Способ контроля отклонения формы полупроводниковых пластин

(50 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ.Л. Анистр нко детельство СССР1 В 7/28,1981. ЕНИЯ ФОРМЫ я к изме бретения ля за сч перераспреичивую форму дующей после УДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССРДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ 21) 4153918/25 - 28(54) СПОСОБ КОНТРОЛЯ ОТКЛ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛАСТИ (57) Изобретение относит тельной технике. Цель из повьппение точности контр обеспечения динамическог деления напряжений в уст Способ осуществляют в сл ЯО 139402 довательности. Контролируемую полупроводниковую пластину 9 размещают наповерхности 3 базового стола 1, динамически погружают равномерной погрузкой (вакуумированием) путем прижатияее к поверхности стола, выдерживаютпод погрузкой, снимают погрузку путемпоследовательного отрыва пластины 9от периферии к центру, затем беэ изменения позиционного положения устанавливают пластину 9 на поверхности 3базового стола и проводят измерения,для чего наконечники всех преобразователей 6 перемещением поэиционера 4вводят до контакта с поверхностьюпластины 9. Электронный блок 9 выделяет сигналы максимального и минимального расстояний от поверхности 3базового стола 1 до соответствующихточек измеряемой поверхности. Разностьэтих расстояний и составляет отклонение формы. 1 ил.1394029 Формула изобретения Составитель В. МатвиенкоРедактор О.Юрковецкая Техред М.Дидык Корректор А, Обручар Заказ 2208/36 Тираж 680 Подписное ВНИИЛИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Проиэводс 1 венно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 Изобретение относится к измерительцой технике, в частности к способамИзмерения геометрических параметров,й может быть использовано для контро 5Пя отклонения от плоскостности полупроводниковых пластин.Цель изобретения - повышение точНости контроля за счет обеспечения динамического перераспределения напряпрений в устойчивую форму.На чертеже представлена схема устойства, реализующего предлагаемыйспособ.Устройство для осуществления спооба содержит базовый стол 1 с систеой 2 вакуумирования и плоской рабоей поверхностью 3. Базовый стол 1рикреплен к линейному поэиционеру 4.ппозитно базовому столу 1 установлен 20лок 5 измерительных преобразователейнаконечники которых установлены влоскости, эквидистантной рабочей поерхности 3 базового стола 1. Выходы"эмерительных преобразователей 6 соеинены с входом электронного блока 7обработки. По периметру базового стола 1 установлено подвижное ступенчатое кольцо 8.Способ осуществляется следующимЬбразом,Полупроводниковую пластину 9 устанавливают на базовый стол 1 измери;тельного устройства и включают вакуумирование рабочей поверхности 3 базового стола 1, Время нарастания вакуумирования не превьппает 0,1 с. Под действием атмосферного давления полупроводниковая пластина импульсно вы ,равнивается на рабочей поверхности 3 базового стола 1. После выдержки в нагруженном состоянии (не менее 1 с) вакуумирование импульсно снимают, для гарантии релаксации в свободноравно/ весное состояние перемещения кольца 8 вверх бегущим отрывом (от периферии к центру) отделяют полупроводниковую пластину 9 от поверхности базового стола 1, Беэ изменения позиционного положения полупроводниковой пластины перемещением кольца 8 вниз ее вновь устанавливают на поверхность базового стола 1 и измеряют отклонение формы.Измерение выполняют перемещением позиционера 4 до касания наконечниками всех преобразователей 6 поверхности пластины 9. Измерительный трак электронного блока 7 выделяет сигналы максимального и минимального расстояния (Ь , и Ь ) от поверхности базового стола до соответствующих точек измерения поверхности полупроводниковой пластины 9; Разность этих значений и составляет отклонение формы. Способ контроля отклонения формы полупроводниковых пластин, заключающийся в том, что устанавливают пластину на базовую поверхность, измеряют максимальное и минимальное расстояния от базовой поверхности до соответствующих точек измеряемой поверхности пластины и по разности этих значений определяют отклонения формы, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью повьппения точности контроля, перед измерением пластину импульсно нагружают равномерной нагрузкой путем прижатия ее к базовой поверхности, выдерживают при этой нагрузке и снимают нагрузку путем последовательного отрыва пластины от базовой поверхности, начиная от ее периферии по направлению к центру.