Патенты опубликованные 07.09.1992

Номер патента: 1095862

Опубликовано: 07.09.1992

Авторы: Лифанов, Сидоров, Хлопов

МПК: H01L 21/56

Метки: защитных, покрытий, техники, формирования, электронной

...слоя используютшелкографические и объемно-сеточные трафареты. Объемно-сеточный трафарет отличается от шелкографического тем, что наодной из плоскостей сетки, натянутой нарамке, имеются заданной высоты и геометрии выступц из твердой резины, расположение которых образует зеркальноеотображение контуров, ограничивающихслой микропорошкового защитного покрытия, Процесс создания защитного слоя наподложке включает в себя следующую последовательность операций:основание корпуса интегральной схемыс приклеенной подложкой в установочноеместо корпуса рамки и ориентируют согласно конструкторской документации на изделие;поверхность подложки накрывают обьемно-сеточным трафаретом, причем вершины выступов на сетке оказываютсяприжатыми с...

Номер патента: 1267906

Опубликовано: 07.09.1992

Авторы: Быковский, Дятлов, Киселева, Мирецкий

МПК: H01S 3/036

Метки: активный, газового, ионного, лазера, элемент

...последовательно к керамической трубке 7,Собранный активный элемент лазера обрабатывается с целью удаления остаточных газов и наполняется рабочим газом, например аргоном, до давления 0,6-0,9 мм рт.ст, Диаметр отверстия д разрядного канала, выполненного в ограничительных дисках 10, выбирается в пределах 2-3 мм.Активный элемент ионного газового лазера работает следующим образом.После подачи электрического напря/ жения между катодом и анодом и инициирования разряда в разрядном промежутке катод-анод возникает сильно- точный дуговой разряд, ограниченный центральными отверстиями в ограничительных дисках 10. Тепло, выделяемое разрядом через радиальные металлические ребра 1 1, отводится к медным опорным дискам 9 и далее через стенки...

Номер патента: 1327760

Опубликовано: 07.09.1992

Авторы: Власов, Гайнутдинов, Тимошенко

МПК: H01S 3/10

Метки: газовый, лазер, частотно-стабилизированный

...увеличению расстояния между зеркалами 2,3 трубки85 напряжение, подаваемое на соленоид 8;, и возникающие при этом токи нагрева в цилиндре 6 уменьшаются, в противном случай - наоборот. В результате средняя температуратрубки поддерживается постоянной ичастота излучения стабилизируется.Соединение соленоида 8 с выходомсистемы АПЧ 5 через преобразователь 9переменного тока позволяет создатьвнутри соленоида переменное магнитноеполе, изменяющееся пропорциональноизменению сигнала системы АПЧ,Для уменьшения. потерь соленОидизготавливается из провода большогосечения с целью предотвращения егоперегрева.Помещение в соленоид газоразрядиой трубки с токопроводящим цилиндром, размещенным на ее боковой поверхности, позволяет повысить надежность лазера за...

Номер патента: 1329097

Опубликовано: 07.09.1992

Авторы: Грачев, Кодылев, Мешков, Мишустина, Трусов

МПК: C03B 23/20

Метки: вертикально-заварочный, станок

...двигателем 13. Для точной установки балога активного элемента по высоте вращагот маховик 4, при этом мехачцэм перемещения вместе с эакреленгьм па нем зажимным устройством передвигается по каретке вверх- О вниз, Для поворота изделия из вертикального в горцзонталгцое голожецие служит рукоятка 15 поворотного механизма, при нажатии ца которую конический гатырь 16, фцксируощий положение заяогного устройства, выводится иэ зацепления с диском 7, а вращегп е зделия в горизонтальном положе- ид обеспечивается двигателем 18. На динамометрцческое устройство, эакреп ленное в патроне нижнего шпинделяустанавливается ножка 19 активного элемента. Горелки и ролик приводятся во вращение двгателегл 20. Ролик поджимается к баллону активного элемента...

Номер патента: 1099593

Опубликовано: 07.09.1992

Авторы: Голкин, Зайцев, Истомина, Попова, Портяная

МПК: C08J 5/14, C08K 3/22, C08L 9/00 ...

