Хь Хм), (25)18260 ТО Особенностью заявленного магазина сопротивления является то, что при К = -1 ЕГО...

Номер патента: 1827693

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Бестаев, Мошников, Томаев

МПК: H01L 21/66

Метки: гомогенности, границе, изменения, области, проводимости, соединений, температуры, типа

...о парах лигатуры соста 30 35 40 45 50 55 длиной 150 мм, которую предварительно подвергали травлению, затем термообрабатыоали о вакууме, создавали давление 10мм. рт. ст, и затем отпаивали, Процесс вы-. ращивания занимал 4 - 5 дней, Условия выращивания были следующие: температура роста 860 - 925 С, градиент температуры 3 - 10 С. На плоском своде ампулы, как правило, о конце процесса роста получали 5 -7. кристаллов с формой правильного параллелепипеда и с линейными размерами 3 х 3 х 2 мм.Состав полученных монокристаллов РЬо,дзЗпо,отЯе определяли методом локального рентгеновского анализа. Однородность по электрофизическим свойствам контролировали с помощью нестационарного термозондооого анализа. Для кристаллов была характерна высокая...

Номер патента: 1835518

Опубликовано: 23.08.1993

Авторы: Абурджания, Долидзе, Муселиани, Никурадзе

МПК: G01R 17/12

Метки: проводимости, удельной, электрической, электролитов

...и одновременно цилиндр 4 выполняет роль электромагнитного экрана для исключения влияния внешних электрических и магнитных полей,Подают сигнал от генератора на усилитель мощности (на фиг,2 не указаны), усиливаемый сигнал подается на первичную обмотку возбуждающего трансформатора 1, ток 1 проходя по виткам первичной обмотки трансформатора 1 вызывая магнитный поток, который одновременно пронизывает столбик исследуемой жидкости и компенсационную .обмотку возбуждающего трансформатора К.0,1, образуя потокосцепление взаимных индуктивностей. Столбик исследуемой жидкости и компенсационная обмотка К,0,1 включены согласно, изменение потокосцепления взаимных индуктивностей в столбике исследуемой жидкости и компенсационной обмотке К,0,1. вызывает...

Номер патента: 2003122

Опубликовано: 15.11.1993

Авторы: Ильина, Подгорный, Смирнов

МПК: G01R 27/26

Метки: активной, амплитудного, двухполюсников, детектора, измерении, компенсации, погрешности, проводимости

...точности измере 10ния на высокой частоте эквивалентнойпроводимости двухполюсника (резисторовили других обьектов).Поставленная цель достигается тем, чтов известном способе измерения проводимости, основанном на измерении изменениярезонансного напряжения наС-контурепосле шунтирования ега исследуемым двухполюсником, дополнительно измеряют ширину резонансной характеристики.С-контура до и после шунтирования контура исследуемым двухполюсником, а измеряемое значение эквивалентнойпроводимости вычисляют по формулеОго25д фСх + ЬСчо - го - 2 ЬСцо)Яхь 7= Ггде а - отношение резонансного напряжения Ог к напряжению Оо, при котором измеряется емкостная ширина резонанснойхарактеристикиС-контура;ЬСяо - емкастнаЯ шиРина...

Номер патента: 2003968

Опубликовано: 30.11.1993

Авторы: Акилова, Зимин, Коробков, Собисевич

МПК: G01N 27/07, G01N 27/42, G01R 27/22 ...

Метки: жидкости, проводимости, удельной, электрической

...соединен е неин вертирую щим входом первого дифферен циал ьнаго усилителя 11, Инвертируюшиь вход усилителя 1135 рительных электродов М и й, подается навходной усилитель. Если входное сопротив. ление усилителя много больше 2 Яг + Епи + 40 5 10 15 20 25 ЗО соединен с выходом второгодифференциального усилителя 12, а выход - с неинвертирующим входом двойного дифференциальногоусилителя 15. Входы второго дифференциального усилителя 12 соединены с измерительными электродами первичногопреобразователя 18, выход фазовращателя14 соединен с первым входом синхронногодетектора 17, Выход которого соединен срегистрирующим прибором 10,Для пояснения работы устройства нафиг,З приведена эквивалентная схема, где Аи В - излучающие электроды, М и й -...

