Транзисторный логический элемент

(57) Изобретение относится к импульсной технике и может быть использовано в системах дискретной автоматики. Цель изобретения - уменьшение потребляемой мощности, Транзисторный логический элемент содержит два диода, семь резисторов, фазоразделительный транзистор, составной транзистор, выполненный на первом и втором транзисторах, выходной транзистор, третий транзистор и входной транзистор, Введение новых связей позволяет уменьшить среднюю потребляемую мощность путем исключения протекания сквозных токов, 1 ил,М 455238 1985.М 4330721982,(56).Патент США кл. Н 03 К 19/088Патент США кл. Н 03 К 19/088 (54) ТРАНЗИСТ ЭЛЕМЕНТ РНЫЙ ЛОГИЧЕСКИ транзистора 3, база соединена второго 10 резис да 11, катод кот выводу резистор 5, второй вывод общей шине, баз на к коллек которого подклю транзистора 12 стор 13 к обще транзистора 12 ч резисторы соеди за транзистора 1 вого диода 16, входом 17. Изобретение относится к импульсной технике и может быть использовано в системах дискретной автоматики.Целью изобретения является уменьшение потребляемой мощности.На чертеже приведена принципиальная электрическая, схема транзисторного логического элемента.Транзисторный логический элемент, содержит фазоразделительный транзистор 1, коллектор которого подключен через первый резистор 2 к шине питания, эмиттер к базе выходного транзистора 3, эмиттер которого соединен с общей шиной, а коллектор с эмиттером составного транзистора и выходом 4. Составной транзистор включает первый 5 и второй б транзисторы, соединенные так, что коллекторы их объединены и образуют коллектор составного транзистора, подключенный через седьмой резистор 7 к шине питания, база транзистора 5 образует базу составного транзистора, эмиттер транзистора 5 соединен с базой транзистора 6, а эмиттер транзистора 6 образует эмиттер составного транзистора; коллектор третьего транзистора 8 подключен к базе Транзисторный логический элемент работает следующим образом.Пусть на входе 17 низкий уровень напряжения, Тогда транзисторы 1, 12, 3 закрыты, так как отсутствует ток в базовых цепях этих транзисторов, На выходе 4 будет установлен высокий уровень напряжения,.определяемый открытыми транзисторами 5 и 6 составного транзистора, Транзистор 8 открыт, так как на его базу передается напряГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМПРИ ГКНТ СССР ОПИСА ИЕ И К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЪ(53) 621.374(088.8) эмиттер к общей шине, а с выводами третьего 9 и торов, анодом второго диоорого подключен к второму а 9 и эмиттеру транзистора резистора 10 подключен к а транзистора 5 подключетору транзистора 1, база чена к эмиттеру входного и через четвертый резий шине, коллектор и база ерез пятый 14 и шестой 15 нены с шиной питания, ба подключена к аноду ператод которого соединен сЖение высокого уровня через резистивный делитель, .образованный резисторами 9 и 10. При изменении напряжения на входе с низкого на высокий диод 16 запирается и в .базу транзистора 12 поступает ток от шины питания через резистор 1.5, Транзистор 12 открывается и в его коллекторной.цепи протекает ток, определяемый резистором 14 и поступающий в базу транзистора 1. Транзистор 1 открывается, в его коллекторной цепи протекает ток, определяемый резистором 2, который через цепь коллектор -эмиттер открытого транзистора 8 протекает в общую шину и потенциал на коллекторе транзистора 1 уменьшается. Цепь коллектор - э митте р транзистора 8 шунтирует переход база - эмиттер выходного транзистора 3 и он продолжает оставаться закрытым, Таким образом, происходит снижение потенциага на базе составного транзистора и соответственно снижение высокого уровня напряжения на выходе. схемы при отключенном выходном транзисторе, Резистивный делитель передает понижение напряжения с базы составного транзистора на базу транзистора 8 и он начинает выключаться, Змиттерный ток транзистораначинает поступать в базу выходноготранзистора 3, и транзистор 3 открывается.Следовательно, установление на выходе схемы низкого уровня напряжения происходит при уже отключенном составном транзисторе и.таким образом сквозной ток при переходе выхода 4 из высокого состояния в низкое устраняется,При переходе входного сигнала с высокого уровня на низкий происходит открывание диода 16, транзисторы 12 и 1 закрываются.Возрастание потейциала на коллекторе транзистора 1 до величины двух переходов база - эмиттер приводит к броску тока вбазу транзистора 8 через короткозамкнутую в первый момент времени емкость обратно . смещенного диода 11, Транзистор 8 открывается, и на эмиттере транзистора 1 происходит резкое снижение потенциала. Так как напряжение на базе транзистора 1 из-за наличия высокоомного резистора 13 изменяется медленно, то происходит кратковременное дополнительное открывание транзистора 1 за счет разряда его диффузионной емкости через эмиттерный переход и,таким образом; замедление нарастания потенциала на коллектора транзистора 1.Это замедление нарастания потенциала на базе составного транзистора и нали 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 чие низкоомной цепи коллектор - эмиттертранзистора 8 для выключения выход-.ного транзистора,З обеспечивает устранение сквозного тока при переходе выходасхемы из низкого состояния в высокое, Резистор 7 необходим для ограничения токапри коротком замыкании на выходе схемы.Таким образом, предложенное техническое решение позволяет устранить сквозной ток при переключении элементат.е,уменьшается средняя потребляемая схемоймощность, а также повысить быстродействие при переходе с низкого уровня в высокий,Формула изобретения Транзисторный логический элемент, содеркащий два диода, фазоразделительный транзистор, коллектор которого подключен через первый резистор к шине питания и базе составного транзистора, который включает в себя первый и второй транзисторы, коллекторы которых обьединены и образуют коллектор составного транзистора, база первого транзистора образует базу составного транзистора, эмиттер первого транзистора соединен с базой второго транзистора, а эмиттер второго транзистора образует эмиттер составного транзистора, который подключен к выходу и коллектору выходного транзистора, эмиттер которого подключен к общей шине, а база - к эмиттеру фазоразделительного транзистора и коллектору третьего транзистора эмиттер которого подключен к общей шине, а база через второй резистор подкпючена к общей шине, эмиттер первого транзистора соединен с первым выводом третьего резистора; база фазоразделительного транзистора подключена к эмиттеру входного транзистора и через четвертый резистор к общей шине, коллектор и база входного транзистора соответствен. ио через пятый и шестой резисторы подключены к шине питания, база входного транзистора подключена к аноду первого диода, катод которого соединен с входом логического элемента, коллектор составного транзистора через седьмой резистор соединен с шиной питания, о т л и ч а ю щ и йс я тем, что, с целью уменьшения потребляемой мощности, второй вывод третьего резистора подключен к базе третьего транзистора и и аноду второго диода, катод которого соединен с первым выводом третьего резистора.1621165 А,Яно гента орректор Т.Ма тор О.Спесивы Тираж арственного комитета по 113035, Москва, Жоизводственно-издательский комбинат "Патент", г, Ужгород, ул,Гагарина, 1 аказ 4254 ВНИИП Составител ехред М.М Подписноебретениям и открытиям при ГКНТ Саушская наб 4/5