Патенты с меткой «чистоты»

Номер патента: 433554

Опубликовано: 25.06.1974

Авторы: Гайсинский, Зиндер, Потемкин

МПК: G05B 23/02, H01H 11/04, H01H 49/00 ...

Метки: контактов, чистоты

...ккачества герметизированныхных электромеханических реле.Известен способ контролятирующих поверхностей контаных в кожух реле, заключаюна контакты реле подают напшающее напряжение пробояния, образующихся при суммвии условий изготовления,плуатации реле.При изготовлении реле наки тускнения, коталиях хранения шеннон влажности и температуры, в результате влияния биохимических процессов, происходящипри этих условиях в пленке, напряжение пленки повышается.5 Цель изобретения - обнаружение загрязняющих изолирующипленок в зоне контактов.Это достигается тем, что на контролируемые контакты подают напряжение, превыша ющсс напряжение проооя пленок тускненияматериала контактов, образующихся лишь при изготовлении реле, но нс превышающего напрякение...

Номер патента: 459809

Опубликовано: 05.02.1975

Авторы: Гайсинский, Зиндер

МПК: H01H 11/04

Метки: контактов, чистоты

...превышающей максимальную частоту коммутации реле в 5 - :20 раз, но не превышающую норм виброустойчивости на испытуемый тип реле.Предлагаемый способ осуществляется следующим образом, На контакты реле подают напряжение, превышающее напряжение пробоя пленок тускнения материала контактов, образующихся при изготовлении, но не превышающее напряжение пробоя суммарных пленок тускнения, образующихся при изготовлении, хранении и эскплуатации реле и одновременно подвергают реле воздействию вибрации с частотой, превышающей в 5 - 20 раз 5 максимальную чистоту коммутации реле, наобмотку реле подают серию импульсов напряжения, реле переключается в соответствии с подаваемыми импульсами; сбои в работе реле фиксируются по случаям не состоявшихся раз...

Номер патента: 492299

Опубликовано: 25.11.1975

Авторы: Антонов, Гельперин, Михин, Пеклер, Филатов, Фурман

МПК: B01J 17/30

Метки: веществ, высокой, чистоты

...самотеком на зо492299 ФОРМУЛА ИЮБРЕТЕНИЯ Составитель ИеРЫХЛОВЬРлдкор,цавовя тегреда фуРуБ 2 ВРектора Е.Росона Заказ7 1 за "ф ФИ Ти)аж 7821111 Государственного комитета Совета Министров СССРпо делам изобретений и открытийМосква, ЖРаушская набд, 4/51 о,и и с ное Г 1 ПП Патент Москва, Г, Бережковская наба орошение колонны, При температуре охлаждающей поверхности менее 165 оС происходит образование и рост кристаппов хпористого апюминия из конденсата, стекающего тонкоИ ппенкой по поверхвос ти.Создание противотока между твердой и жидкой фазами обеспечивает вымывание промесей, захваченных кристаппами, и получение более чистых кристаллов. Количество кристеллмзующейся твердой фазы регулируется интенсивностью охлаждения поверхности. Закрис...

Номер патента: 492300

Опубликовано: 25.11.1975

Авторы: Девятых, Моисеев, Пахомов, Юшин

МПК: B01J 17/32

Метки: высокой, химических, чистоты, элементов

...давление 50 атм гелием высоной чистоты. Гидрид размораживают ион постепенно приобретает температуруокружающей среды, после чего начинаютзоего разложение в жидкой фазе, Испаряющийся гидрид нонденсируют н холодильП р и м е р 2. Получение сурьмы высокой чистоты,Процесс разложения неочищенного гидрида сурьмы проводят тан же, кан и в примере 1.Температура в реакционной зоне " 50 С(для увеличения скорости разложения).Сурьму ныделяют в виде крупных хорошо сформированных кристаллов иа стенках реактора. Спланление кристаллов сурьмы проводят н атмосфере гелия нине и возвращают в зону разложения, Давление в реакционном сосуде поддерживают на заданном уровне с помощью стравливающего клапана. Образующийся в результате распада гидрида...