Метки: композиция, полимерная, фрикционных

...17, 2,5 2,6 15,6 2,92 3,52,48 2,9 фенолформ егидная смола 48 2,50 ера 0,16 0,08 31,19 0,15 0,15 15 0,15 0,07 Кап так Тиурам 0,15 0,07 007 0,07 а,бар 3 о,уо 31,1 29,гу,8 3,83 Сурик железный 0,251,2 кись цинка О,3,о драт окиси кальцилидиены а,6 1,247,0170,1 Иасло Дсбес 45,01/0,39 46,63 1/0,2 46,88 46,63 170,1 46,63 1/1,5 Соотношение серы и актива асбест и наполнитель, содержит в качестве наполнителя железный сурик или барит и дополнительно гидрат окиси кальция при соотношении последнего и серы 0,12- 0,39;1, а компоненты композиции взяты в следую 1 цем соотношении, мас.4:Сополимер бутадиенас дивинилбензолом 15-17 Фенолформальдегиднаясмола 2,5-3;5 2-Меркаптобензтиазол 0,15-0,16 Тиурам 0;07-0,08 Сера 2,48-2,6 Полидиены илиароматическое...

Номер патента: 1099805

Опубликовано: 07.09.1992

Авторы: Воронов, Солдатов, Федоров

МПК: H01S 3/227

Метки: лазер, металлов, парах

...рабочегс обьема гаэоразряд- блока задержки,ной трубки, задатчик частоты следования На фиг.1 приведена блок-схема лазера импульсов генерации, задатчик энергии им с управляемыми параметрами; на фиг.2 - пульсов генерации, формирователь импуль- узел стабилизации температуры лазера, сов запуска, выход которого соединен с Лазерсостоитизгазоразряднойтрубки источником дополнительных, не вызываю, блока стабилизации температуры 2, исщих генерацию, импульсов и;ерез блок за- точника 3 дополнительных импульсов, исдержки - с источником Возбуждения, 35 .гочника возбукдающих импульсов 4, введен компенсатор задеркки; при этом формирователя импульсов запуска 5, блока блок задержки выполнен регулируемым, регулируемой задержки 6, компенсатора 7, вход...

Номер патента: 1101130

Опубликовано: 07.09.1992

Авторы: Солдатов, Юдин

МПК: H01S 3/097

Метки: возбуждения, импульсных, лазеров, переходах, самоограниченных

...импульса;1 - частота следования импульсов возбуждения;Р-мощность необходимая для разогрева рабочего объема лазера и поддержанияего при рабочей температуре,Дополнительный импульс выполняетфункцию введения в рабочий объем недостающей энергии, необходимой для поддержания рабочего объема лазерной трубкипри рабочей температуре, Посколькудополнительнцй импульс начинают формироватьСпособ можно реализовать следующимобразом. На чертеже приведена блок-схема устройства, реализующего данный способ, 30 где изображены регулируемые высоковольтные источники питания 1,2, генератор запускаемых импульсов 3, высоковольтные коммутаторы 4,5 линия задержки б,.резонатор 7, лазерная трубка 8, зарядная индук тивность.9, рабочие емкости 10,11,Лазер работает...

Номер патента: 1334406

Опубликовано: 07.09.1992

Авторы: Зайцева, Каламкаров, Краюшкина, Островский, Севрюков, Слепова, Шевченко

МПК: A61K 39/00, G01N 33/53

Метки: аутоаллергического, выявления, компонента, увеитах

...сывороток (нарастание титров в процессе иммунизации от 0 до (1:512) - (1:16384), контрольных гетерологичцых сывороток (от кроликов, иммунизированных экстрактами увеальцой ткани и роговицы, титры - 0 -- 1:8) и сывороток от контрольных ицтактцыхживотных) полокцтельнь 1 х РПГА це наблюдалось).Анализ соотношения содержания 5.антител и клинических особенностей увеита показал, что 5-антителя обнаруживаются в слез.цой жидкости больного глаза чаще (р(0,01) и в значительно более высоких титрах.реакции кяк в перигл инлукпии увеита, таки в период нарастания дистрофизических 20 изменений в сетчатке. Наиболее вероятным 25 30 35 40 45 50 55(1=5,6), чем в сыворотке кропи больных увеитами. У здоровых лоцоров и больных каратитами и кяцъюктивитами...

