Патенты с меткой «чистоты»

Номер патента: 1771532

Опубликовано: 23.10.1992

Авторы: Махров, Синенко

МПК: G01N 21/88

Метки: поверхности, чистоты

...55 воды и температуры нагрева воды. Сохраняя горизонтальное положение магнитного диска, переносят его к фотоэлектрическому блескомеру ФБ, Поверхность магнитного диска с водной пленкой помещают в камеру, внутри которой с одной стороны расположен источник света, а с другой - фотоэлемент, улавливающий свет, отраженный от контролируемой поверхности магнитного диска, покрытой водной пленкой, Площадь поверхности магнитного диска. находящейся внутри камеры и одновременно контролируемой фотометром, равна 700 ммг. В случае применения камеры больших размеров возможен одновременный контроль чистоты поверхности всего магнитного диска с одной или двух сторон. Определяют значение коэффициента отражения света от контролируемой поверхности...

Номер патента: 1775403

Опубликовано: 15.11.1992

Авторы: Гордеев, Данов, Еремеев, Сахипов

МПК: C07F 3/06

Метки: высокой, диэтилцинка, чистоты

...других алкилцинкгалогенидов и диалкилпроизводных цинка, Наряду с этилцинкгалогенидами и диэтилцинком в качестве одного из компонентов стимулирующей системы могут использоваться также другие представители классов алкилцинкгалогенидов, диалкильных производных цинка и некоторых других элементорганических соединений, например, лития, магния, алюминия,кадмия. Вместо или совместно с иодидоммедимогут применяться и другие галогениды медиили , Процесс ведут безрастворителя, но растворители (инертные5 по отношению к цинкорганическим соединениям) также могут использоваться. П редлагаемый способ получения диэтилцинкаимеет следующие технико-экономическиепреимущества:10 Позволяет исключить неконтролируемый по продолжительности...

Номер патента: 1776947

Опубликовано: 23.11.1992

Авторы: Барабанов, Будневич, Волынский, Зотов, Потехин, Ручкин, Савченко, Ходорков, Шурубцов

МПК: F25J 3/04

Метки: азота, высокой, чистоты

...т. к. при этом возрастают энергозатраты. Сравнение заявляемого технического решения с прототипом позволило установить соответствие его критерию "новизна", При изучении других известных технических решений в данной и смежных областях техники признаки, отличающие заявляемое изобретение от прототипа, не были выявлены и потому они обеспечивают заявляемому техническому решению соответствие критерию "существенные отличия". На чертеже показана принципиальная схема установки, в которой реализуется предлагаемый способ получения азота высокой чистоты,Установка содержит регенеративный теплообменник 1, который соединен с трубопроводами 2-6, ректификационную колонну высокого давления 7, нижний конденсатор 8, средний конденсатор 9, ко 5 10 15 20...

Номер патента: 1778639

Опубликовано: 30.11.1992

Авторы: Стружко, Сысоева, Феденко, Шупранова

МПК: G01N 21/35

Метки: проламина, чистоты

...препаратов для установления диапазона значений показателя 01/02 использовались проламины, очищенные методом гель-фильтрации на сефадексеН, что является общепринятой процедурой для очистки проламиновых белков, Например, для очищенного указанным методом препарата зеина содержание основного компонента (белка), найденного известным методом, составляет 99.1%,Исследовали ИК-спектры этих препаратов проламина пшеницы (глиадин) и кукурузы (зеин), предварительно очищенных методом гель-фильтрации на колонке с сефадексомН - 20 в 70 б/-ном этаноле. Для подготовки тонкой пленки образца к анализу раствор 3 мг препарата в 0,5 мл 70 О-ного диоксана наносили на оптическое стекло из флюорита и высушивали под вакуумом. ИК- спектры проламинов получали на...

Номер патента: 1783323

Опубликовано: 23.12.1992

Авторы: Гуренцова, Дорохова, Осипова, Прохорова

МПК: G01N 27/48

Метки: высокой, кремния, меди, чистоты

...в раствор платиновые сетчатые электроды и проводят электролиз в 15течение 2-2,5 ч при плотности тока А/дм,2напряжении 2,2-2, 5 В при перемешивании,Когда раствор обесцветится, электроды вынимают, а электролит упаривают до объема20 мл, Охлаждают, добавляют воды до обьема 20 мл и нейтрализуют КНз или НС 1 дорН 1,2 - 1,4. Приливают 2 мл лимонной кислоты 50%-ной концентрации и дают постоять 5 мин. Далее приливаеот 5 мл 10%-ногораствора молибдата аммония, 0,2 мл 1%-ного раствора ЯпС 2 и доводят водой до меткив колбе на 50 мл, Измеряют оптическуюплотность раствора,Недостатком способа является невысокая чувствительность (возможно определение до 510 мас.% Р) и длительностьанализа ( - 3 ч),Цель изобретения - повышение чувствительности и...

