Кахишвили

Номер патента: 1624529

Опубликовано: 30.01.1991

Авторы: Гикошвили, Имнаишвили, Кахишвили, Крихели, Натрошвили, Чхаидзе

МПК: G11C 19/00

Метки: многофункциональный, регистр

...в разных режимах работает следующим образом.Рассмотрим, как происходит обнуление регистра. С этой целью на управляющий 5 вход 26 подается единичный импульс длительностью не менее гз + г Поскольку на остальных управляющих входах регистра установлены низкие уровни потенциала, то на выходе первого элемента ИЛИ 10 будет 1 установлен "0". Согласно описанному принципу действия управляющего сигнала с входа 26 регистра на заднем фронте этого сигнала в регистр будет записан результат конъюнкции "0" на выходе первого элемен та ИЛИ 10 и содержимого ВЯ-триггера 2 каждого разряда 1, т. е. произойдет обнуление регистра.Для параллельного ввода информации в регистр код подается на информационные 20 входы 221 - 22 разрядов 1 регистра,Ввод можно...

Номер патента: 1598122

Опубликовано: 07.10.1990

Авторы: Гикошвили, Гиоргобиани, Имнаишвили, Кахишвили, Натрошвили

МПК: H03K 3/037

Метки: многофункциональный, триггер

...второй и третий ин-, формационные входы, вход синхронизации, элемент НЕ, элемент НЕ с увеличенной задержкой и пять элементов И-НЕ, выходы первого и второго из которых 5 15981ход 9 триггера соединяется с вторыминформационным входом 11.Структура триггера описываетсяуравнением1 к5"(,+1- (С) 1 З (цПредположим, что триггер в нулевомсостоянии и на первый информационныйвход 10 подается логическая "1", ана второй информационный вход 11логический "О", Таким образом, напервом и втором входах третьего элемента И-НЕ 3 будут высокие потенциалы. Следовательно, он открывается ина выходе элемента НЕ 6 появляетсявысокий потенциал. После подачи синхроимпульса триггер переходит н еди-.ничное состояние, Повторная подачасинхроимпульса не меняет...

Номер патента: 1370635

Опубликовано: 30.01.1988

Авторы: Баумберг, Воскобойник, Кахишвили, Мойнов, Носова, Рухадзе

МПК: G01R 27/00, G01R 31/28

Метки: коллектора, сопротивления, тела, транзистора

...Ес определяется коллекторным током через выходной транзистор, который соответствует предельно допустимому значению мощности рессеивания зависящему с од 145 ной стороны, от допустимой температуры перехода Т , температуры окружающей среды Ти теплового сопротивления переход - среда К 1, а с другой стороны, от тока 1, протекающего через транзистор, и падения напряжения перехода коллектор - эмитДопустимая температура перехода составляет не менее 150 С для кремниевых транзисторов, а тепловое со 35 2противление Кнаходится в пределах 0,5-0,7 град/мВт для транзисторов в интегральных микросхемах, типовое значение Кдля интегральных транзисторов, используемых в схемах цифровых элементов, равно 5-100 м.Измеряют вольт-амперную характеристику...

Номер патента: 1277382

Опубликовано: 15.12.1986

Авторы: Акопов, Кахишвили, Сургуладзе

МПК: H03K 19/088

Метки: ттл-элемент

...переход многоэмиттерного транзистора 1, втекает в базу транзистора 7, обеспечи вая его насыщенное состояние. Часть этого тока ответвляется в базу транзистора 16, эмиттерный ток которого, ограниченный резистором 15, через открытый коллекторный переход тран- у зистора 14 вместе с эмиттерным током транзистора 7 втекает в базовую цепь транзистора 13. При этом послецний находится в режиме насыщения, транзистор 9 благодаря наличию низкогопотенциала на коллекторе насыщенноготранзистора 7, выключен, и на выходе12 ТТЛ-элемента поддерживается низкий уровень напряжения логического"0". Номиналы резисторов 4 и 5 подобраны таким образом, что с учетомпрямого падения напряжения на базоэмиттерном переходе дополнительноготранзистора 16 схема...

Номер патента: 855951

Опубликовано: 15.08.1981

Авторы: Акопов, Кахишвили, Сургуладзе, Шавишвили

МПК: H03K 3/2893

Метки: триггер, шмидта

...за ртог) входного транзистора 1.Так как Величина напряжения отпирания цср ;:О а база-эмиттер транзистора сильно , )Нс)1; п рабочей температуры, то с це.Вк) са би. Изации пор о а срабатывания три г . ра В данной схеме реализована компецса- .)5 лреи)а напр 5 жеци 5 Опи)1 ция Н 1)отивопох)жц 1 мсмпсратурцо-зав 5 симым измеВ цием эмиттсрцого токи выходного трацзистог)а 2, а, след)Ватсльно, и напряжния ца резисторе 4, за счет частичного ответвления коллекторной составляющей этого тока В токоответвляющий транзистор 9.Парамстрь лелнтеля на резис) орах 11 и 12 Выбраны таким образом, что на макси;.:Вльной рабочек температуре, при которой напряжение отпирания цсрехола база-эмитр транзисторов минимально. лополцитель.В 5 т)ацзистор О насьцс;. н...

Номер патента: 322730

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Данели, Джалагани, Кахишвили, Сихарулидзе, Хведелидзе, Шперлинг

МПК: G01N 25/20, G01R 27/16

Метки: датчика, омического, сопротивления

...прибора 4 мапштоэлектрической системы, подключетшого к выходу дискриминатора, Шкала измернтелытого прибора 4 отградуировапа в процентах углекислого газа, Индуктивность колебательного контура 5 трапзптронного генератора намотана на феррптовом стержне. На тот жс стержень наматываются две раздельные обмотки 6 и 7, в цепи которых через линейные регулируемые сопротивления 8 и 9 последовательно с источниками питания постоянного тока 1 т 1 и 11 вк;цочены терморезнсторы 12 и И с косветшым одОревОм. Направление витков в Обмотках выполнено встречно.Один нз терморезисторов 12 помещен в запаянную стеклянную ампулу (Яп.т), наполненную газовой смесью, соответствующей по составу анализируемой, второй тсрморезн. стор 1 т помещен в открытую стекляштую...