Номер патента: 2004523

Опубликовано: 15.12.1993

Авторы: Александров, Волков, Волкова, Ковалев, Овчинников, Фокина, Шабанов

МПК: C04B 35/00

Метки: высокотемпературных, проводимости, сверхпроводников, типом, электронным

...отжига образца 860 С выбрана экспериментально, При более низкойтемпературе МНаМОз не улетучивается пол 10 ностью, что приводит к ухудшению качествакерамики и оптимальные значения физикохимических параметров не достигаются,Увеличение температуры влечет за собойпотерю таллия, нарушение стехиометриче 15 ского состава образца; он становится двухфазным, а сверхпроводящие свойства резкоухудшаются,Время отжига 10 мин также подобраноэкспериментально, При уменьшении време 20 ни отжига не достигаются максимальныезначения физико-химических характеристик образца, при увеличении времениони резко ухудшаются. Так экспериментально установлено, что длительный отжигв течение 96 ч при 690 С приводит к резкому ухудшению свойств сверхпроводника(Тс =40...

Номер патента: 1632311

Опубликовано: 27.01.1995

Авторы: Бессольцев, Вернер, Неволин

МПК: H01L 39/00

Метки: высокой, микропроводников, проводимости, формирования

СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ МИКРОПРОВОДНИКОВ ВЫСОКОЙ ПРОВОДИМОСТИ, включающий подачу постоянного напряжения между поверхностью подложки с эпоксидной смолой и погруженным в нее игольчатым электродом, перемещение его от подложки на длину формируемого микропроводника с последующей полимеризацией эпоксидной смолы, отличающийся тем, что, с целью повышения технологичности за счет снижения температуры формирования, после подачи напряжения игольчатый электрод перемещают к подложке до возникновения туннельного тока, затем повышают напряжение при неподвижном игольчатом электроде до возникновения тока короткого замыкания, отводят игольчатый электрод от подложки со скоростью, удовлетворяющей условиюV

Номер патента: 1616340

Опубликовано: 20.10.1995

Авторы: Грачева, Котельников, Мещерякова, Шляхтенко

МПК: G01R 27/00

Метки: используемых, нанесении, однородных, покрытий, поле, проводимости, частиц, электрическом

СПОСОБ КОНТРОЛЯ ПРОВОДИМОСТИ ОДНОРОДНЫХ ЧАСТИЦ, ИСПОЛЬЗУЕМЫХ ПРИ НАНЕСЕНИИ ПОКРЫТИЙ В ЭЛЕКТРИЧЕСКОМ ПОЛЕ, заключающийся в том, что заданное весовое количество контролируемых частиц с нормированной массой помещают в конденсатор с вогнутыми электродами, установленными в горизонтальных плоскостях симметрично относительно вертикальной оси, на электроды подают постоянное напряжение и измеряют ток, протекающий в цепи электродов, связанный с движением контролируемых частиц, перемещающихся в пространстве под действием электрического поля, отличающийся тем, что, с целью повышения точности измерений, измеряют только ток, протекающий через часть поверхности нижнего электрода, симметричной относительно вертикальной оси симметрии и ограниченной...

Номер патента: 1440296

Опубликовано: 10.12.1995

Автор: Минеева

МПК: H01L 21/28

Метки: арсениду, галлия, контактов, омических, проводимости, типа

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ОМИЧЕСКИХ КОНТАКТОВ К АРСЕНИДУ ГАЛЛИЯ n-ТИПА ПРОВОДИМОСТИ, включающий химическую очистку пластины, нанесение германия и палладия, нагрев в инертной среде, отличающийся тем, что, с целью повышения качества и надежности контактов путем снижения переходного сопротивления, на пластину после химической очистки наносят химическим путем палладий, толщиной нагревают структуру до 200 300oС, германий наносят толщиной после чего наносят никель или алюминий, толщиной