Номер патента: 1784868

Опубликовано: 30.12.1992

Авторы: Волков, Колпаков

МПК: G01N 13/02

Метки: поверхности, подложки, чистоты

...частей,т.о, процесс измерения чистоты станет невозможн ы м.Если высота падения капли на исследуемую поверхность будет меньше величины1,4 О, то капля или касается поверхностиподложки или находится на таком маломрасстоянии, что силы поверхностного потенциала будут пригибать каплю и влиять на 25величину капли, искажая измеренияНа фиг.1 представлена схема устройства для определения чистоты поверхностиподложки; на фиг,2 - калибровочная эависимость скорости растекания капли воды по поверхности подложки от концентрации атомов примеси на поверхности подложки.Устройство (фиг.1) содержит фотоприемник, регистрирующий количество светового потока, прошедшего через прозрачную подлокку 2 и капл 1 о 3 жидкости или фото- приемник 4, если...

Номер патента: 1789570

Опубликовано: 23.01.1993

Авторы: Вороненко, Елютин, Спасская, Федулаева

МПК: C22B 34/12

Метки: высокой, титана, чистоты

...и азотосодержащих - не более 1 10мм рт. стчто позволяет оставить на исходном уровне концентрации кислорода, углерода, азота и повысить отношение электросопротивлений ООС с 75 до 90-120.Обоснование режймов. Проводя электронно-лучевую плавку материала со скоростьо, превышающей 8 мм/мин или при моиноти электронного луча менее 0,5 кВт/см, получают слитки с величиной отношения электросопротивлений менее 20, изза включений непроплавленного металла и высокой концентрации металлических примесей.Если мощность электронного луча превышает 0,8 кВт/см, или титан плавят со скоростью менее 6 мм/мин, то получают слитки значительно загрязненные примесями внедрения - суммарная концентрация которых достигает 2000 рре.Отношение электросопротивлений в таких...

Номер патента: 1796079

Опубликовано: 15.02.1993

Авторы: Котов, Крячко, Олейниченко

МПК: H01L 21/66

Метки: бесконтактного, пластин, поверхности, полупроводниковых, чистоты

...поверхности полупроводниковых пластин реализуется следующим образом.Множество дискретных значений потенциала поверхности получают с помощью измерителя потенциала поверхности ИПП при сканировании платиновым зондом диаметром 500 мкм вдоль кремниевой пластины диаметром 100 мм с толщиной естественного окисла 50 А на расстоянии 30-50 мкм от поверхности без ее освещения и при40 где Чт - потенциал поверхности без ее освещения,Ъ - объемный потенциал материалапластины,ф мо цпотенциал выхода материала зонда,Хп= потенциал электронного сродства материала пластины,Ь - толщина диэлектрического слоя на поверхности пластинок.Например, для платинового зонда над поверхностью Я р-типа проводимости с удельным сопротивлением р=12 Ом см, на поверхности...

Номер патента: 1800327

Опубликовано: 07.03.1993

Авторы: Гильберт, Сень, Шабанова

МПК: G01N 21/72

Метки: анализа, атомно-спектрального, высокой, меди, пробоподготовки, чистоты

...селективность выделения меди из раствора вскрытия образца и количественные характеристики по определяемым примесям. Воспроизводимость результатов характеризуется значениями относительного стандартного отклонения в диапазоне Яг = 0,05 - 0,15,Для сравнения нами было проведено электрохимическое осаждение меди из солянокислых растворов вскрытия без органической добавки.Полученные результаты показали, что без Д 2 ЭГДТФК процесс выделения меди, обеспечивающий 10-кратное снижение концентрации меди (с 20 до 2 г/л) достигается за 1,7 ч, ухудшается селективность процесса - почти полностью соосаждаются с медью примеси Яе, Ее, ЯЬ, и на 50 Те и В 1 (табл.5).П р и м е р 1. Анализ стандартных образцов меди на аттестованные примеси.Навеску...