Номер патента: 499505

Опубликовано: 15.01.1976

Авторы: Йокубайтите, Мозолис

МПК: G01J 3/00

Метки: динатриевой, дипропандисульфокислоты, дисульфида, соли, чистоты

...определяют спектрофотометрически по постоянномупоглощению ультрафиолетовых лучей в интервале 234 - 250 нм. Незначительные загрязнения, присутствие которых невозможно оценить с помощью микроаналитического метода, вызывают уменьшение поглощения,ультрафиолетовых лучей, по величине которогоможно оценить чистоту соли.По сравнению с принятым для определения чистоты микроаналитическим способом динатриевой соли дисульфида 3,3-дипропансульфокислоты данный способ позволяет повысить точность определения, делает процесс более 5 простым и оперативным, так как значительносокращается время анализа.Пример. На аналитических весах взвешивают 0,02 г динатриевой соли дисульфида 3,3-дипропандисульфокислоты и растворяют 10 ее в дистиллированной воде...

Номер патента: 280463

Опубликовано: 25.01.1976

Авторы: Дургарьян, Копков, Наметкин, Хотимский

МПК: C07C 7/00

Метки: мономеров, растворителей, смесей, чистоты

...с перегородками, емкостью 300 мл, содержащую в запаянном шарике 0,02 моль винилтрифенилсилана, присоеди 3 няют к вакуумной системе (АО мм рт. ст,), двгазируют и течение 12 час и в нее ков , 3 денсирукл 200 см хроматографически чистого пентана. Затем ампулу отпаивают, разбивают шарик с литийэтнлом и оставля ют при температуре 2 О 25 оС в течение 48 час. По мере протекания реакции выпа 60 4дает коричневый осадок вещества, имеющего строение (С Н),. Я 1- фСН -С НКонтрольный опыт показывает, чтов данных условиях за 48 час в систе-,ме полностью расходуется исходный литийатил.Далее ампулу припаивают отводом с перегородкой к вакуум-распределительнойгребенке, бойком разбивают перегородку иуда 1 ипот пентан переконденсацией, На...

Номер патента: 501074

Опубликовано: 30.01.1976

Авторы: Герасимов, Ломовцева, Сидоров, Учаев, Филатов, Хасин, Хмелев, Щербина

МПК: C21C 5/52

Метки: включениям, неметаллическим, повышенной, производства, стали, чистоты

...ТЕНТ 51 ПОНИИ Ь" 45104 кгь 101 15,-,.2 ОТ. Опуол. 15. 12. (2 г.). 1 акои СОООО ПОаВО;1 Е ПОЛуЧ 2 ТЬ Ста;1 Ь ЧПСГОП ПО 1,Е.11 ета.1,ИЕСКИМ ВКЛЮЧЕНИМ. ОдиаКО ЗНаЧИ- тельныс тепловые потери при обработке и рааЗЛ 1 ВКС .11 Е 2 ЛЛ 2 ОСЗ 32 ЩИТЪ ПОВЕРХНОСТИ :;сГЛа ш;1 аковым покровох ВызыВ 210серь сз 1 ые труднос и при раз.ивке х 1 ета,Ла.Цс;1 ь изоор; Гения - снижшПе теп;Опотсрь МСТ 2;.".2 ПОЬЫШСННО 11 ЧИСТОЫ ПО ИСХ 1 ЕТ 2 ЛЛИЧС СаМ БКЛ 10 ЧСНИ 55.;.10 ДОСГГНСГС 51 ТОМ, ЧТО МСТНЛ;1 НЗ 1 ЕЧИ, ПСах ГИВЬ,1 И 1 аиСЛОроду МСП 2 МП, С,1 ИВаСТС 51 ОСЗ Пса 10 О Ш;1 ана В КОВШ, ДС РОДУВа"ГС Ш СРГПЫМ ГаЗОМ, аРОНОМ,ЗОТОМ), ЧСРСЗ Д 50 КОВШте.с а.Ом 11 ь качес 1 ВС О 1 00 к 1 т к,.м 1, иа 0,0 - 025;"о) с изо;ированисмОвсх.ос Ги метал;2 теплоизолиру 10 щеи...