Номер патента: 1334703

Опубликовано: 07.09.1992

Авторы: Березуцкий, Елисаветский, Жукова, Королев, Котова, Магура, Михайлова, Павлов, Смирнов, Титов, Толстая, Урюпина, Щербакова

МПК: C09D 163/02, C09D 5/08, C09D 5/12 ...

Метки: композиция, окрашивания, поверхностей, ржавых

...соли метанитробензойной кислоты с основной углекислай медью и смесь бензосульфонатов метилдиэтиламинометильных производных диэтилгликолевых эфиров высших жирных спиртов до жидкого состояния. Затем растваря" ют эпаксидну 1 о дианавую смолу в этил-" 2 Б целлозольве путем перемешивания в шаровой мельнице, загружают в шаровую мельницу остальные жидкие компоненты: дибутилфталат, ацетилацетон, смесь октадециламиновой соли метанитробензойнай кислоты с основной углекислок медью и смесь 1 о бензасульфанатов метилг диэтиламинаметильных производных диэтилгликалевых эфиров высших жирных спиртов и перемешивают. Далее осуществля 1 от загрузку пигментов и наполнителя, диспергирование в шаровой мельнице да степени около 150 мкм и розлив в...

Номер патента: 1335099

Опубликовано: 07.09.1992

Авторы: Борисовский, Власов, Поляков, Тимошенко

МПК: H01S 3/13

Метки: газовый, двухчастотный, лазер

...часть оболочки 7. Возникающее усилие передается через элемент передачи б, в данном примере выполцецпь 1 й в виде двух твердых шариков, ца фазоацизотропцый элемент 5, в котором возникают две скомпецсированные силь, направленные перпендикулярно к оси распространения света. В результате в фазоацизотропном элементе 5 появляется двулучепреломлецие и ца выходе лазера частота расщепляетсл ца две линейные ортогоцальцо поляризованные компоиеесты с разностью частот, зависящей от напряжения на выходе устройства управления Я.Благодаря тому, что фазоанизотропный элемент установлен внутри вакуумной оболочки активного элемента, он частично зацеищен от внешних воздействий окружающей среды, влияющих на величину двулучепреломления. Размещение его внутри...

Номер патента: 1218812

Опубликовано: 07.09.1992

Авторы: Котин, Пучков, Чеботарь

МПК: G09B 23/28

Метки: моделирования, тератогенного, эффекта

...дозе 400-600 мгкг и одновременно внутрибрюшинно вводят спецйфический комплексой железа (КЖ) в розе 50-65 мг/кг.Через 24 ч (на 14-й день беременности) по. вторно вводят талидомид в той же дозе, На 20-й день беременности крыс забивают, йзвлекают зародыши и регистрируют отклонения от нормального развития,П р и м е р 1, Каждой из 7. беременных . крыс массой 200 г на 13-й день беременности внутрижелудочно в 0,4 мл твина (эмульСПОСОБ МОДЕЛИРОВАНИЛ ТЕРАНОГО ЗФФЕКТА путем введения беой крысе психотропного препарата, ч а ю щ и й с я тем, что, с целью ения воспроизводимости способа, еменно с психотропным препаратом комплексон железа. гатор) и 0,6 мл физраствора вводят 80 мг Я талидомида. Одновременно внутрибрюшинно вводят 10 мг КЖ в 1 мл 25%-ного...

