H03K 19/088 — транзисторные логические схемы с транзисторными связями

Номер патента: 1128387

Опубликовано: 07.12.1984

Авторы: Игнатенко, Меренков, Панфилов, Савотин, Шагурин

МПК: H03K 19/088

Метки: логический, транзисторно-транзисторный, элемент

...подключен40к шине питания, а коллектор многоэмиттерного транзистора подключенквходу инвертора, выход которого подключен к выходу устройства, базатранзистора - к коллектору многоэмиттерного транзистора, в качестве.45диода использован диод Шоттки, аноди катод которого подключены соответственно к коллектору и базе транзистора.50На чертеже представлена принципиальная схема предлагаемого устройства;Устройство содержит многоэмиттерный .транзистор 1 п-р-и типа, эмиттеры которого подключены к входам 2 55устройства, база - к коллектору транзистора 3 р-и-р типа, а коллектор -к входу инвертора 4, выход которого где 3 - эмиттерный ток транзистора 3;- коэффициент передачи токаэмиттера транзистора 3;, - коэффициент усиления токабазы...

Номер патента: 1228260

Опубликовано: 30.04.1986

Авторы: Гойденко, Еремин, Федонин

МПК: H03K 19/088

Метки: варианты, ее, интегральная, логическая, схема

...выходного транзистора 10 через транзистор 8, работающий в активном режиме.Если напряжение на выходе схемы 9понижается (например, по причине изменения тока нагрузки), то базовыйток транзистора 8 увеличивается, чтовызывает увеличение его коллекторного тока и, следовательно, уменьшениебазового тока выходного транзистора 10.50Таким образом обеспечивается ограничение нысыщения выходного транзистора 10. Напряжение на выходе схемыопределяется опорным уровнем ЬВ качестве источника опорного уровня 55используются транзисторы 10, 6, 1 сподключенным к эмиттеру транзистора 1делителем, состоящим из резисторов7 и 14 и диода 15. Диод 15 обеспечи 3 1 вает температурную стабильность 1111 и выходного напряжения.Если на базу согласующего транзистора 1...

Номер патента: 1261105

Опубликовано: 30.09.1986

Авторы: Гикавый, Осадчук, Стронский, Яровенко

МПК: H03K 19/088

Метки: логический, элемент

...высокий потенциал, что обеспечивает инверсный активный режим работы двухэмиттерного транзистора 14, и на входе инвертирующего выходного каскада 15 присутствует высокий потенциал. В базы транзисторов 23 и 28 поступает ток через коллекторный переход двухэмиттерного транзистора 14, чем обеспечивается открытое состояние транзисторов 23 и 28 и закрытое состояние Жанэистора 24, так как база транзис. тора 24 соединена с коллектором открытого транзистора 23, имеющим низкий потенциал, Выход 27 подключается через открытый транзистор 28 кгобщей шине 13, что соответствует состоянию логического 0 1.Если на входах 6 и 7 присутствует низкий потенциал, то первый и второй входные транзисторы 1 и 2 открыты, 5 на их коллекторах низкий потенциал,...

Номер патента: 1262717

Опубликовано: 07.10.1986

Авторы: Кичак, Осадчук, Смешко, Стронский

МПК: H03K 19/088

Метки: логический, элемент

...транзистора 16, так как в его ба- зу поступает ток с коллекторов промежуточных транзисторов через пятый резистор 15,На коллекторе третьего промежуточного транзистора 16 - высокий потенциал и в базы первого транзистора 24 и второго выходного транзистора 25 поступает ток от шины 5 питания через резистор 17, что обуславливает открытое состояние первого транзистора 24 и второго. выходного транзистора 25. Эмиттерный ток первого транзистора 24 создает на резисторе 28 падение напряжения, достаточное для1262717 Входы Выходы б 7 11 19 0 О 0 0 0 эапирания третьего транзистора 26 обратной проводимости, в результате. чего на дополнительном выходе 19 оказы- вается высокий потенциал, что соответствует состоянию логической едини цы....

