Патенты опубликованные 07.11.1992

Номер патента: 1774371

Опубликовано: 07.11.1992

Автор: Загидов

МПК: G09B 23/28

Метки: абсцесса, брюшную, моделирования, печени, полость, прорывом

...(7)фиксируют под кожейдополнительной ранына боковой стенке живота, После этого емкость с микробной культурой, помещеннуюв полость доли печени, перфорируют прямой длинной иглой, через троакар, а рану,на месте пункции ушивают наглухо. Приэтом, в созданной нами полости остается 10емкость с микробной культурой с мнокеством мелких отверстий, приводящих к постоянному инфицированию и нагноению еевместе с нитками длиною в бсм, и вторымкрупным узлом. Рану на месте прокола печени троакаром герметично ушивают и накладывают послойно швы на брюшнуюстенку,Уже со второго дня появляются признаки, характерные для септического процесса, 20а через недел,о формируется гнойник у всехподопытных животных, Через 7-8 суток раскрывают дополнительную рану на...

Номер патента: 1774372

Опубликовано: 07.11.1992

Авторы: Авилова, Лукьянов

МПК: G09B 29/02

Метки: движения, маршрутного, построения, расписания, транспорта

...металлическая пластина часового механизма,Устройство построения расписания движения маршрутного транспорта содержит корпус 1 и рабочий механизм, включающий диски 2, устанавливаемые в корпусе по числу контрольных пунктов (КП 1, КП 2 КПО), центральную ось 4 с закрепленными на ней коническими втулками 3 и часовой механизм, представляющий собой металлическую пластину 5 с двенадцатью равномерно расположенными по окружности конусообразными зубьями 7, верхняя часть которых изготавливаетсч в виде тонкой заостренной пластины. На дисках 2 с нижней стороны крепится один зуб 8 аналогичный по устройству зубьям 7, радиусом, равным радиусу крепления зубьев 7 по отношению к центральной оси 4. На дисках 2 на лицевойповерхности нанесены деления от 1 до...

Номер патента: 1774373

Опубликовано: 07.11.1992

Автор: Давлетов

МПК: G10H 1/06, G10H 7/00

Метки: тон-генератор

...выход ОЗУ 40 флуктуаций АЧХ, на адресный вход которого подаетсл восемь младших разрядов входа ЗУ 11,В накопителе 13 в дждом такте происходит суммирование в сумматоре 47 зцачения очередной синтезированной ПС, поступающего на вход накопителя, с суммой ПС, эдфиксированной нэ ыоде накапливающего регистра 48, Через 256 тактов происходит сбрасывание значения в ндкаплива)ощем регистре 48 и фиксирование значения суммы всех 256 ПС в регистре 49 фиксации.Тон-генератор работает следу)ощим образом,Пусть в момент времени т нэ первом и втором выходах генератора адреса зафиксированы нулевые состояния,В момент времени т ЗУ 6 содержит 8 И 16-разрядных слов: по М слов - ицформация о скоростях изменения и конечных значенилх частот ПС, по М слов -...

Номер патента: 1774374

Опубликовано: 07.11.1992

Авторы: Грищенко, Козлин

МПК: G01H 3/00, G10H 1/06

Метки: звука

...меняется на противоположное по знаку, При этом двухпозиционное поляризованное реле 14 замыкает контакт 15, закорачивая конденсатор С 1, который мгновенно разрякается, сбрасывая до нуля напряжение на выходе схемы 4, При этогл реле 7 замыкает контакт 9, закорачивая конденсатор С 2, который мгновенно разряжается, сбрасывая до нуля напряжение на выходе интегратора 10. На входе компаратора 13 остается только отрицательное напряжение Од делителя 12, которое перебрасывает компаратор в противоположое состояние, При этом реле 14 размыкает контакт 15 и устройство переходит в исходное состояние,Время развертки луча осциллографа должно быть выставлено таким быстрым, чтобы на экране его отображалась непрерывная горизонтальная линия, желательнона...