Номер патента: 1104788

Опубликовано: 07.09.1992

Авторы: Грибков, Дукарский, Захаров, Кузнецова, Силаев

МПК: C01B 21/072

Метки: алюминия, нитрида

...синтеза 1800-1 900 С имеет более низкое содержание кислорода (0,05-0 5 мас %)Нижний предел содержания у-модиФикации 60% (остальное а-модификация) в оксиде алюминия обусловлен повышением содержания примесей кислорода в конечном продукте. Нижний предел количества углерода 17 мас,% объясняется загрязнением конечного продукта оксидом алюминия и оксинитридом алюминий, верхний 28 мас.% - его загрязнением карбидом и карбонитридом алюминия. Остаточный углерод может быть удален прокаливанием конечного продукта в окислительнай среде и ри 600- 850 С.Синтез нитрида алюминия ведут при температуре 1650-1950 С с продолжительностью выдержки 1-4 ч в токе азота в печи . с графитовыми нагревателями. Синтез нитрида алюминия в промышленном...

Номер патента: 1336538

Опубликовано: 07.09.1992

Авторы: Белозеров, Захаркин, Захаров, Лаврова, Левит

МПК: C08J 3/20

Метки: асбосмесей

...фенолформальдегидной смолыСф 312 20, серы 15, каптакса 1, тиурама 0,5, в резиносмесителе вводятоставшиеся компоненты в следующемпорядке - желеэчый сурик 180, маслоПН3, асбест 300. Общая продолжительность смешения 13 мин. Полученнуюсмесь брикетируют в заготовки, Формуоют при температуре 200 С, давлении30 МПа и выдержке в прессе в течение9 мин.П р и м е р 6 (Б) .В предварительно изготовленную навальцах и охлажденную до комнатнойтемпературы смесь, состоящую из(в мас.ч.) бутадиеннитрильного каучука СКНАСМ 100, хлоранила 10,оксида цинка 10, в резиносмесителевводят следующие ингредиенты - олигоэфиракрилат,10, барит 250, асбест250 Продолжительность смешения14 мин. Полученную смесь брикетируют в заготовки, формуют при температуре 200 С,...

Номер патента: 1220497

Опубликовано: 07.09.1992

Авторы: Ивлюшкин, Куликова, Покрывайло, Устьянцев

МПК: H01B 1/02

Метки: паста, токопроводящая

...печати 128 электродов шириной 0,15 .+ 0,05 мм с помощью токопроводящей пасты, следующего состава, мас.ч 10Мелкодисперсныйпорошок золотаМелкодисперсныйпорошок легкоплавкогостекла С 82-3 размером 15частиц от 5 до 20 мкмМелкодисперсныйпорошок легкоплавкогокристаллизу 1 ощегосястекла СЦПс размеромчастиц от 0,5 до 10 мкм 3,5Органическое связуащее5%-ный растворэтил целлюлозыв терп и неол е) 19 25Затем проводят сушку пасты инфракрасным излучением при температуре 120 С в течение 10 мин и вкигаат ее при температуре 590 С в течение 50 мин. После этого методом трафаретной печати наносят слой 30 легкоплавкого стекла на основе окиси свинца и определяют при темперагуре 570 С в течение 50 мин. Обрьвов в провадниковам покрытии не обнаружено,П р и...

Номер патента: 907987

Опубликовано: 07.09.1992

Авторы: Борисова, Кабанов, Орлова, Павлушкин, Пешков, Подлесная, Саркисов, Хайретдинова, Щукин

МПК: C03C 10/16

Метки: стекло, стеклокристаллического

...материалов самой различной цветовой окраски, поскольку роль глушителя и инициатора процесса сферолитообразования вцполняют ионы фтора. не являющиеся хромофорами. В связи с этим введение любого красителя оказывает эффективное воздействие нэ окраску закристэллизованного материала. В связи с тем, что красители в зависимости от своей,кристаллохимической природы неодинаково распределяются в стеклофазе, и в сферолитах усиливается декоративный эффект. Волластонит, выделяющийся в описываемых составах стеклокристаллических материалов, не склонен к широким изоморфным замещениям, следствием этого является различная окраска сферолитовых участков и глушеного стекла, Кроме того, элементы переменной валентности при кристаллизации склонны...