Номер патента: 1262718

Опубликовано: 07.10.1986

Авторы: Рогозов, Самойлов, Тяжкун

МПК: H03K 19/088

Метки: разностный, элемент

...транзистора 1 и базой транзистора 3, эмиттер которого соединен с общей шиной, второй 30 резистор 8 включен между базой и эмиттером транзистора 3, коллектор и эмиттер транзистора 2 подключены соответственно к выходу 9 и дополнительному выходу 10, а эмиттеры много эмиттерного транзистора 1 соединены с входами 11 элемента,Разностный элемент работает слеДУющим образом,При поступлении на все входы 11элемента напряжений высокого уровня,током через резисторы 5 и 4 и переход база-коллектор запирается транзистор 2, Соотношение резисторов 4 45и ,8 выбирается таким образом, чтобы через время (длительность выходного импульса разностного элемента)открылся транзистор 3 и зашунтировалбаза-эмиттерный переход транзистора 502Заданная...

Номер патента: 1269252

Опубликовано: 07.11.1986

Авторы: Балашов, Дятченко, Родионов, Сквира, Соколов

МПК: H03K 19/088

Метки: ттл-инвертор

...39 и коллектором и базой девятнад- В состоянии логической "1" нацатого транзистора 40, эмиттер кото- входе 3 фазорасщепительный и выходрого соединен с коллектором и базой ной транзисторы 7 и 9 включены и надВадцатОГО траНЗИСтОра 41, ЭМИттЕР 15 СЬПцЕНь 1, ПОтЕНцИаЛЫ ИХ КОЛЛЕКтОрОВкоторого через четырнадцатый резис- для ограничения глубины и насыщениятор 42 соединен с шиной 4 питания, фиксируются транзисторами 6 и 29.база восемнадцатого транзистора 39 Транзисторы 30 и 12 выходного эмитчерез пятнадцатый резистор 43 соеди- терного повторителя заперты. Опорныеиена с шиной 4 питания, а эмиттер - 20 потенциалы на базе транзисторов 6 ис входной шиной 15 блокировки. Струк ограничения насыщения задаютсятурно ТТЛ-инвертор состоит из вход- исходя из...

Номер патента: 1272498

Опубликовано: 23.11.1986

Авторы: Рогозов, Самойлов, Тяжкун

МПК: H03K 19/088

Метки: разностный, элемент

...й с ятем, что, с целью расширения функ-циональных воэможностей и снижениявыходного напряжения низкого уровня, введены два р-п-р-транзистора ипятый резистор, причем эмиттеры первого и второго р-и-р-транзисторовсоединены с шинойпитания, база первого р-п-р-транзистора соединена спервым выводом второго резистора,второй вывод которого соединен санодами диодов и через четвертый резистор подключен к коллектору первого и базе второго р-и-р-транзистора, коллектор которого соединен с. база и-р-и-транзистора через пятыйрезистор соединена с общей шиной,катоды диодов подключены к входамИэЛемента, а эмиттер п-р-п-транзисто-,,ра соединен с дополнительным выходомэлемента, 27Изобретение относится к импульсной технике и может быть использовано в качестве...

Номер патента: 1274149

Опубликовано: 30.11.1986

Авторы: Андронова, Желтышев, Коннов

МПК: H03K 19/088

Метки: варианты, его, ложки, транзисторно-транзисторной, элемент

...П = Б - П 6 происходитВХ опереключение тока резистора 3 иэ эмиттерной цепи транзистора 17 в базу транзистора 1. Транзистор 17 5 выключается, транзистор 1 переходит , в режим насьпцения, в базу транзисто- ь 5 ра 10 перестает поступать ток. При этом транзисторы 17, 10, 11: 13 выключаются. На выходе 12 устанав ф 2 116 + 11,П - потенциал на эмиттере включенного транзистора 17;- падение напряжения на пере 6 эходе база - эмиттер транзисторов 11 и 17;П - падение напряжения коллекчптор - эмиттер транзистора10 в режиме насьпцения.Величины сопротивления 3 и 16 под бираются так, что уровень напряжения Бв становится меньше Б 6 при1 ОРОхМинимальное значение Бс равно Б при отсутствии сопротивления 16 30 Я =О)Б 6 Ф 112 116 + Цэ ф Э кэп ливается...