Номер патента: 1774375

Опубликовано: 07.11.1992

Автор: Аракелян

МПК: G10K 11/00

Метки: защиты, импульсного, человека, шума

...на основной импульс 1 (по оси Х - длительность импульса, с, по оси У - уровень, дБ); на фиг, 2, 3 и 4 приведены осциллограммы импульсов, эарегистриоованных в реальных условиях, При этом, для лучшей иллюстрации сущности способ 1, основной 1 и защитный 2 импульсы на фиг, 2 и 3 разнесены на 2 независимых канала и зарегистрированы с экрана двухлучевого осциллографа. На фиг. 2 изображена осциллограмма сдвига защитного иглпульса 2 относительно осноьного импульса 1, как результат рассогласования (невыполнение условий синхронизации) запускающего устройства; на фиг. 4 - пример правильного наложения защитного импульса 2 на основной иглпульс 1. При этом на фиг. 4 видно, как наложение защитного импульса на основной обеспечивает плавность фронтов...

Номер патента: 1774376

Опубликовано: 07.11.1992

Авторы: Николаев, Чечель

МПК: G11B 9/00, G11B 9/10

Метки: воспроизведения, записи, информации

...расстояние между иглами и носителем составляет 10-100 А, А в процессе подведения игл к носителю первая (следящая) игла устанавливается ниже второй иглы путем подачи соответствующих напряжений на пьезопластины Р 1 и Р 2,. Затем иглы медленно приближаются к поверхности носителя, одновременно совершая сканирование в полости (х,у), параллельной плоскости носителя, по квадратному полю со стороной, равной расстоянию между дорожками слежения. При возникновении туннельного тока между первой иглой и носителем первая игла 1 при помощи системы тонкого позиционирования устанавливается точно над дорожкой слежения 3, После этого к носителю подводится вторая игла 2 посредством пьезопластины Р 2, одновременно осуществляясканирование в плоскости...

Номер патента: 1774377

Опубликовано: 07.11.1992

Авторы: Кишенский, Крекер, Кузьмин, Христенко

МПК: G11C 15/00

Метки: ассоциативное, запоминающее

...опроса, а между классами - на величину, большую чем признакопроса,Устройство работает следующим образом,Начальное состояние устройства - регистры 1 и б в нулевом состоянии, сигналов сблоков сравнения нет. Цепи установки в начальное состояние не показаны.Работа устройства начинается с записив регистры 1 значений признаков и значе 1774377ния признака опроса е регистр б. В цифроаналоговых преобразователях эти значения преобразуются е соответствующие аналоговые величины. Аналоговые значения признаков поступают а последовательно соедиценные группы блоков сортировки 3, состоящие из блоков сортировки 10. Блок сортировки 10 работает следующим образом: на его входы поступают деэ зачения признаков. Схема сравнения 11 формирует ца выходе сигнал в...

Номер патента: 1774378

Опубликовано: 07.11.1992

Авторы: Малиновский, Шведов

МПК: G11C 27/00

Метки: аналоговое, запоминающее

...устройство, содержащее операционный усилитель, неинвертирующий вход которого подключен к выходу первого и входу второго ключей, а выход - являетсл выходом устройства и подключен к входу третьего клоча, выход которого подключен к входу четвертого клоча, выход ко 1 орого соединен с шиной нулевого потенциала усройства, вход первого ключа является информационным входом устройства, накопительный элемент на конденсаторе, одна обкладка которого подключена к входу четвертого ключа, пятый ключ, согласно изобретению в нем выход второго клоча подключен к шине нулевого1774378 Иьи Е, Шведогентал Состав ителТехред М,М. Кравцова дак орре каз 3929 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКН 113035,...

Номер патента: 1774379

Опубликовано: 07.11.1992

Авторы: Дворников, Дерденков, Петров

МПК: G11C 19/00, G11C 27/04

Метки: аналогового, процесса, регистрации

...диапазона преобразования АЦП 1. В регистре 10 при этом фиксируется участок входного процесса, соответствующий моменту срабатывания блока 7 сравнения, причем начало этого участка начинается раньше момента срабатывания блока 7 сравнения на время задержки информации в регистре 3 (интервал Тпр, фиг,4)= за счет чего обеспечивается запись "предыстории" импульсного сигнала.Массив информации в регистре 10 оказывается зарегистрированным в оптимальном диапазоне, соответствующем максимальной амплитуде входного сигнала, ъе. в регистре 10 фиксируются коды с оптимальной разрядной группой, состоящей из семи соседних значений разрядов (в общем случае из Я разрядов), выбранных блоком 18 мульт.иплексоров.Выбор оптимальной разрядной группы для...