Номер патента: 508670

Опубликовано: 30.03.1976

Авторы: Яковлев, Ярцева

МПК: G01B 11/30

Метки: обработкиповерхности, чистоты

...угклона, при которых отраженный светоток будет составлять заданную часть,мер, половину от максимального, и пораической разности этих углов с поградуировочных кривых определяютобработки поверхности.На чертеже доказано устройство, реализующее описываемый способ,Устройство содержит источник,1 слиматор 2 и приемное устройство,из оптической системы 3, фотоэлемента 4 имикроамперметра. 5,Процесс определения чистоты обработки поверхности по данному способу заключается в5 следующем.На контролируемую поверхность 6 направляют световой поток. Поворачивая образец,находят такое его положение, при которомпоказание микроамперметра 5 максимально,О снимают это показание. Наклоняют образецв одну сторону, пока показание микроамперметра 5 не станет...

Номер патента: 535219

Опубликовано: 15.11.1976

Авторы: Горштейн, Кифарова, Тютюева

МПК: C01G 25/02

Метки: двуокиси, особой, циркония, чистоты

...Использование более концентрированных исход ных растворов влечет за собой ухудшение конечного продукта, а более разбавленных - уменьшение производительности аппаратуры.П р и м е р 1. Хлорокись циркония в количестве 50 кг растворяют в 60 л дистиллирован ной воды, фильтруют и к полученному раствору добавляют соляную кислоту в виде 25%-ного раствора в количестве 85 кг со скоростью 0,18 моля НС 1/моль ХгОС 1, 8 Н,О в час при соотношении ХгОС 1, 8 Н,О: Н,О: 25:25%-ная НС 1=1:1,1:1,55. Полученныекристаллы отфильтровывают и промывают на фильтре 25%-ной соляной кислотой в количестве 22 л, а затем сушат и прокаливают при 900 С. В результате получают двуокись 30 циркония с содержанием примесей, %. Ге(5535219 Формула изобретения Составитель...

Номер патента: 548786

Опубликовано: 28.02.1977

Авторы: Берестюк, Каллер, Шимко

МПК: G01N 7/10

Метки: прибор, прядильного, раствора, чистоты

...фцльтровальногоматериала 3. Как и основной 1, он снабженкрышкой 7 с перфорированным дном для прижима материала. Крышки 7 ц 8 обоих блоков25 жестко связаны между собой вилкой 9, прикрепленной к штоку 10 пневмопривода 11. Соштоком 10 шарирно связано коромысло 12,несущее верхний протяжный ролик пары 13 ц14, а также планку 15. Привод 6 связан с на 30 сосом 4 и с нижним роликом 14.Трубопровод 16 служит для подачи пря548786 Заказ 428/8 НИИП Тираж 1054 1 зд. Ла 2 Подппсна ппография, пр. Сапунова, 2 дильного раствора в основной 1 и дополнительный 2 фильтровальные блоки через дозирующие насосы 4 и 5,Пневмопривод 11 связан с ппевмомагистралыо через электропневматический клапан 17, управляемый командным электропневматическим прибором 18 и реле...

Номер патента: 150825

Опубликовано: 05.03.1977

Автор: Чвирук

МПК: C25B 11/18

Метки: высокой, чистоты, щелочей, электролизер

...На верхнем электроде будет идти процесс разложения амаль. гамы натрия на графитовой насадке подаваемой чистой водой с образованием чистой ще.лочи и водорода.В связи с тем, что катодный выход по току на каждом электроде равсн 100%, что связано с самопроизвольным процессом разложения амальгамы натрия, необходимо какимто образом компенсировать разницу в анодном и катодном выходах по току во избежание окисления ртути на анодной стороне биполярного электрода. Кроме того, в процессе работы электролизера будет иметь место постепенное загрязнение амальгамы натрия и 5 рафинировочного электролита примесями различных металлов. Компенсация разностей выходов по току и обновление амальгамы натрия на более чистую осуществляется следующим образом. 1 ОВ...