Номер патента: 1274150

Опубликовано: 30.11.1986

Авторы: Андронова, Бугаева, Желтышев, Коннов

МПК: H03K 19/088

Метки: ттл-элемент

...на входе 2;Б- падение напряженияна переходе базаколлектор транзистора 1 в инверсном режиме.Из (5) определяем величину У; СУс +С 2 Ъ +Пр ) +Сп(0 э,+П,1+Ъ) ь+ С 1 и Для того, чтобы обеспечивалось включение транзистора 16, необходимо, чтобы в этом режиме между потенциалами Б и Бю,в выполнялось соотношение.У - БУ (7) т.е, разницы должно хватить для включения эмиттерйого перехода транзистора 16, с учетом (4) и (6)условие (7) запишем в виде1274150 СУ + С(2 Уэ + Пбк ) + С, (бикэн+ П 1 11 бэ ) ц + и + 1 (8)ИЭН 1 О ЭСь+ С 4+ С 71В состоянии логического "0" навыходе логической "1 " на входе токрезистора 4 равен Транзистор 16 находится в актив ном режиме. Коллекторный ток транзистора 16 равен Усс П Усс 2 П +2 Цбк . (9) Кз+ Огде .1,. - базовый ток...

Номер патента: 1275758

Опубликовано: 07.12.1986

Авторы: Еремин, Липко, Синеокий, Трещун

МПК: H03K 19/088

Метки: логический, элемент

...транзисторов 20и 9;ККК Кгг - сопротивления резисторов 15,16,21 и 22,открывается транзистор 11 и нэбыточ"ная часть базового тока транзистора6, задаваемого резисторами 19 и 7,отводится через резистор 18 в коллектор транзистора 1. При этом внутренняя помехозащищенность логическогоэлемента улучшается за счет падениянапряжения на резисторах 18 и 7,так как более эффективно блокируетсяпереход база. - эмнттер транзистора14 и уменьшается уровень сквозноготока через транзистор 12,Так как резистор 7 является общим резистором в коллекторных цепях (элементом обратной связи) транзисторов 1,14,6,11 и 12, наличие тока через один из транзисторов способствует уменьшению тока через другой. При этом исключается возможность насыщеения и потери...

Номер патента: 1277381

Опубликовано: 15.12.1986

Авторы: Рогозов, Самойлов, Тяжкун

МПК: H03K 19/088

Метки: многофункциональный, структуры, цифровой, элемент

...12 напряжение высо" кого уровня - сигнал "1".При подаче на все управляющие входы 16 и 17 сигнала "1" состояние на выходе 12 зависит от изменения напряжения на сигнальном входе 15. При переходе этого напряжения от уровня "1" к уровню "0" током через резистор 14 и базоэмиттерные переходы транзисторов 10 и 11 отпирается транзистор 11 и формируется сигнал "0" на выходе 12. Отпирающий ток существенно возрастает за счет добавочного тока емкости нагрузки через транзистор 10 в базу транзистора 11.Данное увеличение базового тока и обуславливает возрастание нагрузочной способности элемента.Через некоторое время после отпирания транзистора 11 откроется и перейдет в режим насыщения транзистор 8, что вызовет запирание транзисторов 10 и 11, и на...

Номер патента: 1277382

Опубликовано: 15.12.1986

Авторы: Акопов, Кахишвили, Сургуладзе

МПК: H03K 19/088

Метки: ттл-элемент

...переход многоэмиттерного транзистора 1, втекает в базу транзистора 7, обеспечи вая его насыщенное состояние. Часть этого тока ответвляется в базу транзистора 16, эмиттерный ток которого, ограниченный резистором 15, через открытый коллекторный переход тран- у зистора 14 вместе с эмиттерным током транзистора 7 втекает в базовую цепь транзистора 13. При этом послецний находится в режиме насыщения, транзистор 9 благодаря наличию низкогопотенциала на коллекторе насыщенноготранзистора 7, выключен, и на выходе12 ТТЛ-элемента поддерживается низкий уровень напряжения логического"0". Номиналы резисторов 4 и 5 подобраны таким образом, что с учетомпрямого падения напряжения на базоэмиттерном переходе дополнительноготранзистора 16 схема...