Номер патента: 1774380

Опубликовано: 07.11.1992

Авторы: Дудукин, Рудычев, Сычев, Шарапов

МПК: G11C 29/00

Метки: блоков, многоразрядной, оперативной, памяти

...14 задержки, вход которого соединен с выходом третьего элемента И 4. Выход элемента И - НЕ 30 соединен с входом установки в единицу генератора 7 псевдослучайной последовательности. Выходь 1 первого регистра 31 соединены с первой группой входов коммутатора 8 и группой входов пятого элемента И 6. Информационные входы генератора 7 псевдослучайной последовательности являются информационными входами.24 устройства, Выход блока 15 сравнения соединен с первым входом четвертого элемента И 5, выход которого является сигнальным выходом 20 устройства. Второй вход четвертого элемента И 5 соединен с инверсным выходам второго триггера 12. Входы установки в единицу и ноль второго триггера 12 являются соответственно третьим 18 и четвертым 19...

Номер патента: 1774381

Опубликовано: 07.11.1992

Автор: Нефедьев

МПК: G12B 9/10

Метки: струбцина, штатив

...7 скобы. Элементы 10 крепления штативной головки 11 в виде резьбовых отверстий выполнены на наклонных поверхностях выступа 9 корпуса 1, на горизонтальных полках 12 скобы и в головке 13 зажимного винта 2. Конструкция позволяет менять рабочую высоту штативной головки 11 с фотоаппаратом, 7 ил. При использовании устроиства в качестве фотострубцины (см, фиг.2 - 5) корпус 1 с установленной в одном из элементов 10 крепления штативной головкой 11 фиксируют с помощью зажимного винта 1 на опорЬю ном предмете (стал, ствол дерева и др,).При использовании в качестве штатива подставки(см. фиг,6, 7) опорный стержень 4 а извлекают из полости 8 и его концом с резьбовым участком 5 устанавливают в одном из резьбовых отверстий 10 на наклонных поверхностях...

Номер патента: 1774382

Опубликовано: 07.11.1992

Автор: Сенягин

МПК: H01B 13/02

Метки: кабельных, разнонаправленной, скрутки

...не показано). Выше описана последовательность работы одного крутильного механизма. С аналогичной последовательностью, но с определенным фаэовым сдвигом работает каждый крутильный механизм, установленный на вращающейся планшайбе б.между двумя опорами 10,Поскольку направление вращения зубчатого диска 18 с радиальным пазом 19,сообщающим проволокам закручивание, противоположно по отношению к каждой иэ опор, между которыми установлен этот крутильный механизм, направления скрутки проволок на двух участках между двумя опорами и зубчатым диском будут, соответственно, также противоположными.Для компенсации уменьшения длины скручиваемых участков проволок опоры 10 выполнены подвижными в радиальном направлении по отношению к оси вращения...

Номер патента: 1774383

Опубликовано: 07.11.1992

Авторы: Алтунян, Арутюнян, Восканян, Кабалян, Мрдоян

МПК: H01B 13/06, H01B 13/14

Метки: изоляцией, кабельных, полимерной

...ОО,О 380,0 . 450,0410 О 350,0 3 ОО,О 120 120 120 120 1 го 120 200 гоо гоо гоо 200 200 известныйпредлагаемый Составитель М,КагановичТехред М.Моргентал Корректор П.Гереши Редактор Б.федотов Заказ 3930 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г Ужгород, ул,Гагарина, 101 Изобретение относится к кабельной технике, в частности, к технологии изготовления кабельных изделий с полимерной изоляцией,Цель изобретения - повышение качества изделий путем повышения физико-механических характеристик изоляции,Изобретения поясняется чертежом, на котором изображена технологическая схема осуществления способа.Указанный способ...