Номер патента: 1279477

Опубликовано: 07.09.1992

Авторы: Богданов, Гнедин, Печковский

МПК: H01S 3/09

Метки: газового, источник, лазера, питания

...коорогс соединен с входом оеельтрующего элемента 3, усилитель 9 псстсяннстО тое.а амплитудный детектор 10 р вход кстсрсъго подюееючен кдатчику Ь тока, выход - к управляющему входу усилител 5 е 9 псстояипсготока Включенесму между выходом перного выпрямителя 3 и выходам сЬеелетрующего элемента 8, а вход трацссс 5 сриатора 6 подключен к Выходу токосгряцичивяющегс элемента 1;Источник работает следуюсеееьеОбрйэомНапряжение пеета 1 сщей сети через регулируемый токоо граничив ающий злеееецт 1езыпрямитель 3 и датчик 4 тока поступает па элемент 5 нагрузки лазера,Выпряеллецееый ток выпрямеггеля 3 отличается . з цачительееьеми ееульсациямиИспользование емкостных фильтров для.уменьшетея пуль аццй не дает поло-жительного эффекте из-за малого...

Номер патента: 1107577

Опубликовано: 07.09.1992

Авторы: Акимов, Корнеев, Кочепасов, Кульков, Панин, Родионов, Ушаков, Филатов, Чухломин

МПК: C22C 29/10, C22C 32/00

Метки: карбид, содержащий, спеченный, сплав, титана

...титана, о т л и ч а ю щ и й с я тел, что, с целью повышения прочности и ударной вязкости, он дополнительно содержит бор при следующем соотношении компонентов, мас. :Никелид титана 30-70 Бор 1 - 2Карбид титана Остальное ударная вязкость, что не позволяет применять данный сплав для других операций глеталлобработки (например, штамповки).Целью изобретения является повышение прочности и ударной вязкости сплава,С этой целью предложен спеченный сплав, содержащий карбид титана и никелид титана, который дополнительно содержит бор при следующем соотношении компонентов, мас;Никелид титана 30-70 Борф)Карбид титана Остальное.Сплав получают следующим образом.Смесь порошков карбида титана, никелида титана и бара перемешивают втечение 10 ч в среде...

Номер патента: 1341897

Опубликовано: 07.09.1992

Авторы: Губа, Коржак, Крюков, Кучмий, Походенко

МПК: C01B 3/06

Метки: водорода, воды, состав, фотокаталитического

...форвакуумцого насоса в течение 1 мин и облучают при перемешивании видимым светом ртутной лампы высокого давления ЛРШ( Лаба310 нм, стеклянный фильтр), Количество Образовавшегося водорода опрецеллют методом газовой хроматографии (хроматограф ЛХИМЛ), Интенсивность падающего на композицию света измеряют ферриоксалатным антинометром. Состав композицинрмас,%" 0,22 61 0,41310 0,22 61 0,58 Я 310 18972Квантовый пыход образования водородаопределяют в условиях стационарногорежима фотореакции, который достигается через 10-15 мин после началаоблучения, Интецсивность падающегоца композицию света "оставляет 9 10Зйншт,/ч. Ланные по квантовому выходу образования водорода предстдвлець)в таблице,Формула изобретенияСостаВ Дл 5 г...

Номер патента: 1342038

Опубликовано: 07.09.1992

Авторы: Золотарев, Спиваков, Трахониотовский, Чернов

МПК: C22C 19/00

Метки: никеля, основе, сплав

...4 Изобретение относится к металлургии, в частности к пленочным магнитным материалам, и может применяться в электронной промьппленности.,Цель изобретения - повышение магннтоэлектрических свойств.Уменьшение количества железа в сплаве приводит к получению высоких магнитоэлектрических свойств на плен" ках толщиной 50 нм.Легированке бором и титаном в отдельности способствует раскислению сплава, одновременное их введение в укаэанных количествах в сплав приводит дополнительно к мелкозернистой однородной структуре, Указанные содержания титана и бора - это минимальные количества,. которые обеспечивают высокую степень раскисления, а также оказывают модифицирующее действие на никель - железную основу. При меньших концентрациях их действие...