Номер патента: 550567

Опубликовано: 15.03.1977

Авторы: Гуревич, Лариков, Синицкий, Чередниченко

МПК: G01N 25/58

Метки: металлов, степени, чистоты

...дилатометре расширение измерительной части схемы учитывается косвенно термодатчиком, характеристики которого совпадают с характеристиками соответствующей части измерительной системы, т. е. напряжение от термоэлемента, закрепленного на образце, чьи характеристики напряжение-температура подогнаны металлургическим или электрическим способом к характеристикам расширение-температура измерительной системы, известным способом накладывается на измеряемое напряжение, Это устройство позволяет определить температурную зависимость коэффициента термического расширения.Однако для определения степенен чистоты металлов такое устройство из-за своего несовершенства, как и предыдущее, мало пригодно.Наиболее близким техническим решением является...

Номер патента: 555320

Опубликовано: 25.04.1977

Авторы: Богатырев, Давыдова, Дьяконов

МПК: G01N 3/56

Метки: образцов, поверхности, трибометрический, чистоты

...способа может быть испольб зовак стащартныи трибометрический измерительчистоты. Контролируемые детали помеп;ают в атмосферу паров вещества, способного адсорбироваться на загрязнениях, Например, для поверхностей .ремнисвых пластин может быть иатоль зована капроновая кислота. Молекулы органических кислот не способны проникать в координационную сферу атомов кремния. Активная адсорбция кислоты поверхностью возможна лишь по адсорбционным центрам, представляющим собой я загрязнения.Для создания атмосферы насьпценных паров взакрытую камеру помещают небольшое количество капроновой кислоты. Полупроводниковые пластины помещают в камеру не более, чем на 5 мин.20 Такое время гарантирует получение стабильных.результатов. После этого...

Номер патента: 562510

Опубликовано: 25.06.1977

Авторы: Ганюченко, Миловидова, Неженцев, Петров, Полонский, Шкулько

МПК: C01F 5/02, C04B 35/04, C04B 35/653 ...

Метки: высокой, периклаза, чистоты, шихта

...- выкипание ванны - соответствует полному прекращению нагрева и плавки.Температуру расплава можно поддержатьниже температуры кипения, если в расплав 15постоянно вводить шихту. Трудность состоитв том, что аморфная окись магния - высокодисперсный материал, поэтому она легкоепекается с образованием прочного своданад расплавом. Образованию свопа способствует также конденсация паров расплаваокиси. Свод препятствует сходу шихты врасплав и служит экраном тепловому излучению, что ускоряет испарение остатковжидкости, 25Цель изобретения - предотвращениевыкипания расплава окисла и обеспечениенепрерывного процесса получения периклаза высокой чистоты,Это доститается тем, что шихта на основе аморфной окиси магния содержит добавку, по крайней мере,...

Номер патента: 633094

Опубликовано: 15.11.1978

Автор: Романов

МПК: H01J 29/76

Метки: кинескопа, линейным, прожекторов, расположением, цвета, цветного, чистоты

...лучей на экране, В цвет. ном кинескопе с линейным расположением про жекторов для регулировки .чистоты цвета до.статочно обеспечить отклонение лучей только по горизонтальной оси экрана кинескопа, так как в таком кинескопе ячейки люминофоров каж.дого из трех цветов являются вертикальными 25 полосками.Расстояние между магнитами 1 и 2 необходимо выбоать таким, чтобы резуьтирующее магнитное попе двух магнитов в области сущест. венного воздействия его на электронные лучи ЗО кинескопа было бы практически однородным.Это поле для некоторого произвольного поворота магнитов 1 и 2 вокруг оси 6 будет в каждойточке указанной области. иметь основные состав. ляющие, одна из которых направлена перпенди- И кулярно плоскости 5 расположения осей...

