Камера для свч-обработки диэлектриков

(51) 4 Н 05 В б/б ОСУДАРС ПО ДЕЛА ЕТЕНИ зобретенияаботка д-каом диапазоне па- оды аметраь В) 1 и посредством ер узкой стен2, связанн стенок, ра широкихВ 1 из ретение можемикробиологиой, пищевой,аслях промышл быть испольеской, фармахимическойенности. Цель ЕННЫЙ НОМИТЕТ СССРЗОБРЕХЕНИЙ И ОТНРЬТИЙ ОПИСАНИЕ(46) 29.02.88. Бюл, Н 8 (71) Саратовский политехнический институт и Всесоюзный научно-исследовательский институт биотехники (72) Ю.С. Архангельский, Э.А.Дорки и Т.Н. Шишмило(56) Авторское свидетельство СССР 11 362580, кл, Н 05 В б/64, 1972,Авторское свидетельство СССР У 438144, кл, Н 05 В б/64, 1973, (54) КАМЕРА ДЛЯ СВЧ-ОБРАБОТКИ ДИЭЛЕ ТРИКОВ(57) Изобтзовано в чцевтически др. отр равномерная термооб с изменяющимся в шир электрофизическимикамера содержит нолнов меняется по линеиному закону, кожухи (К) 3 и 4 с патрубками для подвода воздуха и вывода паров, установленные в В 1 и 2. В волновод 2 помещен лоток 5 с днищем б для размещения исследуемого д-ка 7, балластный поглотитель (П) 8, размещенный под днищем 6. В волноводе 1 установлен П 9 из радиопрозрачного д-ка.Полости К 3 и 4 сообщаются посредством перфорации, выполненной в широких стенках В 1 и 2, днище Ь, П 9 и 8,1378089 833 Подписное Произв.-полигр, пр-тие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 Изобретение относится к устройствам СВЧ и может быть использовано длясушки и нагрева диэлектриков в микробиологической, фармацевтической,пищевой, химической и других отрас-.5лях промышленности,Целью изобретения является равномерная термоябработка диэлектрика сизменяющимися в широком диапазонеэлектрофизическими параметрами,На чертеже изображена конструкциякамеры для СВЧ термообработки диэлектриков.Камера для СВЧ-обработки диэлектри 15ков содержит первый волновод 1, вто"рой волновод 2, установленный параллельно первому волноводу 1 и связанный с ним посредством широких стенок,размер узкой стенки первого волново Ода 1 изменяется по линейному закону,первый и второй кожухи 3 и 4 с патрубками для подвода воздуха и вывода паров установлены на первом и второмволноводах 1 и 2 соответственно, Во 25второй волновод 2 помещен лоток 5 сднищем 6 для размещения исследуемогодиэлектрика 7, балластный поглоти"тель 8, размещенный под днищем 6 лот.ка 5, в первом волноводе 1 установлен 3 рпоглотитель 9 из радиопрозрачногодиэлектрика, полости кожухов 3 и 4сообщаются посредством перфорации,выполненной в широких стенках первогои второго волноводов 1 и 2, днище 6лотка 5, поглотителе 9, балластном35поглотителе 8.Камера для СВЧ-обработки диэлектриков работает следующим образом.В лоток 5 загружают исследуемыйдиэлектрик 7, СВЧ-мощность, поступающая на вход камеры от СВЧ-генератора,равномерно и полностью поглощаетсяисследуемым диэлектриком 7. Образующиеся пары влаги выносятся потокомвоздуха охлаждающего балластный45поглотитель 8 и поступающего в первыйкожух 3 из камеры через кожух 4. Помере нагрева исследуемого диэлектрика7 его диэлектрические параметры изменяются, исследуемый диэлектрик 7 по Оглощает часть поступающей мощности,что может привести при отсутствии баВНИИПИ Заказ 893/57 Тираж ластного поглотителя 8 к тому, чтоотраженная мощность может превыситьпредельно допустимую для СВЧ-генератора и полученное рассогласованиекамеры с генератором вызовет неравномерность термообработки исследуемогодиэлектрика 7. Баластный поглотитель8 принимает избыток мощности, прошедший через исследуемый диэлектрик7, и нагревается. При резком изменении коэффициента потерь, вся мощностьпоступающая на вход камеры, теряетсяв баластном поглотителе 8. Предлагаемая конструкция камеры для СВЧ-обработки диэлектрика позволяет проводить равномерную термообработку материалов с изменяющимися в широком диапазоне электрофизическими параметрами, термообработку материалов с достаточно низким коэффициентом потерь. Формула изобретения Камера для СВЧ-обработки диэлектриков, содержащая первый волновод, узкая стенка которого изменяется по линейному закону, второй волновод, установленный параллельно первому волноводу и связанный с ним посредством широких стенок, поглотитель из радиопроэрачного диэлектрика, расположенный в первом волноводе, лоток с днищем для размещения исследуемого диэлектрика, установленный во втором волноводе, о т л и ч а ю щ а я с я тем, что, с целью равномерной термообработки диэлектрика с изменяющимися в широком диапазоне электрофизическими параметрами, под днищем лотка размещен введенный балластный поглотитель, на первом и втором волноводах установлены введенные первый и второй кожухи соответственно с патрубками для подвода воздуха и вывода. паров соответственно, полости которых сообщены посредством перфорации, выполненной в широких стенках первого и второго волноводов, днище лотка, поглотителе и балластном поглотителе.