Номер патента: 1826744

Опубликовано: 10.04.1996

Автор: Марков

МПК: C22F 1/00, G01R 19/30

Метки: аномальной, повышенных, проводимости, создания, температурах

...ток со ществляют путем навивки спирали.40 Способ осуществляют следующим образом, Деформированные проводники крепили в вакуумной камере на изолированных друг от друга подвесках, концы крепили к токоподводам. Затемуз камеры откачивали воздух и заполняли ее ф атмосферного давления инертныМ газом, Затем на токоподводы подавали ток от. источника постоянного тока, на котором можно устанавливать режимы по стабилизации тока и/или напряжения, Йзменение тока в проводниках задавалось изменением напряжения на выходе источника питания либо напряжение на источнике питания задавали 600 В, а стабилизацию тока изменяли во времени до требуемого значения. сывали на двухкоординатном самописце.На проводник подавали ток, возрастающийво времени, но при этом...

Номер патента: 1589963

Опубликовано: 10.07.1996

Авторы: Астахов, Борисов, Варганов, Демидова, Дудкин, Ежов, Зигель, Колбин, Мирошников, Мозжорин, Пасеков, Просветова, Савельева, Таубкин, Фадеева, Цепов

МПК: H01L 31/18

Метки: n-типа, антимониде, индия, проводимости, фотодиодов

Способ изготовления фотодиодов на антимониде индия n-типа проводимости, включающий подготовку поверхности исходной пластины антимонида индия, формирование легированных областей p-типа проводимости, анодное окисление в электролите, содержащем раствор электропроводной добавки в глицерине и органический растворитель в объемном соотношении 1 1, нанесение пассивирующего диэлектрика и формирование контактной системы, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных фотодиодов, пробивных напряжений фотодиодов и их стабильности за счет формирования в анодной окисной пленке отрицательного стабильного встроенного заряда, анодное окисление проводят в электролите, содержащем в качестве электропроводной добавки сернистый натрий в количестве 0,1,...

Номер патента: 1378711

Опубликовано: 20.08.1999

Авторы: Кулешов, Панин, Редькин, Юнкин, Якимов

МПК: H01L 21/306

Метки: зондовых, кадмия-ртути, методик, основе, п-типа, проводимости, структур, теллурида, тестовых, электронно

Способ изготовления тестовых структур для электронно-зондовых методик на основе теллурида кадмия-ртути р-типа проводимости, включающий обработку поверхности исходного кристалла полирующим бромсодержащим составом с последующим напылением медленно диффундирующих металлов из ряда: Al, Cr, Pb, Mn, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества тестовой структуры за счет повышения ее чувствительности в режиме наведенного тока для диагностики материала теллурида кадмия-ртути, перед напылением металла в течение 10 мин проводят плазменную обработку поверхности теллурида кадмия-ртути в ВЧ диодной системе в атмосфере Ar при давлении от 5

Номер патента: 1364146

Опубликовано: 27.12.1999

Авторы: Кулешов, Панин, Редькин, Юнкин, Якимов

МПК: H01L 21/306

Метки: p-n-переходов, кадмия-ртути, кристаллов, основе, п-типа, проводимости, теллурида, формирования

Способ формирования р-n-переходов на основе кристаллов теллурида кадмия-ртути р-типа проводимости, включающий обработку кристаллов потоком ионов, отличающийся тем, что, с целью повышения качества р-n-перехода за счет снижения радиационного воздействия на кристаллы, обработку проводят в плазме аргона ВЧ-разряда при давлении от 6,7 10-1 до 66,5 Па и величине удельной мощности на единицу поверхности от 0,6 до 1,3 Вт/см2.

Номер патента: 1653434

Опубликовано: 27.03.2000

Авторы: Буров, Кофтелев, Шишкин

МПК: G01N 27/90

Метки: величины, относительной, проводимости, удельной, электрической, электропроводящих

Способ измерения относительной величины удельной электрической проводимости электропроводящих изделий, включающий в себя четыре цикла измерения выходных сигналов вихретокового преобразователя, в каждом из которых осуществляют последовательное возбуждение преобразователя на трех частотах ,где n > 1, и измерение соответствующих сигналов U1i, U2i и U3i преобразователя, где i - номер цикла измерения, формирование из этих сигналов в первом, втором и третьем циклах сигналов корректировки S1, S2 и S3, коррекции сигналов...