Номер патента: 1774384

Опубликовано: 07.11.1992

Автор: Свинцов

МПК: H01F 7/18

Метки: встроенными, выпрямителями, электромагнит

...элемента 14 позволяет также выполнить обе обмотки пусковыми. увеличить степень Форсировки, е значит уменьшить массогаберитиые юкезатели электромагнита, Работает устройства иа Фиг,2 аналогично устрвзству иа фигЛ.В эвектромаъите со встроенными выпреееелями йод,З) в качестве ключевого элементе. 13 использован размыкающий контао второй кнойхи управления, а в качестве переой кнопки - замыкающий контакт,Такое выполнение устройства дозволяет управлять электромагнитом в различных режимах.При нефорсврованном включении электромагнита возможно управление его обмотками различными способами в 48 зависимости от величины номинального напряжения Ци трех источников, Для опредедания будем полагать: Вн 3 02 н = ЗОВ,Если напряжение источника Он,...

Номер патента: 1774385

Опубликовано: 07.11.1992

Авторы: Кустов, Нейчев, Родин

МПК: H01F 37/02

Метки: дросель, подавления, помех

...из сети питания и самой сети питания от радиопомех, создаваемых цифровой техникой. В качестве таких устройств обычно используются фильтры, представляющие собойС-звенья, включаемые в разрыв фазных и нулевого проводов.Недостатком известного устройства является невозможность применения больших индуктивностей, т,к. при больших точках потребления происходит большое падение напряжения на устройстве. Малые же значения индуктивностей влекут за собой необходимость в конденсаторах больших емкостей, что приводит к появлению недопустимо больших токов утечки и локному срабатыванию цифровой техники в моменты включения ее из-за бросков зарядных токов. Кроме того, устройства подавления помех наС-звеньях имеют большие массогабариты, что не позволяет...

Номер патента: 1774386

Опубликовано: 07.11.1992

Автор: Ханбутаев

МПК: H01F 41/00

Метки: обмоток, подъема, транспортировки, трансформаторов

...возможностью перемещения вдоль захвата, причем на захватах выполнены лунки дляввода стопора, выполненные по длине захвата с расстоянием между ними равнымширине шин обмотки, а оси лунок параллельны оси полки захвата.Сопоставительный анализ с прототипом показывает, что в предлагаемом устройстве:- грузовые захваты снабжены муфтой,- муфта имеет фиксатор от поворотазахвата в зоне обмотки,- муфта имеет стопор,- муфта имеет возможность перемещения вдоль захвата,- на захватах выполнены лунки для ввода стопора,- лунки для ввода стопора выполненыпо длине захвата,- расстояние между лунками равно ширине ший обмотки,- оси лунок параллельны оси полки захвата,Таким образом, данное устройство дляподъема и трансформировки обмоток трансформатора...

Номер патента: 1774387

Опубликовано: 07.11.1992

Авторы: Бондаренко, Бородина, Лебедева, Овчинникова, Поплавко

МПК: H01G 13/00

Метки: гармошечного, конденсаторов, типа

...ной пленкипоступает в сужающееся приемное приспособление и заполняет ее складками. Благодаря движению лент 4 в сторону сужения уроликов 7 гармошечная структура постепенно сминается и уплотняется. Полученная уп- алотненная ленточная заготовка поступает вмеханизм 8 термоопрессования, где при одновременном действии температуры и давления ленточная заготовка спекается собразованием монолитной структуры, Полученная монолитная структура направляется в приспособление для шоопированияторцов, где на противоположные торцы монолитной структуры, имеющей открытый доступ к металлическим обкладкам, с помощью форсунок наносятся контактные металлические слои, осуществляющие 5 токоподвод к противоположным металлическим обкладкам будущего...