Номер патента: 643788

Опубликовано: 25.01.1979

Авторы: Горбачева, Иванова, Минина, Рыцарев, Сидохин

МПК: G01N 19/08

Метки: галлия, чистоты

...ступени нагрузки, а в качестве измеряемого параметра используют нагрузку, соответствующую началу ползучесги, или скорость деформации при заданной нагрузке.Способ осуществляется следующим образом.Образец, продольная ось которого соосгавляег 45+5 с кристаллографическим направлением 010, что обеспечивает высокую чувствительность материала к внешним нагрузкам, помешают в термосгат при температуре 0,96-0,99 температуры плавления галлия, прикладывают растягиваюшую нагрузку, ступенчато ее повышая, выдерживают образец в течение заданного времени на каждой ступени нагСпособ контроля чистоты галлия, заключающийся в том, что образец галлия термостатируют, прикладывают к нему нагрузку, измеряют физический параметр 20 образца, по которому судят о...

Номер патента: 646203

Опубликовано: 05.02.1979

Авторы: Золотарева, Сидоров, Хлыстова

МПК: G01J 3/42

Метки: анализа, высокой, никеле, примесей, спектрального, чистоты

...Т. Орловская Техред М. Петко Корректор Д. МельниченкоЗаказ 101/32" " Тйраж 1089 ПодписноеЦНИИПИ Государственного комитета СССРпо делам изобретейий иоткрытйй113035;Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5 Филиал ППП Патент , .г. Ужгород, ул, Проектная, 4 акция хлорирования никеля и образование безводного хлорида никеля. Применение хлора позволяет избежать внесения посторонних примесей, сокращает время получения хлорида никеля по сравнению с тем же временем при электрохимическом растворении никеля в соляной кислоте, Кроме того, образующийся ло реакции хлорирования продукт не требуется обезвоживать.10Полученную пробу обрабатывают газообразным кислородом, содержащимсяв инертном газе в количестве 0,1- 0,2, при температуре 760-775 ОС,При этом...

Номер патента: 647556

Опубликовано: 15.02.1979

Авторы: Киселев, Киселева, Трутнев

МПК: G01L 1/02

Метки: оценки, поверхности, чистоты, штырей-калибров

...задатчиком давления,На фиг. 1 изображено описываемое устройство для оценки чистоты поверхности штырей-калибров; на фиг. 2 - то же, сечение А - А на фиг. 1.Устройство содержит измеритель усилия 1 и жестко связанную с нцм пневмокамеру 2, между корпусом 3 и крышкой 4 которой размещены фрикциоцные элементы в виде цлушайб 5, 6 из твердосплавного материала, одна из которых может свободно пересмещаться в радиальном направлении.Пневмокамера с полушайбами 5 и 6 образует эталонное гнездо. Давление в пневмокамеру подается от источника питания 7 через пневматический задатчик давления 8, Контактное давление для обжатия полушайбами 5, 6 штыря-калибра 9 контролируется манометром 10. Штыри-калибры сортируются механизмом 11 подачи и сортировки по сигналу...

Номер патента: 655957

Опубликовано: 05.04.1979

Автор: Петрашов

МПК: G01N 27/86

Метки: металлов, чистоты

...в виде двухполюсногомагнита, взаимодействующего с частью3 . объема криостата, в которой установлен трансформаторный преобразователь4, состояший из возбуждающей и измерительной катушек (на чертеже не локазаны). Коаксиально в криостате установлен трубообразный контейнер 5, на участке которого, расположенном в части 3 криоотата, находится контролируемый образец(на чертеже не показан).По периметру контейнер охватывают 3демпферы 6 и 7, выполненные в виде втулок 8 с эластичным наполннтелем 9,например войлоком, и расположенных вовтулке пружин 10.Кроме того, имеется генератор 1116импульсов и индикатор 12 сигналов,Устройство работает следующим образом,В контейнер помещают контролируемый образец так, чтобы после ввода1контейнера в...