Номер патента: 999774

Опубликовано: 20.05.2000

Авторы: Зильберфайн, Михайловский, Черепов, Эпов

МПК: G01R 17/10

Метки: измерительный, мост, полной, проводимости

Измерительный мост полной проводимости, содержащий усилитель в измерительной диагонали моста, детектор, соединенный с индикатором, отличающийся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей и повышения точности измерения импеданса МДП-структур, в него введены узкополосный фильтр (например, кварцевый), фазовый детектор, индикатор активной составляющей проводимости, блок стабилизации напряжения питания моста, причем выход усилителя соединен с узкополосным фильтром и вторым входом фазового детектора, выход узкополосного фильтра подсоединен к амплитудному и фазовому детекторам, а также к питающей диагонали моста через блок стабилизации напряжения питания моста, выходы амплитудного и...

Номер патента: 1147155

Опубликовано: 20.05.2000

Авторы: Зильберфайн, Михайловский, Черепов, Эпов

МПК: G01R 17/10

Метки: измерительный, мост, полной, проводимости

Измерительный мост полной проводимости по авт.св. 999774, отличающийся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей путем увеличения диапазона частот проводимых измерений, в него введены гетеродин, два смесителя и фильтр измерительных частот, причем первый смеситель включен между измерительной диагональю четырехплечевого моста и усилителем, узкополосный фильтр соединен со вторым смесителем, выход которого через фильтр измерительных частот подключен к блоку стабилизации напряжения питания моста, а гетеродин соединен со вторыми входами смесителей.

Номер патента: 1268013

Опубликовано: 20.09.2001

Автор: Коршунов

МПК: H01L 21/66

Метки: дна, долины, зоны, нижней, обманки, положения, полупроводникового, проводимости, структурой, точки, цинковой, энергетического

Способ определения энергетического положения точки Lic - дна долины L нижней зоны проводимости полупроводникового материала со структурой цинковой обманки путем измерения физических величин, отличающийся тем, что, с целью упрощения способа и удешевления применяемой аппаратуры, изготавливают образцы из анализируемого материала с различной концентрацией электронов, превышающей концентрацию вырождения при температуре измерений, включая максимально возможную величину, затем на каждом из упомянутых образцов измеряют величину эффективной массы электронов и концентрацию электронов, после чего проводят сравнение экспериментальной зависимости эффективной массы электронов от их концентрации с...

Номер патента: 913793

Опубликовано: 20.09.2001

Автор: Коршунов

МПК: G01N 21/00

Метки: вырожденных, полупроводниковых, проводимости, типа

1. Способ определения типа проводимости вырожденных полупроводниковых материалов, преимущественно с различными эффективными массами электронов и дырок, основанный на сравнении параметров, измеренных на исследуемом материале и эталоне, отличающийся тем, что, с целью упрощения и обеспечения бесконтактного определения типа проводимости приповерхностных слоев, в качестве эталона используют невырожденный полупроводниковый материал, образец и эталон освещают поляризованным светом с длиной волны, не превышающей длины волны красной границы поглощения кр.эт эталона, плавно перестраивают длины волн и находят наименее...

Номер патента: 932891

Опубликовано: 20.09.2001

Автор: Коршунов

МПК: G01N 21/17

Метки: полупроводникового, проводимости, типа

Способ определения типа проводимости полупроводникового материала, отличающийся тем, что, с целью его упрощения путем проведения бесконтактных измерений при исследовании вырожденных полупроводниковых материалов, измеряют спектральные зависимости эллипсометрических параметров анализируемого материала и эталонного невырожденного полупроводникового материала при длинах волн света, меньших длины волны, соответствующей красной границе полосы собственного поглощения эталонного материала, а о типе проводимости анализируемого материала судят по величине параметров при...