Номер патента: 1336225

Опубликовано: 07.09.1987

Авторы: Глориозов, Сидоров, Царев

МПК: H03K 19/088

Метки: логики, транзисторно-транзисторной, элемент

...который через резистор 8 соединен с коллектором транзистора 3, анод диода 5 соединен с эмиттером транзистора 3, а катод - с коллектором транзистора 4 и с выходом 12 элемента, эмиттер транзистора 4 непосредственно, а база транзистора 4 через резистор 9 соединены с общей шиной 13. В устройство введен дополнительно транзистор 14, коллектор и эмиттер которого соединены соответственно с базой транзистора 2 и с катодом диода 5, а база - с эмиттером транзистора 2 и через пятый резистор 15 и конденсатор 16, включенные параллельно, - с базой транзистора 4. Устройство работает следующим обраЕсли на все эмиттеры транзистора 1 подаются высокие потенциалы, то электрический ток 1, поступающий по цепи с резистором 6, переключается в коллекторную...

Номер патента: 1345336

Опубликовано: 15.10.1987

Авторы: Рогозов, Тяжкун

МПК: H03K 19/088

Метки: разностный, элемент

...резистор 7 " с базойп-р-п.-транзистора 4, первый коллекторкоторого через четвертый резистор 8 эсоединен с базой и-р-и-транзистора3, которая через третий резистор 9соединена с коллектором многозмиттерного транзистора 1, база которогочерез первый резистор 10 связана сшиной 12 питания, эмиттеры п-р-п-.транзисторов 3 и 4 соединены с общейшиной, первый и второй выходы 13 и14 подключены к коллектору и эмиттеру транзистора 2, второй коллектортранзистора 4 и второй дополнительный коллектор транзистора 3 соедине.ны с первым и вторым дополнительнымивыходами 15 и 16.Разностный элемент работает следующим образом.В статическом режиме транзистор2 закрыт, и на выходах 13 и 14 высокий или низкий уроввнь напряжения взависимости от подключения транзистора...

Номер патента: 1345337

Опубликовано: 15.10.1987

Авторы: Глоба, Рогозов, Тяжкун

МПК: H03K 19/088

Метки: разностный, элемент

...коллектор транзистора16 соединен с шиной питания, то выходом устройства является эмиттер ина эмиттере сформируется выходноенапряжение низкого уровня,При поступлении на один из входовустройства сигнала низкого уровняоткрывается сначала транзистор 13а потом транзистор 1 О,Указанная последовательность отпирания транзисторов задается разными уровнями входного напряжения отпирания (О,о и Ц,1 ) этих транзисторов (также как и в прототипе задается задержка отпирания транзистора 10),Оз = Е - 1 вэоэ - 1-111 ВэоЕ-Б -11 ---- Рю ВзошлоБ810где Е - напряжение питания;- напряжение отпирания транзисторов 10 и 13;11 - напряжение отпирания диода,15 Задержка отпирания транзистора10 после отпирания транзистора 13обусловлена также большим...

Номер патента: 1460771

Опубликовано: 23.02.1989

Авторы: Мелконян, Мкртчян

МПК: H03K 19/088

Метки: ттл-элемент

...базой. транзистора 6, коллектор "через седьмой резистор 18 соединенс шиной 5 питания и подключен к базе 40транзистора 10,ТТЛ-элемент работает следующимобразом,Пусть на входы 2 и 3 подан логический "О". Это означает, что эмиттерные переходы транзистора 1 смещены в прямом направлении и транзистор 6 заперт. Вследствие этого запер",ты также транзисторы 16 и 8. Поскольку на коллекторе транзистора 6 имеется высокий уровень потенциала, транзисторы 13 и 14 открыты и на выходе 9;элемента - высокий урбвень потенциа"ла Б"в +3,6 В. Потенциал П средней.точки резисторного делителя .на резис-торах 11 и 18 выбран так, что в, этовремя транзистор 10 заперт и не влияет на работу транзисторов 13 и 14.Например, если 0=+2 В, а на выходе Ф 3,6 В, то...

Номер патента: 1529441

Опубликовано: 15.12.1989

Авторы: Гикавый, Кичак, Смешко, Стронский

МПК: H03K 19/088

Метки: логический, элемент

...прямо включенныйдиод 32 соединен с низким потенциаломколлектора открытого входного транзистора 1. На коллекторе открытогопромежуточного транзистора 33 имеется низкий потенциал, и на вход 22неинвертирующего выходного каскада23 ток от шины 5 питания не поступает, что соответствует низкому потенциалу на входе 22 неинвертирующеговыходного каскада 23. Неинвертирующий выходной каскад 23 псвторяетсигнал, поданный на его вход 22, ина выходе 24 устройства присутствуетнизкий потенциал , т . е . 0Если на входе 6 присутствует 1а на входе 7 - " 0" , входной тран зи сто р 1 находится в инверсном активном режиме и е го 6 аз овый то к , о пр е 9441 6 деляемый резистором З,обуславливает открытое состояние промежуточного транзистора 8. На коллекторе...

