Мишустина

Номер патента: 1329097

Опубликовано: 07.09.1992

Авторы: Грачев, Кодылев, Мешков, Мишустина, Трусов

МПК: C03B 23/20

Метки: вертикально-заварочный, станок

...двигателем 13. Для точной установки балога активного элемента по высоте вращагот маховик 4, при этом мехачцэм перемещения вместе с эакреленгьм па нем зажимным устройством передвигается по каретке вверх- О вниз, Для поворота изделия из вертикального в горцзонталгцое голожецие служит рукоятка 15 поворотного механизма, при нажатии ца которую конический гатырь 16, фцксируощий положение заяогного устройства, выводится иэ зацепления с диском 7, а вращегп е зделия в горизонтальном положе- ид обеспечивается двигателем 18. На динамометрцческое устройство, эакреп ленное в патроне нижнего шпинделяустанавливается ножка 19 активного элемента. Горелки и ролик приводятся во вращение двгателегл 20. Ролик поджимается к баллону активного элемента...

Номер патента: 1640925

Опубликовано: 15.08.1992

Авторы: Кодылев, Мешков, Мишустина, Юнин

МПК: C03B 23/20

Метки: вертикально-заварочный, станок

...С 03 В лек верхцнк г кронштейне 1 кый механизм 1 не 1 заж 11 мкьем кй и к 1 Фний ш Дл, КррцГ Еьия а заимкое гЧь ь Е ьГ 1 я .Ь г я а Рге втулки 15 и служит для прижима ножки 16 к изделию (баллону) 14. Фор лующий элемент 17 в Биде бруска установлен на Балу 18, закрепленном Б скобе 19, жестко связанной со штокоМ 20 пцевмоцилицдра 21, Для исключения перемещения штока 20 вокруг Оси служит штиФт 22. Установееу Формующего элемента в горизонтальной плоскос" 1 ти обеспечивает винт 23. Для установки и Фиксации Формующего элемента по Высоте предееазиячена стойка 24 и Бинт 25. Для обеспечения самонроиз- ЕЕОЛЬЕЕОГО ВОЗБРЯТЯ ф ЭРМУЮЩЕГО ЭЛЕМЕИ та 17 иэ наклонного В Вертикальное положецие вал 18 етроходит Выше цеитра тяжести бруска, Соотношение...

Номер патента: 1130849

Опубликовано: 23.12.1984

Авторы: Кукушкин, Мишустина, Оржуховский

МПК: G05F 1/58

Метки: двухполярного, защитой, стабилизатор

...транзистора, третий транзистор Р-И-Р -типа, эмиттер которого соединен с общей шчной . а баэа - с коллектором второго транзистора, четвертый транзистор Р-И-Р -типа, соединенный эмиттером с коллектором третьего транзистора, а коллектором - с точкой соединения первого делителя и источника опорного напряжения, вспомогательный усилитель, выход которого соединен с базой четвертого транзистора, первый вспомогательный делитель напряжения, включенный между общей шиной и точкой соединения первого делителя напряжения с источником опорного напряжения, средняя точка которого соединена с одним из входов вспомогательного усилителя, другой вход, которого соединен со средней точкой второго вспомогательного делителя напряжения, включенного между общей...

Номер патента: 1016317

Опубликовано: 07.05.1983

Авторы: Кабанов, Каргина, Киселев, Мишустина

МПК: C08G 73/00

Метки: полиаминоэфиров

...ляться до низкомолекулярных продуктов.Кроме того, данные соединения являются ионогенными полимерами, что также оказывает существенное влияние как на их свойства, а именно на процесс их саморазрушения, так и на область их применения, Другими словами, в данном случае мы имеем дело с ионогенными полимерными соединениями, обладающими управляемой способностью саморазрушаться, что дает широкие возможности использования этих соединений как в химической промышленности (в качестве комплексонов,коагулянтов, поверхностно-активных веществ и т.д,), так и в ме-МН-З 1-МН-СН 2- СН 2- С-ОН+ ОН-ОН+ВО-С-СК - СН -1(П -40 дицине, например, в качестве полимер-ных носителей для лекарственных пре"паратов.В частности предложенный способпозволяет получить...

Номер патента: 309029

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Берлин, Долматова, Зева, Козловска, Мишустина, Руденко

МПК: C08J 9/06, C08L 83/04

Метки: пенорезинь, теплостойкой

...каучука, наполнителей, мягчителей и вулканизующего 25 агента, или же на насыщении резиновой композиции инертным газом под давлением, предлагаемый способ получения пенорезин основан на образовании пористой структуры за ;чет выделения газа из компонента компози- ЗО ции - водородсодержащего соеди присутствии небольших количеств окислов щелочноземельных металл щихся одновременно наполнителями мальной температуре.Таким образом, отличительной постыл предлагаемого способа являе образование пористой структуры, ние и вулканизация протекают при ной температуре, в то время как способы получения пено- пли поро ществляются при повышенной темп счет выделения газа при разложе образовгтеля или при повышенных в случае насыщения смеси газом. П р и м е р...