Инвертор

СОЮЗ СОВЕТСКИХСОЦИАЛИСТИЧЕСКИРЕСПУБЛИК 9 Я О н А 51)5 Н 03 К 19/088 ПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМПРИ ГКНТ СССР Н А ВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВ(56) Валиев К.А., Орликовский А.А, Полупроводниковые интегральные схемы памяти на биполярных транзисторных структурах. - 1 .: Советское радио 1979, с. 268, рис . 99.0181 га 1 1 пгедгасед С 1 гсц 1 г Р.А.Т.А Воо 1 с, 1973, р.414, Г 1 е,К 15-381, (54) ИНВЕРТОР(57) Изобретение относится к импульсной технике, а именно к логическим элементам . Целью изобретения является увеличение надежности путем повышения устойчивости инверторп к воздействиюдестабилизирующих Факторов, Инверторсодержит первый и пятый транзисторыр - и - р-типа проводимости, второй,третий, четвертый и шестой транзисторы и - р - и-типа проводимости, первый и второй нагрузочные резисторы,токозадаюший резистор и диод. Введение пятого транзистора р - и - р-типаи шестого транзистора и - р - п-типа,а также новых Связей позволяет увеличить надежность инвертора путем повышения устойчивости к воздействию дестабилизирующих факторов за счет компенсации увеличения входного тока всостоянии логического 0 на входе.ил,// +1)+2 Так как 1 = 1, то и 1 к =1 к, где 1 к - ток коллектора транзистора 7, следовательно,119++2п Ток 1 создает на резисторе 3 пактдение напряжения 6 Ч = 1 к В. гдект ф В- сопротивление резистора 3. Как внцно из указанных формул, величина Ь Ч увеличивается при снижении коэффициентов Я усиления р - и - р транзисторов и слабо зависит от коэффициентов усиленияи - р - и транзисторов.Выходной ток инвертора при логическом Оп на входеО Еп - 11 Ч - Ч Еп - Ч+) 1+) 55бОтсюда имеем Изобретение относится к импульснойтехнике, а именно к логическим элементам.Целью изобретения является увели 5чение надежности путем повышения устойчивости инвертора к воздействиюдестабилизирующих оакторов,На чертеже представлена электрическая схема инвертора, 10Инвертар содержит первый транзисторр - и - р-типа проводимости,третий транзистор 2 и - р - и типапроводимости, второй 3 и первый 4нагрузочные резисторы, пятый транзистор 5 р - и - р типа проводимости,шестой 6, четвертый 7 и второй 8транзисторы и - р - и типа проводимости, токозадающий резистор 9, диод 1 О. На чертеже также показаны 20вход 11, выход 12 инвертора и вход13 напряжения смещения инвертора,дополнительный транзистор 14 и дополнителъный резистор 1 5.Инвертор работает следующим обра+На вход 13 подается напряжениеЧ где Ч - падение напряжения на от+крытом р - и переходе. Также к входу 13 может подключаться и база дополнительного транзистора 14 с дополнительным резиствром 15,При подаче на вход инвертора уровняо напряжения логического "О Ч = ОВек на эмиттере транзистора 1 устанавливается напряжение У , которое передается на базу транзистора 2. В результате последний закрывается. Резистор 4 устанавливает на выходе 12 инвертора напряжение питания Рд, соот ветствующее уровню логической. "1" на выходе 12, На резисторе 9 падает напряжение Е- ЗЧ , определяемое паФдением напряжений на открытых р -и переходах транзисторов 5,6 и 8. Ток 45эмиттера транзистор 51 , где 1 , 1-, 1 - ток через7 9 б треэистор 9 и токи баз транзисторов 6 и 7 соответственно. Токи 1= 1 так как базы и эмиттеры трайзисторов 6 и .7 соединены. ток коллектора 1 кб транзистора 6 вытекает иэ базы транзистора 5, поэтому 1 - 21 = 1( +1) ф Значение сопротивления резистора 9 выбирается из следунщих соображений,Ток, коллектора транзистора 7 не должен создавать на резисторе 3 падение напряженияЧ ) Е и -2 Ч , так как в таком случае невозможно переключение инвертора из состояния логической "1" в состояние "О" на выходе 12 инвертора, ЕслиЧ Е- 2 Ч, то при повьшении напряжения на входе 11 инвертора потенциал эмиттера транзистораповысится сначала до величины Е - ДЧ. Для перек.пючения инверитора эта величина должна быть достаточной, чтобы открылся транзистор 2. Последний открывается, когда напряжение на его базе достигнет значения 2 Ч , Ток коллектора транзистора 2 создает падение напряжения на резисторе 4 и снижает напряжение на базе транзистора 8 до величины Ч + Ч+ где Ч, - напряжение между коллектором и эмиттером насыщенного транзистора 2. В результате транзисторы 5-7 закрываются и ток 1 к не протекает. Потенциал эмиттера транзистора 1 имеОтсюда получаем сопротивление резистора 9 Е - ЗЧ 19КпЧц 2Р Р+ Инвертор, содержащий диод, первыйтранзистор р - и - р-типа проводимоСоставитель А . Янов Техред М.Ходанич Корректор Э.Ланчэконэ Редактор И, Цулла Заказ 228 Тираж 657 ПадпигцаеВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5 Производс твенно-издательский комбинат "Патент", г,ужгород, л. Гагарина, 101 ет воэможность для дальнейшего увеличения от величины Е-6 Ч.Если ЕЧ( ЕЧ, то при повьшении напряжения на входе 1 инвертора транзистор 2 не открывается, т.е.переключение становится невозможным.Условие 1 Ч = Еп -2 Ч является определяющим при выборе значения сопротивления резистора 9 Ток коллектора транзистора 7 должен быть максимальным при минимальном значенииВ инверторе ноздействие дестабилизирующих факторов вызывает незначи - тельное увеличение выходного тока в состоянии логического 0 на входе 11, что увеличивает надежность работы инвертора.Формула изобретения сти, база которого подключена к входу иннертора, коллектор подключен к п 1 пне нулевого потенциала, э змиттер через второй нагрузочный резистор соединен с шиной питания, первый нынад токо- задающего резистора соединен с эмиттером второго транзистора и - р и-типа проводимости, база которого 1 О подключена к ныходу инвертара, к коллектору третьего транзистора и - р и-типа проводимости и через первый нагрузочный резистор соединена с шиной питания, база третьего транзисто ра соединена с коллектором четнерто"го транзистора, о т л и ч э ю щ и йс я тем, что, с целью увеличения надежности путем повьшения устойчивости инвертора к воздействию дестабилизирующих факторов, и него введены пятый транзистор р - и - р-типа проводимости и шестой транзистор и - р - и-типа проводимости, эмиттер которого соединен с коллекторами первого и пятого транщисторон и с эмиттером четвертого транзистора, коллектор которого соединен с эмиттером первого транзистора, а база - с базой шестого транзистора и катодом диода, анод 30 которого соединен с вторым выводомтокозадающего резистора и змиттером пятого транзистора, база которого соединена с коллектором шестого транзистора, коллектор второго транзистора подключен к шине питания, а эмиттер третьего транзистора соединен с входом напряжения смеп,ения.