Номер патента: 1774388

Опубликовано: 07.11.1992

Автор: Юматов

МПК: H01H 9/28

Метки: рычага, тумблера, фиксации

...другой с образованиемпри этом угла 2 а между двумя положениямипродольной оси рычага 4 тумблера 3. Нареэьбовую часть тумблера 3 навинчена накидная гайка 6 с укрепленным на ней Г-образным кронштейном 7. В кронштейне 7выполнено направляющее отверстие, оськоторого совмещена с продольной осьюрезьбовой части тумблера 3. В отверстии размещен штырь 8, являющийся ограничителем перемещения рычага 4 тумблера 3, Наконце 9 штыря в плоскости углового перемещения рычага 4 тумблера 3 выполнены два5 диаметрально расположенных паза 10. Онипредназначены для взаимодействия с рычагом 4 тумблера 3. Штырь 8 и может бытьснабжен пружиной сжатия 11, размещенной между его концом 9 и кронштейном 7,10 Произвольное перемещениештыря 8 можетбыть исключено и посредством...

Номер патента: 1774389

Опубликовано: 07.11.1992

Авторы: Макаров, Пупынин

МПК: H01H 33/66, H01H 9/30

Метки: вакуумный, выключатель, постоянного

...постоянного тока.Выключатель содержит последовательно соединенные дроссель насыщения 1, вакуумную камеру 2, шунтированную диодом 3 в непроводящем силовой ток направлении. Через управляемый разрядник 4 подключен колебательный контур, содержащий индуктивность 5, конденсатор 6 с блоком предварительного заряда 7. Индуктивность 5 колебательного контура шунтирована цепочкой из резистора 9 и диода 8, включенного встречно току основной цепи, Параллельно конденсатору б подключен варистор 10, Разрядная цепочка 11 содержит диод 12, резистор 13 и присоединена анодом диода 12 через резистор 13 к минусу источника 15, а катодом диода 12 к катоду управляемого разрядника 4 и вакуумной камере 2 со стороны нагрузки 14.Вакуумный выключатель постоянного...

Номер патента: 1774390

Опубликовано: 07.11.1992

Авторы: Аксельрод, Таймазов

МПК: H01J 9/44

Метки: активированных, газоразрядных, диэлектрической, импульсной, искрового, ламп, присадкой, разряда, электродов

...критерию "новизна".Сравнение заявляемого решения нетолько с прототипом, но и с другими техническими решениями в данной области техники не позволяет выявить в них признаки,отличающие заявляемое решение от прототипа, что позволяет сделать вывод о соответствии критерию "существенныеотличияНа фиг,1 и 2 приведены экспериментально полученные зависимости среднегонапряжения зажигания (фиг.1) и нестабильности напряжения зажигания (фиг.2) от количества разрядных импульсов приобработке электродов, Зависимости получены при исследовании газоразрядной лампыФПС 0,045 и приведены для различныхЭНЕРГИЙ ОбРабатЫВаЮЩЕГО ИМПУЛЬСа Яоб:кривая 1 при Яоб = 2 Дж, кривая 2 приЯсб = 4 Дж. кривая 3 при Яоб = 10 Дж,кривая 4 при Яоб = 16 Дж, кривая 5 приЯоб = 24...

Номер патента: 1774391

Опубликовано: 07.11.1992

Авторы: Зосим, Пузиков, Семенов

МПК: H01J 27/10

Метки: дуоплазмотронного, ионов, источник, типа

...щелевых отверстий формы и расположен в50 плоскости симметрии отверстий,Таким образом, предлагаемый источникионов с щелевидной системой электродовпредназначен для генерации ленточногопучка ионов и является по существу щеле 55 видным дуоплазмотроном. Это позволяетустранить вышеуказанные недостатки прототипа и улучшить его характеристики,Так согласно решения, величина полного тока пучка ионов, формируемого в щелевидной системе, пропорциональна длине а50 55 выходной щели, что позволяет значительно увеличить величину ионного тока по сравнению с аксиально-симметричным дуоплазмотроном.Кроме того ленточный пучок вдоль координаты большего размера пучка имеет практически однородную плотность ионного тока, причем. степень однородности тем выше, чем...