Номер патента: 1111663

Опубликовано: 07.09.1992

Авторы: Колбычева, Солдатов

МПК: H01S 3/10, H01S 3/227

Метки: лазер, меди, парах

...поле должно быть величиной 270-312 Э,Наложение магнитного поля до величины, обеспечивающей перекрытие контуров 10усиления отдельных компонент сверхтонкой структуры, обеспечивает уширенив каждой линии сверхтонкой структуры такое, чтосуммарный контур атомной линии усилениястановится однородным и с одним максимумом.Линия излучения лазеоа на парах меди510,6 нм суммируется из девяти компонентсверхтонкой структуры. принадлежащихСо, плюс девять компонент, принадблежащих Сц (в естественной смеси 69, Сц и331; С),т.е. всего 18 компонент. Доплеровская ширина каждой компоненты притемпературе 1500 С равна 2214 МГц, Еслиинтенсивность сильнейшей компоненты 25принять за 100, то остальные интенсивности и частотные сдвиги распределяютсяследующим образом...

Номер патента: 1112998

Опубликовано: 07.09.1992

Авторы: Ткаченко, Тоболкин, Шияневский

МПК: H05B 7/18, H05H 1/18

Метки: вчф, генерации, плазматроне, плазмы

...мощность нагрузочного контуНедостатком этого способа является неустойчивость горения разряда и большие потери энергии в нагрузочном контуре ВЧ генератора.Целью изобретения является увеличение КПД плазмотрона и повышение стабильности разряда.Для достижения этой цели в известном способе генерации плазмы в ВЧФ плазмотроне, при котором возбуждают в разрядной камере плазмотрона ВЧ генератором, снабженным нагрузочным контуром, колебания электромагнитного поля, подают в разрядную камеру плазмообразующий газ, иници 1112998ируют разряд и изменяют реактивную мощность нагруэочного контура, одновременно с изменением реактивной мощности нагрузочного контура изменяют скорость подачи газа в разрядную камеру плазмотрона до достижения равенства...

Номер патента: 1018424

Опубликовано: 07.09.1992

Авторы: Быкова, Галкин, Колесова, Кузнецова

МПК: C08K 3/06, C08K 5/14, C08L 9/02 ...

Метки: композиция, полимерная, резин, фрикционных

...10-23Асбест 30-50а, а -бис-(Третбутилпероксиизопропил)-бензол 0,05-1,5Сера 0,1-0,8Технологическиедобавки 0,5-13Наполнитель ОстальноеВ качестве технологических (целевых)добавок используют смолы, окислы металлов, пластификаторы, металлы, стабилизаторы, пигменты и т.д.П р и м е р ы 1-9. Полимерную композицию готовят с растворителем и без него всмесителях различной конструкции. Выгруженную смесь измельчают в дезинтеграторе (смесь из массомешателя передиэмельчением подвергают сушке), формуютв пресс-Форме. В эависимостиоттребуемойтвердости изделия могут быть подвергнуты.последующей термообработке,Испытанию на прочность клеевого соединения подвергаю 1 образцы асбофрикционных материалов размером 50 х 90 х 11. мм, приклеенных к металлическим...

Номер патента: 1025307

Опубликовано: 07.09.1992

Авторы: Кодылев, Степанов, Трусов, Юнин

МПК: H01S 3/034

Метки: активного, газового, лазера, элемента

...деформации оптического окна в зоне сварки, больших оптических потерь вследствие напряжений в стекле, сложность технологического процесса, связанная с необходимостью применения многократного промежуточного отжиге. Целью изобретения является повышение технологического выхода.Указанная цель достигается тем, что в способе изготовления активного элемента газового лазера, включающем формирование на конце разрядного капилляра оптического наконечника, выполнение на наконечнике поверхности, расположенной под углом Брюстера к оси разрядного капилляра и приварку к наконечнику выходного окна, для формирования оптического наконечника внутрь разрядного капилляра на глубину термической обработки помещают калиброванный металлический. стержень,...