Номер патента: 1531207

Опубликовано: 23.12.1989

Автор: Вихров

МПК: H03K 19/088

Метки: быстродействующий, ттлш-вентиль

...в базе транзистора14 и тока разряда выходной нагрузочной емкости, ограниченного по величине резистором 15, Этот ток, уси.ленный транзистором 17, заряжаетвходные емкости транзисторов 6 и 11,что облегчает их включение токамирезисторов 4 и 16.Включение транзистора 6 сопровождается понижением потенциала на егоколлекторе за счет падения напряжения на резисторе 16. Это приводит квыключению транзистора 17 и переводутранзистора 3 в диодный резям работы.Одновременно с этим начинает отпираться диод Шоттки 12, через которыйначинает течь ток разряда выходнойнагруэочной емкости. Этот ток черезтранзистор 6 заряжает входную емкостьвыходного транзистора 11 и ускоряетего включение. 35При достижении входного сигналауровня лог. "1" транзисторы 3, 6 и11...

Номер патента: 1538247

Опубликовано: 23.01.1990

Авторы: Агодисян, Мазурова, Рогозов, Тяжкун

МПК: H03K 19/088

Метки: разностный, элемент

...и четыре резистора, аноды первого, второго и третьего диодов через первый резистор соединены с базой р-и-р-транзистора, а като.ды подключены к вхоцам и соединены соответственно с катодами четвертого, пятого и шестого диодов, аноды которых соеди.йены с .первым выводом второго резистора, база первого и-р-и-транзистора соединена с. первым выводом третьего резистора, первый вывод четвертого резистора. соединен с шиной питания, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью повышения надежности работы при больших длительностях фронтов входных импульсов, в него введены второй и третий .и-р-и-транзисторы, причем коллектор второго и-р-и-транзистора соединен с базой первого и-р-и-транзистора, база второго и-р-и-транзистора соединена с...

Номер патента: 1554136

Опубликовано: 30.03.1990

Авторы: Волынец, Гикавый, Осадчук, Стронский

МПК: H03K 19/088

Метки: логический, элемент

...состояние четг вертого 25 и шестого 36 диодов, На аноде закрытого четвертого диода 25 и базе четвертого промежуточного транзистора 29 высокий потенциал и в Ьазу четвертого промежуточного трачэистора 29 поступает ток от шины 7 . питания через девятый 31 и седьмой 27 резисторы, что оЬусловливает открытое состояние четвертого промежуточного транзистора 29, так как его коллектор подключен к шине 7 питания через девятый транзистор 31. На вход 32 второго неинвертирующего выходного каскада 33 поступает эмиттерный ток открытого четвертого промежуточного транзистора 29, что соответствует подаче логичес- кой "1" на вход 32, Второй неинвертирующий выходной каскад ЗЗ повторяет сигнал,поданный на его вход 32 и на третьем выходе 34 устройства...

Номер патента: 1566478

Опубликовано: 23.05.1990

Автор: Королев

МПК: H03K 19/088

Метки: инвертор

...уровню логической. "1" на выходе 12, На резисторе 9 падает напряжение Е- ЗЧ , определяемое паФдением напряжений на открытых р -и переходах транзисторов 5,6 и 8. Ток 45эмиттера транзистор 51 , где 1 , 1-, 1 - ток через7 9 б треэистор 9 и токи баз транзисторов 6 и 7 соответственно. Токи 1= 1 так как базы и эмиттеры трайзисторов 6 и .7 соединены. ток коллектора 1 кб транзистора 6 вытекает иэ базы транзистора 5, поэтому 1 - 21 = 1( +1) ф Значение сопротивления резистора 9 выбирается из следунщих соображений,Ток, коллектора транзистора 7 не должен создавать на резисторе 3 падение напряженияЧ ) Е и -2 Ч , так как в таком случае невозможно переключение инвертора из состояния логической "1" в состояние "О" на выходе 12 инвертора, ЕслиЧ Е- 2 Ч,...