Номер патента: 1774392

Опубликовано: 07.11.1992

Авторы: Каминский, Ходосевич

МПК: H01J 29/88

Метки: антибликовый, информации, отображения, устройства, фильтр

...антибликовыйфильтр как соответствующий критерию "новизна".Использование известных и новых элементов и взаимосвязей между ними приводит к достижению нового эффекта -повышению устойчивости матовой поверхности антибликового фильтра к внешниммеханическим воздействиям, что позволяетклассифицировать предложенный антибликовый фильтр как соответствующий критерию "существенные отличия".Сущность изобретения заключается втом, что внешние механические воздействия на слой фотоотвержденного акриловогополимера, тол щина которого удовлетворяетсоотношению (1), благодаря упругим свойствам фотоотвержденного акрилового полимера, находящегося в стеклообраэномОтстоянии, не вызывает повреждений матовой поверхности,Для обоснования соотношения (1) используем...

Номер патента: 1774393

Опубликовано: 07.11.1992

Авторы: Волков, Ермошин, Ивченко, Пинясов

МПК: H01J 61/22

Метки: лампа, металлогалогенная, облучения, растений

...определяется достижением конкретных значений напряженияна лампе, так как внутренний объем и межэлектродное расстояние разных типов сильно разнятся, а также необходимой 3интенсивнестью излучений линий ртути ввидимом диапазоне.В качестве галогенидов лития использованы иодиды, бромиды. хлориды либо ихсмеси,Нижнее предельное значение дозировки галогенида лития определяется необходимостью обеспечить достаточное ихколичество в газоразрядной трубке с учетомпостоянного уменьшения из-за диффузиичерез кварцевое стекло,Верхнее предельное значение дозировок галогенидов лития определяется увели чивающимся количеством загрязнений,попадающих в горелку вместе с галогенидами, что повышает напряжение зажигания испособствует распылению электродов.В...

Номер патента: 1774394

Опубликовано: 07.11.1992

Автор: Минаев

МПК: H01J 61/38

Метки: лампа, металлогалогенная

...39900 Па, ртутью вколичестве 1,5 - 10,0 мгlсм, галогенидамизщелочных металлов в количестве 0,05 - 0,5мг/см, добавками для обеспечения горелки галогенидами РЗМ в количестве 0,06 - 0,5мг/см, добавками для обеспечения горелки галогенидами РЗМ в количестве 0,53 -5,14 мгlсм, горелка лампы изготовлена изкварцевого стекла, коэффициент пропускания которого в области длин волн 345 - 395нм составляет 30 - 60% от коэффициентапропускания в области длин волн 395 - 795нм,В лампе по изобретению в результатеиспользования легированного кварца с указанными значениями коэффициента пропускания создаются условия для полученияизлучения, которое удовлетворяет требова. ниям цветного телевидения и кино, Параметры легированного кварца, при которыхдостигается цель...

Номер патента: 1774395

Опубликовано: 07.11.1992

Авторы: Просвиряков, Стожарин

МПК: H01K 3/04

Метки: источников, качества, навивки, накала, света, спирали, тел

...о возможностью осевого перемещения и снабжена торцевыми радиальными зубцами 14. Ответные канавкиимеются как на диске 15, который установлен на валу привода 16, так и на втулке 4,Зубцы и канавки имеют прямоугольныйпрофиль. За счет совмещения зубцов и канавок муфта 7 соединена с диском 15, адополнительная муфта 11 - с втулкой 4,Полумуфта 3 (фиг,З) может быть выполнена заодно соответственно с втулкой 4 и сдиском 15. Тогда полумуфта 12 закрепляется на валах с возможностью осевого перемещения,При совмещении цапфы 8 с осевым отверстием диска 15 образуется радиальноупорная опора для размещения объектива 1над.контролируемой спиралью 17 и для вра- .щения его вокруг оси диска 15, огибаемогоэтой спиралью. 50 55 20 25 30 35 40 45 Каждая из...

Номер патента: 1774396

Опубликовано: 07.11.1992

Авторы: Аранович, Беляев, Дирочка, Киселева, Мейман, Поповян, Трошкин, Экивина

МПК: H01L 21/58

Метки: полупроводниковых, приклеивания

...способствоватьтуннелированию электронов из обогащенной зоны проводимости, которые участвуютв переносе заряда и также способствуютцепной реакции полимеризации как на поверхности полупроводника, так и в объемеклея.П р и м е р, Для осуществления способабыли использованы пластины из полупроводниковьх материалов пЯЬ (толщиной 0,6мм), ОаАз (толщиной 0,7 мм), Я толщиной0,4 мм), ОбхН 91-хТе (толщиной 0,8 мм), склеиваемые с подложками из высокоомногогермания толщиной 0,5 мм. Для получениясравнительных данных указанные пластины из полупроводниковых материалов склеивали с подлокками из сапфира по способу,принятому за прототип.В качестве источника Уф-излученияприменяли ртутно-кварцевую лампу высокого давления ДРТ,В качестве...