Номер патента: 1026624

Опубликовано: 07.09.1992

Авторы: Беляев, Черезов

МПК: H01S 3/22

Метки: импульсный, лазер, металлов, парах

...вещество, и устройство возбуждения, включающее два накопительных конденсатора, коммутатор и катушку индуктивности, подключенную между анодом коммутатора и одним из накопительных конденсаторов, в устройсттушка индуктивности, расположенная коаксиально с разрядной трубкой на участке активной эоны и подключенная параллельно первой катушке индуктивности, при этом отношение индуктивностей первой и второй катушек составляет от 2 до,1 О. На чертеже показан импульсный лазер на парах металлов, Лазер включает в себя разрядную трубна 4 с расположенными в:ней ампулами 5 с рабочим веществом. Резонатор лазера образован зеркалами 6,нику постоянного нап ряжения +Оо, а также катушек индуктивности И и 12 и коммутирующего элемента 13. Катушки индуктивности...

Номер патента: 1299423

Опубликовано: 07.09.1992

Авторы: Картелев, Киселева, Прудкой, Рябота

МПК: H01Q 1/00

Метки: антенна, емкостная

...4. 1(овец выступаю"щего внутреннего проводника 3 отрезка 20коаксиальной линии 2 гальваническисоединен с дном цилиндрического проводящего стакана 1 в его центре.Высота цилиндрического проводящегостакана 1 составляет не менее 2/325длины отрезка коаксиальной линии 2с выступающим внутренним проводником 3.Емкостная антенна работает следующим образом,Приходящий сигнал электромагнитное поле, распространяющееся в сво-.бодном пространстве) наводит на внешней поверхности цилиндрического проводящего стакана 1 поверхностный эа 23 2ряд, который благодаря еикостной связи возбуждает сигнал на внутреннеипроводнике 3 отрезка коаксиальнойлинии 2. Предложенная Форма выполнения антенны обеспечивает увеличение собственной емкости и уменьшение ее...

Номер патента: 1300780

Опубликовано: 07.09.1992

Автор: Блиснов

МПК: B60B 19/00

Метки: колесо, любом, направлении, перемещения

...- сокращение га баритов и повышение надежности.Иа чертеже изображено колесо, вид сбоку.Колесо состоит из обода в виде роликов 1 и 2, ступицы 3 и спиц 4,Ю соединяющгп( ролики со ступицей. Каждый ролик 1 установлен на подшипниках 5 на оси 6, закрепленной на спицах 4. Каждый ролик 2 установлен в зазорах между соседними роликами 1 на подшип 15 никах 7 и на оси Я, которая жестко соединена с двумя соседними спицами 4Роликии 2 могут быть обрезинены или снабжены шинами для лучшего сцепления с поверхностью пути. Ролики, спицы и оси выполнены разьемнымп и скрепляютсл между собой, например, винтами. 25Работает колесо следугащим образом, С помощью ступицы Э колесо крепится па оси транспортного средства. При передаче вращения на ось колеса оно...

Номер патента: 1302630

Опубликовано: 07.09.1992

Авторы: Воронцов, Орлова, Саркисов, Хайретдинова, Щукин

МПК: C03B 31/00

Метки: кристаллизации, стекла

...прц температуре первой ступени тер)Ообработкц (Т 1), р"вной 530 С, Вревыдержкп на первой ступени С ь ) 45 миц, Далее температуру со скорГ)стью 200 С/ч (Ч ) повышают до 950 С - температуры второй ступени термообработки (Т). Вф.имя выдержки ( ) цри цей равно 40 мин, Затем проводится охлаждение плит по режиму: охлаждение в интервале температур 950- 700 С со скоростью 250 С/ч (У ); в интервале 700-500 С Ч = 600/ч; от 500 С до комнатной температуры плиты охлаждаются со скоростью 150 С/ч (Ч ). Иэ 3 делие, прошедщее тепловую Обработку, подвергается механической Обработке - шлифовке, полировке, Обработанная поверхность имеет компактную сферопитовую структуру. Прочность на удар сиграновых плит, полученных но указанному режиму равна 1 О...