Номер патента: 664927

Опубликовано: 30.05.1979

Авторы: Батура, Кривобок, Мохосоев, Самсонова

МПК: C01G 39/00

Метки: высокой, молибдата, свинца, степени, чистоты

...при темпе значении рН 5 в 1 % -но свинца от стехиометрич 3 - 4 ч.ибдата свинца выутем взаимодейстрастворов ацетата мония, отличаюю получения конечричеокого состава, ратуре 80 - 90 С и м избытке ацетата еского в течение Изобретение относится к ласти получения молибдата свинца окой степени чистоты, используемого дл лучения монокристаллов.Известным способом получения молибдата свинца высокой степени чистоты, например, путем взаимодействия очищенных водных растворов молибдата аммония и ацетата свинца, не удается получить конечный продукт стехиометрического состава.Предлагаемый способ отличается от известного тем, что процесс ведут при 80 - 90 С, рН 5 в 1 %-ном избытке ацетата свинца от стехиометрического в течение 3 - 4 ч. При этом...

Номер патента: 664928

Опубликовано: 30.05.1979

Авторы: Батура, Дубинина, Кривобок, Мохосоев, Петренко, Самсонова

МПК: C01G 39/00

Метки: высокой, кальция, молибдатов, степени, стронция, чистоты

...способ отличается от известного тем, что процесс ведут 3 - 4 и висходных растворах при рН 8,5 и 20%-номизбытке нитрата кальция или стронция от 15стехиометрического, Соотношение СаО;: Мо 03=1: 1 и ЬГО: М 003=1; 1,П р и м е р. Исходные водные растворынитрата кальция и стронция и молибдатааммония (последний после предварительной очистки от примесей по методу соосаждения их с гидроокисью железа) подвергают очистке от примесей других элементовсорбцией последних на активированном угле марки А в виде их комплексов с люмогаллионом ИРЕА. Процесс ведут при рН7 - 7,5. ормула изобретени сУдаРственный комитет (23) Приорите Очищенные растворы нагревают до 80 - 90 С и затем по каплям приливают раствор молибдата аммония к раствору...

Номер патента: 672505

Опубликовано: 05.07.1979

Авторы: Карнеичев, Кузнецов, Новичков, Новичкова, Палига

МПК: G01J 1/04

Метки: жидкости, чистоты

...и.Рысс г 4 из положения 4, стдюв( Гсц в юложение 4., Г;ри которой псрнСць 3 изНО.1 ОЖСН 135( 3( ПОЛ 1 И(сс 1 СТС 51 В КряЙНСЕ БСрХ- нее положение 3 и фильтр 5 с осевничи на цего механическими частицами крупной фракции плотно прижимается к оптичекИ прозрачной крынке 2, Частцы мслкой фракции вместе с контролируемой жилксОтно остаотел в,нжцей части корпуса 1.Вк 1 юч я стс 51 1.с 1 Оч н 33 к сВетя , 03 к рь- вяетс я зап(итн 353 крышка 8 и, г)изуальК), через оптическое устройство 7 с юмонью калибровсиной сетки, нанесенной ня о(т 3- цески прозряцнсй крып:кс 2, полсчитыякт количество и опрелеляот размер чдс Гиц, ссджлсцных на фильтре.Если кол,чссгво и рдзхеры чял ни кр) и(0 й ф,) с К 11311 Б Ы С 31 Р М Ы, 10 1 Р(1(ССС оцистки или промывки...

