Ттл-элемент

СОЮЗ СОВЕТСКИХСОЦИАЛИСТИЧЕСКИХРЕСПУБЛИК 8012773 03 К 19/08 ИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИ ЛСТУ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССРПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ К АВТОРСКОМУ СВИ(56) Букреев И.П, и др, Микроэлектронные схемы цифровых устройств, М.: Советское радио, 197, с.27, рис . 1. 17,Авторское свидетельство СССР Р 314307, кл, Н 03 К 19/088, 1970. (54) ТТЛ-ЭЛЕМЕНТ(57) Изобретение относится к импульсной технике и может быть использовано в ТТЛ-интегральных микросхемах. Цель изобретения - повышение помехоустойчивости и быстродействия устройства. Для достижения поставленной цели вустройстве введен дополнительныйтранзистор 16, коллектор которогосоединен с шиной 6 питания, база подключена к точке соединения первогои второго резисторов 4,5, а эмиттер -к второму выводу пятого резистора 15.Кроме того, устройство содержит транзисторы 1,7, 13, 14,20, резисторы 8,10, 18, 19, входы 2,3, выход 12) диод11. Техническими преимуществами предложенного устройства являются получение уровня помехоустойчивости, соответствуюцего типовым значениям ТТЛэлементов, и более выСомое быстродействие по времени задержки выключениясхемы. 1 ил.Изобретение относится к импульсной технике, и в частности, может быть использовано в ТТЛ-интегральныхмикросхемах.Цель изобретения - повышение поме хоустойчивости и быстродействия ТТЛ- элемента.На чертеже приведена принпипиальная электрическая схема ТТЛ-элемента.ТТЛ-элемент содержит входной мно гоэмиттерный транзистор 1, эмиттеры которого соединены с входами 2 и 3, база через первый и второй последовательно включенные резисторы 4 и 5 подключена к шине 6 питания, а коллектор подключен к базе фазоинвертирующего транзистора 7, коллектор которого через третий резистор 8 соединен с шиной 6 питания и подключен к базе первого выходного транзистора 9, коллектор которого через четвертый резистор 10 соединен с шиной 6 питания, а эмиттер через диод 11 подключен к выходу 12 и коллектору второго выходного транзистора 13, эмиттер которого соединен с общей шиной, а база подключена к эмиттеру транзистора 7 и коллектору токоответвляющего транзистора 14, эмиттер которого соединен с коллектором транзистора 1, а 30 база через пятый резистор 15 - с эмиттером дополнительного транзистора 16, коллектор которого соединен с шиной 6 питания, а база подключена к точке соединения резисторов 4 и 5, 35 база транзистора 13 через рассасывающую цепь 17 на двух резисторах 18 и 19 и рассасывающем транзисторе 20 соединена с общей шиной.ТТЛ-элемент работает следующим об разом.При наличии на обоих входах 2 и 3 высокого уровня напряжения логической "1" многоэмиттерный транзистор 1 работает в активном инверсном режи ме, при котором ток, протекающий от шины 6 питания через резисторы 4 и 5 и открытый коллекторный переход многоэмиттерного транзистора 1, втекает в базу транзистора 7, обеспечи вая его насыщенное состояние. Часть этого тока ответвляется в базу транзистора 16, эмиттерный ток которого, ограниченный резистором 15, через открытый коллекторный переход тран- у зистора 14 вместе с эмиттерным током транзистора 7 втекает в базовую цепь транзистора 13. При этом послецний находится в режиме насыщения, транзистор 9 благодаря наличию низкогопотенциала на коллекторе насыщенноготранзистора 7, выключен, и на выходе12 ТТЛ-элемента поддерживается низкий уровень напряжения логического"0". Номиналы резисторов 4 и 5 подобраны таким образом, что с учетомпрямого падения напряжения на базоэмиттерном переходе дополнительноготранзистора 16 схема инвертора имееттиповую для ТТЛ-схем передаточную характеристику, что обеспечивает соответствующую помехозащищенность,При подаче хотя бы на один из входов 2 или 3 низкого уровня напряжениялогического 0 соответствующий змиттерний переход многоэмиттерного транзистора 1 открывается, потенциал егобазы понижается и транзистор 1 изактивного инверсного режима переходитв режим насыщения, При этом в связис понижением потенциала базы транзистора 1 дополнительный транзистор16 выключается, а токоответвляющийтранзистор 14, в базе которого в исходном режиме накоплен значительныйзаряд неосновных носителей, из актив.ного инверсного режима переходит в.режим насыщения. Таким образом,в момент подачи на одну из входныхшин схемы низкого уровня напряжениялогического "0" между ней и базойнасыщенного транзистора 13 параллельно с активной рассасывающей цепью 17неосновных носителей, состоящей изрезисторов 18 и 19 и транзистора 20,образуется дополнительная низкоомнаятокоотводящая цепь из последовательно включенных транзисторов 1 и 14,что значительно ускоряет выключениетранзистора 13 и устройства в целом.Насыщенный транзистор 7, как в известной схеме быстро выключается благодаря значительному току, вытекающему к входам 2 и 3 через насыщенныйтранзистор 1,Ф о р м .у л а и з о б р е т, е н и яТТЛ-элемент, содержащий входноймногозмиттерный транзистор, эмиттерыкоторого соединены с входами, базачерез первый и второй последовательновключенные резисторы соединена с ши-,ной питания, а коллектор подключенк базе фазоинвертирующего транзистора,коллектор которого через третий ре277382 Составитель А. ЯновРедактор М. Петрова Техред И,Попович Корректор М.Ыароши Заказ 6759/56 Тираж 816 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб д. 4/5Производственно-полиграФическое предприятие, г. Ужгород, улПроектная, 4 зистор соединен с шиной питания иподключен к базе первого выходноготранзистора, коллектор которого черезчетвертый резистор соединен с шинойпитания, а эмиттер через диод подклю-чен к выходу и коллектору второго выходного транзистора, эмиттер которогосоединен с общей шиной и через рассасывающую цепь с его базой, база токоответвляющего транзистора соединена 10с первым выводом пятого резистора,эмиттер - с коллектором входного многоэмиттерного транзистора, а коллектор подключен к эмиттеру Ьазоинвертирующего транзистора и базе второговыходного транзистора, о т л и ч аю щ и й с я тем, что, с целью повышения помехоустойчивости и быстродействия, в него введен дополнительныйтранзистор, коллектор которого соединен с шиной питания, база подключенак точке соединения первого и второгорезисторов, а эмиттер - к второмувыводу пятого резистора.