Патенты с меткой «ттл-элемент»

Номер патента: 1274150

Опубликовано: 30.11.1986

Авторы: Андронова, Бугаева, Желтышев, Коннов

МПК: H03K 19/088

Метки: ттл-элемент

...на входе 2;Б- падение напряженияна переходе базаколлектор транзистора 1 в инверсном режиме.Из (5) определяем величину У; СУс +С 2 Ъ +Пр ) +Сп(0 э,+П,1+Ъ) ь+ С 1 и Для того, чтобы обеспечивалось включение транзистора 16, необходимо, чтобы в этом режиме между потенциалами Б и Бю,в выполнялось соотношение.У - БУ (7) т.е, разницы должно хватить для включения эмиттерйого перехода транзистора 16, с учетом (4) и (6)условие (7) запишем в виде1274150 СУ + С(2 Уэ + Пбк ) + С, (бикэн+ П 1 11 бэ ) ц + и + 1 (8)ИЭН 1 О ЭСь+ С 4+ С 71В состоянии логического "0" навыходе логической "1 " на входе токрезистора 4 равен Транзистор 16 находится в актив ном режиме. Коллекторный ток транзистора 16 равен Усс П Усс 2 П +2 Цбк . (9) Кз+ Огде .1,. - базовый ток...

Номер патента: 1277382

Опубликовано: 15.12.1986

Авторы: Акопов, Кахишвили, Сургуладзе

МПК: H03K 19/088

Метки: ттл-элемент

...переход многоэмиттерного транзистора 1, втекает в базу транзистора 7, обеспечи вая его насыщенное состояние. Часть этого тока ответвляется в базу транзистора 16, эмиттерный ток которого, ограниченный резистором 15, через открытый коллекторный переход тран- у зистора 14 вместе с эмиттерным током транзистора 7 втекает в базовую цепь транзистора 13. При этом послецний находится в режиме насыщения, транзистор 9 благодаря наличию низкогопотенциала на коллекторе насыщенноготранзистора 7, выключен, и на выходе12 ТТЛ-элемента поддерживается низкий уровень напряжения логического"0". Номиналы резисторов 4 и 5 подобраны таким образом, что с учетомпрямого падения напряжения на базоэмиттерном переходе дополнительноготранзистора 16 схема...

Номер патента: 1460771

Опубликовано: 23.02.1989

Авторы: Мелконян, Мкртчян

МПК: H03K 19/088

Метки: ттл-элемент

...базой. транзистора 6, коллектор "через седьмой резистор 18 соединенс шиной 5 питания и подключен к базе 40транзистора 10,ТТЛ-элемент работает следующимобразом,Пусть на входы 2 и 3 подан логический "О". Это означает, что эмиттерные переходы транзистора 1 смещены в прямом направлении и транзистор 6 заперт. Вследствие этого запер",ты также транзисторы 16 и 8. Поскольку на коллекторе транзистора 6 имеется высокий уровень потенциала, транзисторы 13 и 14 открыты и на выходе 9;элемента - высокий урбвень потенциа"ла Б"в +3,6 В. Потенциал П средней.точки резисторного делителя .на резис-торах 11 и 18 выбран так, что в, этовремя транзистор 10 заперт и не влияет на работу транзисторов 13 и 14.Например, если 0=+2 В, а на выходе Ф 3,6 В, то...

Номер патента: 1688404

Опубликовано: 30.10.1991

Авторы: Рогозов, Тяжкун

МПК: H03K 19/088

Метки: ттл-элемент

...переход транзистора 14 открывает транзистор 16, Открытый и насыщенный транзистор 16 обеспечивает запирание транзисторов 19, 20 и открытое состояние транзистора 21, На выходе 13 устройства формируется низкий уровень напряжения, В этом состоянии транзисторы 5 и 4 закрыты,20 25 30 35 40 45 50 55 В том случае, когда на одном из входов устройства низкий уровень напряжения, открытый и насыщенный транзистор 14 обеспечивает запирание транзистора 16. Соответственно закрыт и транзистор 21. Током через резистор 17 открывается транзистор 19 и затем транзистор 20, в результате чего на выходе формируется высокий уровень напряжения, Если в этом режиме выходной ток через транзисторы 19, 20 и резистор 8 не превышает допустимого, то;ОВ 8Обэо...

Номер патента: 1713099

Опубликовано: 15.02.1992

Автор: Тяжкун

МПК: H03K 19/088

Метки: ттл-элемент

...электрические связи.Положительный эффект достигается эасчет ограничения среднего значения выход- ,55 ного вытекающего тока и обеспечения большого значения выходного тока при формировании фронта нарастания выходного напряжения.На чертеже изображена принципиальная электрическая схема устройства.35 40 45 50 55 Устройство содержит входную схему И 1, парафазный усилитель 2, сложный инвертор 3, источник 4 тока и конденсатор 5. При этом входная схема И выполнена на и-р-и транзисторе 6 и резисторе 7, парафаэный усилитель 2 выполнен на и-р-и транзисторе 8 и резисторах 9 и 10, сложный инвертор 3 выполнен на и-р-и транзисторах 11-13 и резисторе 14, источник тока 4 выполнен на р-и-р транзисторах 15 и 16, причем входами устройства являются...