Сквира

Номер патента: 1656595

Опубликовано: 15.06.1991

Авторы: Дятченко, Родионов, Савенков, Сквира, Стахин

МПК: G11C 11/40

Метки: накопитель

...в накопителях со словарной выборкой. Для выборки коммутацией тока требуются минимальные логические перепады: Ь Ог =300-400 мВ - стандартный логический перепад для переключателей тока с дифференциальным входом и по входам выборки строк несколько выше в соответствии с соотношением (1) ЛО=2 ЬО. В усилигтель 31 ток считывания источника 26 тока может быть включен либо непосредственно элементом 24 (в невыбранной строке), либо через выбранну.о ячейку транзисторами элементов 9 и считывания 6. В обоих случаях на базе транзистора элемента 37 усилителя 31 считывания формируется низкий логический уровень. При переключении строки из невыбранного в выбранное состояние, при 10 котором должен сохраниться низкий логический уровень в усилителе 31 ток...

Номер патента: 1383507

Опубликовано: 23.03.1988

Авторы: Балашов, Дятченко, Краснов, Родионов, Сквира

МПК: H03M 7/22

Метки: дешифратор

...20 тока, аналогичном источнику 2.Дифференцирующий элемент 4 состоит из соединенных последовательноконденсатора 21, резистора 22 и второго источника 23 опорного напряжения сАдресный формирователь 3 реализует функцию И либо ИЛИ-НБ и может быть выполнен так же, как и в известном устройстве, Входы адресных формирователей 3 соединены с выходами адресных инверторов 1 в соответствии с таб лицей истинности для И-разрядного дешифратора. Дешифратор работает слечукан и образом,Нри смене адреса (кода на нходах 8)происходит изменение состояния ЭСНключа 6, адресного инвертора 1,1.,Фронты сигналов с выходов ЭСЛ-ключа6.х выделяются дифференцирующими элементами 4,(2-1) и 4.(2). Лри этомпотенциал на входе одного из эмиттерных повторителей 5.(2.-1) и...

Номер патента: 1269252

Опубликовано: 07.11.1986

Авторы: Балашов, Дятченко, Родионов, Сквира, Соколов

МПК: H03K 19/088

Метки: ттл-инвертор

...39 и коллектором и базой девятнад- В состоянии логической "1" нацатого транзистора 40, эмиттер кото- входе 3 фазорасщепительный и выходрого соединен с коллектором и базой ной транзисторы 7 и 9 включены и надВадцатОГО траНЗИСтОра 41, ЭМИттЕР 15 СЬПцЕНь 1, ПОтЕНцИаЛЫ ИХ КОЛЛЕКтОрОВкоторого через четырнадцатый резис- для ограничения глубины и насыщениятор 42 соединен с шиной 4 питания, фиксируются транзисторами 6 и 29.база восемнадцатого транзистора 39 Транзисторы 30 и 12 выходного эмитчерез пятнадцатый резистор 43 соеди- терного повторителя заперты. Опорныеиена с шиной 4 питания, а эмиттер - 20 потенциалы на базе транзисторов 6 ис входной шиной 15 блокировки. Струк ограничения насыщения задаютсятурно ТТЛ-инвертор состоит из вход- исходя из...

Номер патента: 1239750

Опубликовано: 23.06.1986

Авторы: Балашов, Дятченко, Родионов, Сквира

МПК: G11C 11/40

Метки: запоминающее

...2, источник 3 тока (хранения), источник 4 тока (считывания) накопитель 1 выполнен в виде двух строк ячеек 5 памяти, объединенных по строкам парами словарных шин, причем первая 6 и вторая 1 словарные шины каждой строки являются соответственно словарными входами и выходами накопителя 1, каждый словарный вход накопителя 1 через дополнительно введенные источники 8 опорного напряжения, в частности, выполненного в виде последовательно включенных первого 9 и второго 1 О диодов, подключены к шине 11 положительного напряжения питания, коммутатор 12, разрядные шины 13 ячеек 5 памяти, являющиеся разрядными входами/выходами накопителя 1.Запоминающее устройство работает следукшим образом.Любой комбинации логических сигналов на входах дешифратора 2...

Номер патента: 1160556

Опубликовано: 07.06.1985

Авторы: Балашов, Дятченко, Родионов, Сквира

МПК: H03K 19/08

Метки: инвертор

...базы - к входу и через диод к общей шине 23,Недостатками известного инвертораявляются малые быстродействие инагруэочная способность из-за того,что выходные транзисторы входятв насыщение малого коэффициентаусиления,Цель изобретения - увеличениебыстродействия.и нагрузочной способности.Цель достигается тем, что в инвертвр, содержащий источник тока, включенный между шиной питания и входом, выходные транзисторы, эмиттеры которых подключены к общей шине, коллекторы - к соответствующим выходам, базы - через диод к общей шине, введены дополнительный диод и три транзистора, катод дополнительного диода подключен к входу, анод - к шине питания и коллектору первого транзистора, эмиттер которого соединен с базами выходных транзисторов, а база - с...

Номер патента: 1137537

Опубликовано: 30.01.1985

Авторы: Балашов, Дятченко, Родионов, Сквира

МПК: G11C 11/40

Метки: запоминающего, накопитель, устройства

...подключен к базе второготранзистора, эмиттер которого и база первого транзистора подключенысоответственно к базе и коллекторутранзистора опорного элемента коммутации тока, второй вывод резистораи коллекторы первого и второготранзисторов подключены к шине положительного напряжения питания, до- .полнительный вход лемента коммутации тока третьей группы подключен кбазе транзистора соответствующеговторого элемента коммутации токавторой группы.Каждый элемент коммутации токатретьей группы состоит из первого ивтороготранзисторов, коллекторыкоторых являются первыми и вторымивыходами элемента коммутации токатретьей группы, эмиттеры - входом,а базы - дополнительным входом.На чертеже представлена электрическая схема накопителя,Ячейки...