Номер патента: 1808118

Опубликовано: 07.04.1993

Авторы: Журавлев, Карасев, Турсунова

МПК: G01B 11/10

Метки: нитей, чистоты

...происходит следующим образом.При включении механизма 2 для протяжки проверяемой нити происходит модуляция световых потоков в датчике 3 и 4 имеющимися.пороками нити, которые просматриваются в двух плоскостях, Промодулированные световые потоки поступают в блок 5 измерения, где они преобразуются в электрический сигнал и усиливаются до необходимого уровня, Усиленный аналоговый сигнал поступает на АЦП 6, где происходит его квантование по установленным уровням и времени, т.е, по порокам их протяженности, Результаты передаются в блок 7 вычисления, где происходит подсчет пороков по выбранным уровням квантования, определение по данным обоих датчиков их среднего арифметического значения каждого 5 10 15 20 25 30 35 40 порока и запоминание...

Номер патента: 2001382

Опубликовано: 15.10.1993

Авторы: Вдовин, Макаров, Новичков, Черкасов

МПК: G01N 1/10

Метки: жидкости, чистоты

...отношение .- 1, 1,2бСапасгавительный анализ с прототипам показывает, чта заявляемое устайствоотличается тем, что ва входной части заборника на расстоянии 4-5 Д от отверстия для 40забора пробы, выполнен кольцевой выступдля создания высокой турбулентности потока, В результате сильного иерем,шиваниявзятая для анализа жидкость дает вазможность более точного внализз 45 Нэ чертеже предстзвлена предлагаемое устройство,Формула изобретения устрайст 00 для контбля чистать жидка. сти, содержащее пробозаборник, внутренняя полость котороо во входной части вы полнена с кольцевым выступом, турбулиэирующим поток жидкости, и с отверстием отбора пробы, запорное устройУстройство содержит пробозаборник 1 с узлом стыковки 2 и отверстием для отбора...

Номер патента: 1566777

Опубликовано: 30.06.1994

Авторы: Гул, Ряхин

МПК: C23C 14/06

Метки: поверхности, подложки, резисторов, тонкопленочных, чистоты

СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ЧИСТОТЫ ПОВЕРХНОСТИ ПОДЛОЖКИ ДЛЯ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ РЕЗИСТОРОВ по авт. св. N 1101475, отличающийся тем, что, с целью повышения воспроизводимости способа в материале, выявляющем места загрязнения, компоненты взяты в следующем соотношении, мас.%:Окись кадмия 7,5 - 12,5Алюминий 7,5 - 12,5Окись алюминия 75 - 85причем соотношение окиси кадмия и алюминия в материале составляет 1 : 1, а испарение проводят при температуре испарителя 1080 - 1210oС.

Номер патента: 1565064

Опубликовано: 30.08.1994

Авторы: Гул, Ряхин

МПК: C23C 14/02

Метки: поверхности, подложки, резисторов, тонкопленочных, чистоты

СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ЧИСТОТЫ ПОВЕРХНОСТИ ПОДЛОЖКИ ДЛЯ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ РЕЗИСТОРОВ по авт. св. N N 1101475, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности за счет выявления загрязнений в виде натиров капролона и паров масла и упрощения процесса, подложку предварительно нагревают при 400 - 700oС в течение 15 - 90 мин в замкнутой капсуле из керамического материала.

Номер патента: 1208818

Опубликовано: 10.10.1995

Авторы: Гринберг, Добош, Мизин, Морозов, Петренко, Рузанова, Серебрякова, Сирина, Фотиев, Шамис, Шестаковский

МПК: C22B 34/22

Метки: ванадия, высокой, пятиокиси, степени, чистоты

1. СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПЯТИОКИСИ ВАНАДИЯ ВЫСОКОЙ СТЕПЕНИ ЧИСТОТЫ из ванадийсодержащего сырья, включающий обжиг, кислотную обработку обожженного материала, отделение твердой фазы от растворов, обработку растворов реагентами, гидролитическое осаждение пятиокиси ванадия, фильтрацию и реагентную обработку осадка пятиокиси ванадия, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологической схемы и снижения затрат на реагенты, кислотную обработку обожженого материала ведут серной кислотой до рН 3,5 4,0 с последующей подачей серной кислоты и одновременным введением перекиси водорода при ее расходе 0,1 0,6 кг на 1 кг материала до рН 1,8 1,5, а реагентную обработку осадка пятиокиси ванадия проводят аммонийсодержащим раствором при отношении ионов аммония...