Номер патента: 1598157

Опубликовано: 07.10.1990

Автор: Мелентьев

МПК: H03K 19/088

Метки: логический, маломощный, транзисторный, элемент

...цепь, которая при выключении транзистора 3 и нарастании потенциала на его коллекторе генерирует короткий положительный "пик" на базах транзисторов 18 и 20. Происходит открывание транзисторов 18 и 20, при этом транзистор 18 шунтирует транзистор 13 низкоомной цепью коллектор-эммитер, а транзистор 20 шунтирует составной транзистор, образованный транзисторами 9 и 10, через низкоомную 5 10 15 202530354045 цепь коллектор-змиттер и прямосмещенный диод 22, Таким образом, при переключении входной шины 2 с высокого уровня на низкий на выходе 14 в течение некоторого промежутка времени формируется третье состояние, когда транзистор 13 уже выключен, а транзисторы 9 и 10, образующие составной транзистор, еще не включены. Длительность...

Номер патента: 1598158

Опубликовано: 07.10.1990

Автор: Вихров

МПК: H03K 19/088

Метки: трехкаскадный, ттлш-вентиль

...режим работы транзистора 6, который начинает пропускать через себя ток резистора 8, усиленный вфла раз. Таким образом, в течение короткого промежутка времени, определяемого длительностью переходного процесса, транзистор 3 будет задавать в базу транзистора 4 большой зарядный ток, обеспечивающий быстрое его включение. Включение транзистора 4 будет сопровождаться включением транзистора 7 и выключение транзистора 6. Вследствие чего резистор 8 будет задавать ток в базу транзистора 7, Включение транзисторов 7 и 4 обеспечивает протекание тока через резистор 9 и выключение каскада на составном транзисторе, состоящем иэ транзисторов 10 и 11 и резистора 13, Токи резисторов 8 и 9, протекая через транзисторы 7 и 4, обеспечивают включение...

Номер патента: 1599984

Опубликовано: 15.10.1990

Автор: Вихров

МПК: H03K 19/088

Метки: ттлш-вентиль

...что обеспечивает включение диода 14, который выключает входной транзистор 1. При этом выключения транзистора 3 не происходит, так как в его базу втекает ток резистора 4.При уменьшении входного напряжения происходит включение входного транзистора 1, вследствие чего создается низкоомная разрядная цепь для заряда, накопленного в областях транзистора 3. Следовательно, вклю чение транзистора 1 приводит к выключению транзистора 3. При этом через коллектор транзистора 1 течет ток, задаваемый резистором 2, Выключение транзистора 3 сопровождается ростом потенциала на его коллекторе за счет уменьшения тока, протекающего через резистор 9. В тот момент, когда значение этого потенциала достигает значения 2 Ц , включается д составной транзистор,...

Номер патента: 1621165

Опубликовано: 15.01.1991

Авторы: Мелентьев, Мурый

МПК: H03K 19/088

Метки: логический, транзисторный, элемент

...шину и потенциал на коллекторе транзистора 1 уменьшается. Цепь коллектор - э митте р транзистора 8 шунтирует переход база - эмиттер выходного транзистора 3 и он продолжает оставаться закрытым, Таким образом, происходит снижение потенциага на базе составного транзистора и соответственно снижение высокого уровня напряжения на выходе. схемы при отключенном выходном транзисторе, Резистивный делитель передает понижение напряжения с базы составного транзистора на базу транзистора 8 и он начинает выключаться, Змиттерный ток транзистораначинает поступать в базу выходноготранзистора 3, и транзистор 3 открывается.Следовательно, установление на выходе схемы низкого уровня напряжения происходит при уже отключенном составном транзисторе и.таким...

Номер патента: 1651372

Опубликовано: 23.05.1991

Авторы: Ефименко, Прибыльский, Шпаковский, Яковцев

МПК: H03K 19/088

Метки: инвертор, транзисторно-транзисторный

...формулойК К 3 Па -Дкэ -Пэцот. Макс п Мип+ Таким образом, ток потребления зависит от числа подключаемых к выходу нагрузок, чем меньше нагрузок, тем меньше ток потребления. При подаче на вход инвертора 15 напряжения логического нуля. первый 1, второй 5 и четвертый 14 п-р-и-транзисторы закрыты, эмиттерный повторитель 2 открыт и на выходе 6 инвертора формируется напряжение логической единицы. На базе второго р-и-р-транзистора 11 присутствует высокий потенциал, так как четвертый и-р-птранзистор 14 закрыт, обеспечивающий его закрывание. Поскольку второй р-п-р-транзистор 11 закрыт, отсутствует ток, втекакпций в базу третьего п-р-п-транзистора 10, и третий и-р-и- транзистор также закрыт, т.е. цепь, состоящая из второго р-и-р-транзистоаПри...