Номер патента: 687386

Опубликовано: 25.09.1979

Авторы: Гавриленко, Ермаков

МПК: G01N 33/34

Метки: поверхности, чистоты

...3 выполнен с площадью поверхности10гораздо большей, чем плошадь контрольнои по.верхности и омывается потоком жидкости;и цепи источника ЭДС 4 установлены приборыконтроля - вольтметр 5 и амперметр 6,Для осуществления способа на контрольную5поверхность 1 наносят загрязения - длэлектрн.. кн и создают поток жидкости,например водногораствора красной и життой кровяной солиКзга(СЙ)ь и КаГе(СЙ)6 и фонового раствораедкого патра ИаОН, ноны которого не участву.ют в проводимой электрохнмнческой реакции.Источпгк тока 4 подает ла контрольную поверхность 1 и анод 3 налряжеще, достаточное дляпроведения электрохиюеской реакция в режи./Ю 70 К Составите;3 ь :, щодевТ, благова Техр,д "дта "."орректор М. Селехман Редакт Тл;, : 090 ПодисноПИ осуди....

Номер патента: 465814

Опубликовано: 30.09.1979

Авторы: Жуковская, Либинсон

МПК: A61K 31/7034, A61P 31/04, C12P 1/00 ...

Метки: высокой, кристаллического, степени, флоримицина, чистоты

...добавляют 0,5% (по объему) насыщенного раствора хлористого кальция, выдерживают 40 мин и 5 отфильтровывают на фильтр-прессе черезшинельное сукно со скоростью 40 л/мз ч Получают 89 л нативного раствора с активностью 200 ед/мл; 48 л нативного раствора с активностью 1680 ед/мл пропускают 1 О через колонку с 35 г катионита КБ)(3 внатриевой форме снизу вверх со скоростью 100 мл/г ч катионит отмывают и элюируют антибиотик 1 н. серной кислотой, собирают две фракции, первая из которых нейтраль ная (380 мл с активностью 92500 ед/мл), авторая кислая (125 мл с активностью 55000 ед/мл). Вторую фракцию нейтрализуют 10 г анионита ЭДЭв смешанной гидроксильно-сульфатной форме, смешива ют с первой и последовательно пропускаютчерез две колонки, в...

Номер патента: 705424

Опубликовано: 25.12.1979

Авторы: Сенькин, Спиридонов

МПК: G05B 23/02

Метки: контактов, чистоты

...герконов, для различных диапазонов, находящихся в пределах от -196 еС до +1001".,составЛяет (2,4-4,0) 10 З 1/град.Температурный коэффициент сопротивления золота составляет примерно410 а 1/град. 35Если загрязнения на контактахотсутствуют, то температурный коэффициент сопротивления будет находитьсямежду соответствующими коэффициентами для золота и пермаллоя, т. е.в пределах (2,4-4,0)10 ь 1/град.При наличии загрязнений в зонеконтактирования температурный коэффициент сопротивления контактного пере,хода резко снижается, иногда дажезнак его изменяется иа противоположный. По этой причине температурный 2. 49 2 50 32,41,33 19,117,5 93,5 эакороткапермаллоя 2 50 Определение ТКС может производить я и для другого диапазона темпера-" ур,...

Номер патента: 741348

Опубликовано: 15.06.1980

Автор: Жеглов

МПК: H01J 29/51

Метки: кинескопе, лучей, регулировки, совмещения, статического, цвета, цветном, чистоты

...в области центрального луча оказывается скомпенсированным.В зависимости от величины тока, протекающего через катушки сведения на два крайних луча воздействуют соот ветствующей силы магнитные поля, отклоняющие эти лучи от первоначального направления в ту или другую сторону в зависимости от полярности включения источника питания, причем лучи на экране кинескопа двигаются в противоположных направлениях. На фиг. 3, 4 стрелками показаны направления движения электронных лучей и направления магнитных силовых линий при укаэанной полярности включения источника постоянного тока. В случае изменения полярности источника питания направление движения электронных, лучей и направление маг нитных силовых линий изменяется на...