Номер патента: 1774397

Опубликовано: 07.11.1992

Автор: Лебедев

МПК: H01L 21/66

Метки: базовой, заряда, концентрации, носителей, области, р-п-перехода

...захваченных носителей с постоянной времени О, где 0 определяется параметрами ГЦ, Тогда разность между двумя значениями емкости в моменты времени т 1 и 1 г после окончания импульса инжекциие 11/О М е 1 г/О М (е ц/О- е сг/О): ЬСм, (3)где М - полная емкость р-п-перехода, обусловленная ГЦ.Если между окончанием импульса прямого напряжения и началом импульса обратного прошло время таад, при котором напряжение на структуре равно нулю, перезарядка ГЦ будет определяться двумя процессами;во-первых, термической ионизацией,во-вторых, во время Гзад, когда напряжение и, следовательно, электрическое поле вбазе р-и-структурыы равно нулю, захватомносителей из зоны с погтоянной времени г.После окончания тэад и начала импульса обратного напряжения...

Номер патента: 1774398

Опубликовано: 07.11.1992

Авторы: Калинин, Овчаренко

МПК: H01L 21/76

Метки: полупроводниковых, структур

...применяемого в элементах памяти зарубежных изготовителей.Указанные известные технические решения, уменьшающие влияние рельефа, могут применяться как по отдельности, так и в совокупности в предлагаемом способе.На фиг,1,2 показаны сечения полупроводниковой структуры на различных этапах ее формирования, на фиг.3,4 - аналогичные сечения другой полупроводниковой структуры с частичным размещением второго диэлектрического слоя на поверхности полупроводниковой подложки,На фиг,1(3) изображена структура после осаждения второго слоя поликристаллического кремния и легирования его азотом на всю толщину этого слоя,На фиг,2(4) показана полупроводниковая структура после термической обработки (отжига),На фиг,1 - 4 используются следующие обозначения;-...

Номер патента: 1774399

Опубликовано: 07.11.1992

Автор: Мальцев

МПК: H01L 23/18

Метки: полупроводниковый, прибор

...изобретения является повышение эффективности охлаждения полупроводникового прибора.Цель достигается введением пьезоэлемента, размещенного в центре окружности сечения стакана, двух параллельно жестких электровводов, размещенных в основании зеркально симметрично относительно оси корпуса стакана, двух упругих стержней, первые концы которых соединены с электровводами, а вторые - с саответствующими электродами пьезоэлемента, собственная .резонансная частота которого выбрана кратной резонансной частоте стержней, управляемого генератора колебаний, подключенного к электровводам амплитудного детектора, вход которого соединен с выходом генератора, а выход - с управляющим входом генератора, Управляемый генератор вырабатывает импульсы...

Номер патента: 1774400

Опубликовано: 07.11.1992

Авторы: Водаков, Вольфсон, Мохов, Роенков, Семенов

МПК: H01L 21/363, H01L 33/00

Метки: источник, полупроводниковый, света

...способствует подавлению не только дефектной ЭЛ, но и других, более низкоэнергетических, нежелательных примесных полос люминесценции (в частности - борной смаксимумом излучения в зеленой области спектра). Концентрация Яп должна быть не16 -Эменее 110 см в материале как и-, так и р-типа. При меньшей концентрации Яп эффективность излучения резко снижается за счет наличия дефектных центров вблизи ри-перехода типа 01 с излучением в зелено- голубой области и ухудшается быстродействие, Верхний уровень легирования Яп.16 -З3 10 см определяется пределом его растворимости в Я 1 С.На чертеже приведена блок-схема устройства,Устройство содержит подложку 1 любого политипа и-типа проводимости, слой 2 и-типа проводимости политипа 4 Н, слой 3...