Номер патента: 1132674

Опубликовано: 10.03.1997

Авторы: Ануфриева, Боровик, Дергачева, Котон, Мамаев, Некрасова, Прохорова, Склизкова, Шевелева

МПК: G01N 21/76

Метки: диангидридов, кислот, оценки, тетракарбоновых, чистоты

Способ оценки чистоты диангидридов тетракарбоновых кислот, отличающийся тем, что, с целью повышения чувствительности способа, пробу анализируемого вещества добавляют к раствору ди-(аминофенил)-пиримидина в диметилформамиде при мольном соотношении ди-(аминофенил)-пиримидина к пробе, равном 1 0,5 - 0,7, с последующим измерением люминесценции полученной смеси и раствора ди-(аминофенил)-пиримидина в диметилформамиде и оценкой чистоты диангидридов расчетным путем.

Номер патента: 1079047

Опубликовано: 10.06.1999

Авторы: Вилков, Живилова, Красноперов, Либсон, Мальцуров, Москвин, Синицын

МПК: G01N 27/416

Метки: воде, высокой, микроконцентраций, хлорид-ионов, чистоты

Устройство для определения микроконцентраций хлорид-ионов в воде высокой чистоты, содержащее последовательно соединенные механический и первый ионообменный фильтры, перистальтический насос, переключатель режимов работы, соединенный с калибровочным блоком и двухэлектродной измерительной ячейкой, имеющей пористые серебряные электроды, разделенные ионообменной мембраной и соединенные гидравлически через ионообменный фильтр смешанного действия, отличающееся тем, что, с целью повышения точности измерения путем обеспечения более точной калибровки, калибровочный блок выполнен в виде последовательно установленных второго ионообменного фильтра, переключателя потока, делителя потока с параллельными...

Номер патента: 581716

Опубликовано: 10.08.1999

Авторы: Мураховский, Фульман

МПК: C25C 7/00

Метки: биполярный, высокой, металлов, многосекционный, чистоты, электролизер

Биполярный многосекционный электролизер для получения металлов высокой чистоты, содержащий корпус, твердые биполярные электроды, концевые анод и катод и диафрагмы, отличающийся тем, что, с целью повышения чистоты получаемого металла и расширения области применения электролизера, биполярные электроды выполнены в виде цилиндров и установлены с возможностью вращения вокруг своей оси, и диафрагмы выполнены из ионообменных материалов и установлены между секциями.

Номер патента: 283191

Опубликовано: 10.09.1999

Авторы: Гиганов, Коломина, Церекова

МПК: C01B 19/00

Метки: высокой, растворов, селена, селенсодержащих, чистоты

1. Способ получения селена высокой чистоты из селенсодержащих растворов экстракцией, отличающийся тем, что, с целью выделения мышьяка и упрощения технологии извлечения селена, экстракцию мышьяка проводят 100%-ным трибутилфосфатом из растворов, содержащих 300 - 500 г/л (преимущественно 450 - 500 г/л) серной кислоты, с последующим осаждением селена из рафината одним из известных способов.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что, с целью одновременного выделения мышьяка и других примесей, в исходный раствор предварительно вводят 10 - 40 г/л соляной кислоты.

Номер патента: 220240

Опубликовано: 10.09.1999

Авторы: Гиганов, Козьмин, Церекова, Янковская

МПК: C01B 19/02

Метки: высокой, селена, степени, чистоты

1. Способ получения селена высокой степени чистоты из селеносодержащих продуктов, например из технического селена, путем растворения исходного продукта в азотной кислоте с последующим извлечением селена из полученного раствора, восстановлением его до элементарного состояния, например, действием сернистого газа и вакуумной дистилляцией полученного продукта, отличающийся тем, что, с целью упрощения процесса и повышения степени чистоты конечного продукта, извлечение селена из раствора ведут путем его экстракции растворами вторичных или третичных алифатических аминов с последующей реэкстракцией растворами хлорида или нитрата аммония.2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что селен...

