Ттл-вентиль

(51)5 Н 03 К 19/О ГОСУДАРСТВЕННЫЙПО ИЗОБРЕТЕНИЯМПРИ ГКНТ СССР ОМИТЕТОТКРЫТИЯМ ПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИ ВТОРСКО ВИ ЕТЕЛЬСТВУ икрос,59,О(71) Ереванский политехнический институт им. К,Маркса(57) Изобретение относится к импульсной технике и может быть использовано в цифровых ИС и БИС. Целью изобретения является уменьшение потребляемой мощности и повыШение надежности ТТЛ-вентиля путем упрощения. ТТЛ-вентиль содержит многоэмиттерный транзистор 1 п-р-п-типа,.эмиттеры которого соединены с входами, база через резистор 2 - с шиной 3 питания, а коллектор подключен к базе фаэоинвертирующего транзистора 4 и-р-и-типа сложного инвертора на транзисторах 5, 6 и 7 и резисторах 8, 9 и 10, выход 11 которого соединен с змиттером дополнительного транзистора 12 р-п-р-типа, база и коллектор которого через резисторы 13 и 14 соответственно соединены с коллектором и базой фазоинвертирующего и управляющего транзисторов 4 и 15 п-р-п-типа, змиттер транзистора 4 соединен с коллектором транзистора 15, змиттер которого соединен с общей шиной и через резистор 16 со своей базой, В нормальном режиме вентиль не потребляет дополнительной мощности, так как в состоянии "0" и в состоянии "1" транзисторы 12 и 15 заперты и по добавочной цепочке ток не течет. 1 ил.1674360 Составитель А. ЯновРедактор А, Лежнина Техред М.Моргентал . Корректор М. Максимишенец Заказ 2934 Тираж 443 Подписное ВНИИПИ Государственного комитега по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Х(-35 Раушская наб 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г, Ужгород, ул,Гагарина, ".01 Изобретение относится к импульснойтехнике и может быть использовано в цифровых ИС и БИС,Целью изобретения является уменьшение потребляемой мощности и повышение 5надежности ТТЛ-вентиля путем упрощения,На чертеже представлена принципиальная электрическая схема ПЛ-вентиля,ТТЛ-вентиль содержит многоэмиттерный транзистор 1 и-р-п типа, эмиттеры которого соединены с входами, база черезпервый резистор 2 - с шиной 3 питания, а. коллектор подключен к базе фазоинвертирующего транзистора 4 и-р-и типа сложногоинвертора на транзисторах 5, 6 и 7 и резисторах 8, 9 и 10, выход 11 которого соединенс эмиттером дополнительного транзистора12 р-п-р типа, база и коллектор которогосоответственно через; ретий и четвертыйрезисторы 13 и 14 соединены с коллектором 20и базой фазоинвертирующего и управляющего транзисторов 4 и 15 п-р-и типа, Эмит.тер транзистора 4 соединен с коллекторомтранзистора 15, эмиттер которого соединенс общей шиной и через втооай резистор 16 25с его базой.ТТЛ-вентиль работает следующим образом.Если на входах "0", то транзисторы 4, 5и 15 заперты и не влияют на работу вентлля. 30На выходе 11 высокий уровень потенциала,Если на входе "1", то транзисторы 4 и 7открыты, а транзисторы 5 и 6 заперты ипоэтому на выходе 11 имеется низкий уровень потенциала 0=0,1 В. В этом состоянии, 35если выход вентиля закорачивается (случайноили по ошибке) на шину 3 питания, происходит следующее. Тиристор 12 открывается,так как на его базе имеется низкий потенциал. Коллекторный ток этого транзистора через резистор 14 открывает транзистор 15 до насыщения, Транзистор 15 "перехватывает" базовый ток транзистора 7, в результате чего последний закрывается, и тем самым предотвращается его пробой током короткого замыкания. При устранении короткого замыкания на выходе прекращается коллекторный ток транзистора 12, в результате чего транзистор 15 запирается и вентиль возвращается в исходное состояние (когда транзистор 7 открыт). В нормальном режиме (при отсутствил к,з.) этот вентиль не потребляет дополнительной мощности, поскольку кав состоянии "0", так и в состоянии "1" транзисторы 12 и 15 заперты и по добавленной цепочке ток не течет,Формула изобретения ТТЛ-вентиль, содержащий четыре резистора, многоэмиттерный транзистор и-р-и-типа, эмиттеры которого соединены с входами, база через первый резистор - с шиной питания, а коллектор подключен к базе фаэоинвертирующего транзистора сложного инвертора, эмиттер которого соединен с коллектором управляющего транзистора и-р-и-типа, эмиттер которого соединен с общей шиной и через в 1 орой резистор с его базой, о т л ич а ю щ и й с я тем, что, с целью уменьшения потребляемой мощности и повышения надежности путем упрощения, в него введен дополнительный транзистор р-п-р-типа, эмиттер которого соединен с выходом сложного инвертора, а база и коллектор соответственно через третий и четвертый резисторы подключены к коллектору фазоинвертирующего и базе управляющего транзисторов.