Номер патента: 1656678

Опубликовано: 15.06.1991

Авторы: Ефименко, Яковцев

МПК: H03K 19/088

Метки: инвертор, транзисторно-транзисторный

...фЙ + Йисзгде Е - напряжение источника питания;1Й 2 - значение сопротивления второго резистора;Окан - сопротивление исток-сток закрытого полевого транзистора;Висз - напряжение между коллектором и эмиттером насыщенного транзистора;О - напряжение на открытом р-н переходе транзистора. Поскольку в данном состоянии полевой транзистор является закрытым, то выполняется условие 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 1Й 2 + ЙисзЙ 2где Й 2 - значение сопротивления второго резистора устройства-прототипа.Следовательно, предлагаемый инвертор имеет меньший ток потребления и потребляемую мощность.При подаче на вход инвертора напряжения логического "0" первый и второй биполярные транзисторы начинают закрываться, а эмиттерный повторитель начинает открываться....

Номер патента: 1674360

Опубликовано: 30.08.1991

Авторы: Мелконян, Мкртчян, Симонян

МПК: H03K 19/088

Метки: ттл-вентиль

...1 и-р-п типа, эмиттеры которого соединены с входами, база черезпервый резистор 2 - с шиной 3 питания, а. коллектор подключен к базе фазоинвертирующего транзистора 4 и-р-и типа сложногоинвертора на транзисторах 5, 6 и 7 и резисторах 8, 9 и 10, выход 11 которого соединенс эмиттером дополнительного транзистора12 р-п-р типа, база и коллектор которогосоответственно через; ретий и четвертыйрезисторы 13 и 14 соединены с коллектором 20и базой фазоинвертирующего и управляющего транзисторов 4 и 15 п-р-и типа, Эмит.тер транзистора 4 соединен с коллекторомтранзистора 15, эмиттер которого соединенс общей шиной и через втооай резистор 16 25с его базой.ТТЛ-вентиль работает следующим образом.Если на входах "0", то транзисторы 4, 5и 15 заперты и...

Номер патента: 1688404

Опубликовано: 30.10.1991

Авторы: Рогозов, Тяжкун

МПК: H03K 19/088

Метки: ттл-элемент

...переход транзистора 14 открывает транзистор 16, Открытый и насыщенный транзистор 16 обеспечивает запирание транзисторов 19, 20 и открытое состояние транзистора 21, На выходе 13 устройства формируется низкий уровень напряжения, В этом состоянии транзисторы 5 и 4 закрыты,20 25 30 35 40 45 50 55 В том случае, когда на одном из входов устройства низкий уровень напряжения, открытый и насыщенный транзистор 14 обеспечивает запирание транзистора 16. Соответственно закрыт и транзистор 21. Током через резистор 17 открывается транзистор 19 и затем транзистор 20, в результате чего на выходе формируется высокий уровень напряжения, Если в этом режиме выходной ток через транзисторы 19, 20 и резистор 8 не превышает допустимого, то;ОВ 8Обэо...

Номер патента: 1713099

Опубликовано: 15.02.1992

Автор: Тяжкун

МПК: H03K 19/088

Метки: ттл-элемент

...электрические связи.Положительный эффект достигается эасчет ограничения среднего значения выход- ,55 ного вытекающего тока и обеспечения большого значения выходного тока при формировании фронта нарастания выходного напряжения.На чертеже изображена принципиальная электрическая схема устройства.35 40 45 50 55 Устройство содержит входную схему И 1, парафазный усилитель 2, сложный инвертор 3, источник 4 тока и конденсатор 5. При этом входная схема И выполнена на и-р-и транзисторе 6 и резисторе 7, парафаэный усилитель 2 выполнен на и-р-и транзисторе 8 и резисторах 9 и 10, сложный инвертор 3 выполнен на и-р-и транзисторах 11-13 и резисторе 14, источник тока 4 выполнен на р-и-р транзисторах 15 и 16, причем входами устройства являются...