Номер патента: 1487463

Опубликовано: 20.02.2000

Авторы: Валяев, Плющева

МПК: C22B 34/34

Метки: высокой, диоксидихлорида, молибдена, чистоты

Способ получения диоксидихлорида молибдена высокой частоты, включающий хлорирование диоксида молибдена с последующей возгонкой, отличающийся тем, что, с целью повышения степени чистоты, перед хлорированием исходный материал смешивают с 1-3% триоксида молибдена от массы исходного материала и проводят термическую обработку в замкнутом объеме при 650-750oC в течение 5-6 ч.

Номер патента: 1490998

Опубликовано: 20.02.2000

Авторы: Волков, Дмитриев, Маковей, Смирнов

МПК: C22B 58/00

Метки: высокой, индия, чистоты

Способ получения индия высокой чистоты, включающий синтез низшего галогенида, его ректификацию, последующее диспропорционирование низшего галогенида индия с получением индиевой губки и расплавление индиевой губки под слоем растворителя, отличающийся тем, что, с целью повышения степени чистоты и выхода металла, в качестве растворителя при расплавлении используют эвтектические смеси моногалогенидов индия.

Номер патента: 1630219

Опубликовано: 20.02.2000

Авторы: Анисимов, Аржаткин, Аржаткина, Проворова, Федоров

МПК: C01F 11/06

Метки: высокой, кальция, карбоната, степени, чистоты

Способ получения карбоната кальция высокой степени чистоты, включающий осаждение его из предварительно очищенного раствора нитрата кальция раствором карбоната аммония при нагревании и перемешивании, отделение карбоната кальция от раствора фильтрованием, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества карбоната кальция за счет снижения в нем содержания стронция, осаждение карбоната кальция проводят на 40 - 90%.

Номер патента: 1469889

Опубликовано: 20.02.2000

Авторы: Голов, Клименко, Копецкий

МПК: C22B 34/34

Метки: молибдена, особой, чистоты

Способ получения молибдена особой чистоты, включающий сорбцию примесей из раствора молибдата аммония с получением очищенного раствора, упаривание полученного раствора с получением сухого молибденсодержащего остатка, термообработку остатка в атмосфере кислорода с получением оксида молибдена, восстановление его водородом до металла и последующую перекристаллизацию металла, отличающийся тем, что, с целью повышения степени чистоты и упрощения процесса, сорбцию примесей ведут с использованием в качестве сорбента гидратированного оксида олова и перед перекристаллизацией металл подвергают термообработке в вакууме при 700-900oC.

Номер патента: 1616084

Опубликовано: 27.06.2000

Авторы: Григорьева, Ливдане, Пенке, Тимофеева, Упадышева

МПК: C07D 221/04, C07D 251/42

Метки: 9-амино-2, гексагидро-1н-циклопента, гидрата, гидрохлорида, фармакопейной, хинолина, чистоты

Способ получения гидрохлорида 9-амино-2,3,5,6,7,8-гексагидро-1Н-циклопента(b)хинолина гидрата фармакопейной чистоты путем очистки основания 9-амино-2,3,8,6,7,8-гексагидро-1Н-циклопента(b)хинолина гидрата растворением основания в органическом растворителе при нагревании, обработки раствора основания хлористым водородом и очистки гидрохлорида обработкой его органическим растворителем, отличающийся тем, что, с целью упрощения процесса и стабилизации качества целевого продукта, очистку основания и получение гидрохлорида осуществляют в одну стадию растворением основания в смеси этилацетата и спирта, взятых в объемном соотношении, равном (4 - 6):1, кипячением с активированным углем, обработкой...

Номер патента: 1512295

Опубликовано: 27.04.2005

Авторы: Вдовин, Макаров, Новичков, Черкасов

МПК: G01N 1/10

Метки: жидкости, чистоты

Устройство для контроля чистоты жидкости, содержащее пробозаборник, сменный фильтр с фильтрующим элементом тонкой очистки и дозатор, отличающееся тем, что, с целью повышения точности контроля, пробозаборник выполнен в виде прямоугольного колена с отверстием в вершине, выполненным с осью, параллельной оси входного патрубка колена, при этом пробозаборник снабжен подпружиненным запорным органом и узлом стыковки, соединенным с входом сменного фильтра, устройство снабжено пневматическим блоком управления с двумя трехпозиционными кранами, дозатор выполнен с двумя камерами тарированного объема и соединен с выходом сменного фильтра через трехпозиционный кран блока управления, а запорный орган...