Номер патента: 748216

Опубликовано: 15.07.1980

Авторы: Минкин, Мицко

МПК: G01N 27/02

Метки: анализа, жидкостей, органических, чистоты

...электроды подсоединены к регулируемому источнику 13 высокого напряжения. Через тот же токо- подвод, атакже токоподвод 14 терморезистор включен в измерительную схему 15, Устройство в сборе резмещено на сосуде-сборнике 16.Устройство работает следующим образом. 35Перед началом измерений всю систему подвергают тщательной очистке. После сборки ее сосуд дважды прополаскивают небольшим количеством контролируемой жидкости. Эатем при бор закрепляют на сосуде-сборнике 16, устанавливают на строго горизонтальной поверхности и через отверстие в крышке 2 с помощью трубки заливают в межэлектродное пространство иссле дуемую жидкость так,чтобы ее уровень достигал верхней кромки цилиндрического электрода 5. Отверстие в крышке 2 закрепляют пробкой 11 и на...

Номер патента: 746956

Опубликовано: 23.07.1980

Автор: Жеглов

МПК: H04N 9/28

Метки: кинескопе, лучей, регулировки, сведения, статического, цвета, цветном, чистоты

...3, 4 и 12, 13, с катушками 14, 15, и 16, 17 блока чистоты цвета, также расположенными симметрично на противоположных внутренних сторонах магнитопроводов 1 и 11, но зо включенными последовательно. Магнитопроводы 1 и 11 развернуты на 90 одинотносительно другого.Устройство работает следующим образом. 35Катушки блока сведения и блока чистоты цвета подключаются к регулируемомуисточнику постоянного тока. При прохож-дении постоянного тока через катушки 7,8 и 9, 10 магнитопроводы 1 и 2 (см, фиг, 3 и 4) намагничиваются таким образом, что наконечники 3, 4 и 5, 6 ооответственно для каждого магнитопроводаимеют одинаковые полюсе. Это приводитк возникновению в поперечном сечении 45горловины кинескопа магнитного поля в виде четырехполюсной линзы с...

Номер патента: 769663

Опубликовано: 07.10.1980

Авторы: Попов, Раткявичюс, Якученис

МПК: H01J 29/76

Метки: выставления, кинескопа, лучей, сведения, статического, цвета, цветного, центре, чистоты, экрана

...на центральный 6 луч, т. е. для получения нулевого поля в области нахождения центрального луча, необходимо соответствующее угловое распределение ампервитков секций 2, 2 и 4, 4 относительно горизонтальной оси. Экспериментально определено, что оптимальным угловым распределением середин указанных секций относительно горизонтальной оси являются углы порядка 60. При этом должно выполняться условие, чтобы ампервитки секций 1, 2, 2 и 3, 4, 4 были равны,т. е,РРЕ, Ш,: БД ЩД: Б 2 Щ 2 И ЕЗ 0): Е 4 М 4: Е 4 ф 4 или при последовательном соединении секций и отсутствия их шунтированияГ0)4 О) О) И В - Ш.4 - Ш 4.Для обеспечения нулевого магнитного поля в области другого крайнего луча В при перемещении первого крайнего луча Л требуется определенное...

Номер патента: 781999

Опубликовано: 23.11.1980

Авторы: Галан, Краснопрошина, Светлов

МПК: H01H 11/04

Метки: контактов, чистоты

...и фиксируют напряженйе пробоясуммарных пленок,тускнения и загрязнения, Сравнивают полученное значениес известным напряжением пробоя пленоктускнения и по результатам сравнениясудят о степени загрязнения поверхности контактов.Величина этого напряжения зависитот свойотв пленок тускнения материалаконтактов в момент контроля и отсвойств загрязняющих изолирующих пленок. Напряжейие пробоя пленок туск-нения различных материалов контактовна стадиях изготовления, хранения иэксплуатации есть величина известнаягСравнивая зафиксированное напряжение пробоя суммарных пленок тускнения и загрязнения с известным напряжением пробоя пленок тускненияв момент пробоя, получаем количественную характеристику степени загрязнения поверхности контактов.На...