H01L 31/18 — способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей

Номер патента: 1222152

Опубликовано: 27.02.1995

Авторы: Касаткин, Ситников

МПК: H01L 31/18

Метки: инверсионных, фотопреобразователей

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИНВЕРСИОННЫХ ФОТОПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ, заключающийся в очистке кремниевой пластины, нанесении тыльного контакта при одновременном выращивании туннельно-тонкого диэлектрика, формировании контактной гребенки и нанесении диэлектрической пленки со встроенным зарядом, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности фотопреобразователя за счет увеличения средней величины встроенного заряда, диэлектрическую пленку создают путем термического напыления моноокиси кремния в атмосфере аммиака при давлении 1 10-4 - 3 10-4 Торр, при температуре подложки 0 -...

Номер патента: 1412535

Опубликовано: 27.05.1995

Авторы: Елагина, Матасова, Роках

МПК: H01L 31/18

Метки: визуализатора, излучения, слоев, фотопроводящих

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ФОТОПРОВОДЯЩИХ СЛОЕВ ДЛЯ ВИЗУАЛИЗАТОРА ИЗЛУЧЕНИЯ, включающий двухстадийное вакуумное напыление шихты, причем на первой стадии напыляют шихту на основе селенида кадмия в квазизамкнутом объеме при температуре испарителя 680 700oС и температуре подложки 300 - 350oС, отличающийся тем, что, с целью повышения срока службы визуализатора на первой стадии наносят шихту, которая дополнительно содержит хлорид кадмия при следующем соотношении компонентов, мас.CdSe 70 80CdTe 12 26CdCl2 4 8в течение 1,5 2 ч, а на второй стадии напыляют путем магнетронного ступенчатого распыления шихту, которая содержит сульфид свинца и сернокислую медь при следующем соотношении компонентов,...

Номер патента: 1589963

Опубликовано: 10.07.1996

Авторы: Астахов, Борисов, Варганов, Демидова, Дудкин, Ежов, Зигель, Колбин, Мирошников, Мозжорин, Пасеков, Просветова, Савельева, Таубкин, Фадеева, Цепов

МПК: H01L 31/18

Метки: n-типа, антимониде, индия, проводимости, фотодиодов

Способ изготовления фотодиодов на антимониде индия n-типа проводимости, включающий подготовку поверхности исходной пластины антимонида индия, формирование легированных областей p-типа проводимости, анодное окисление в электролите, содержащем раствор электропроводной добавки в глицерине и органический растворитель в объемном соотношении 1 1, нанесение пассивирующего диэлектрика и формирование контактной системы, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных фотодиодов, пробивных напряжений фотодиодов и их стабильности за счет формирования в анодной окисной пленке отрицательного стабильного встроенного заряда, анодное окисление проводят в электролите, содержащем в качестве электропроводной добавки сернистый натрий в количестве 0,1,...

Номер патента: 1809708

Опубликовано: 10.10.1996

Авторы: Васильев, Мищенко, Нальникова

МПК: H01L 31/18

Метки: мдп-структур, основе, подложках, полупроводниковых, создания, фотоприемников

...состава при температуре отжига Т, 11 - время отжига при температуре Т;, 1 - количество отжигов,Наконец, проводят операции по созданию конкретного ИК-фотоприемника на основе МДП-структур по одной из известных технологий, включающих нанесение диэлектриков и формирование электродов регистрации и обработки информации.На фиг.1 показана зависимость концентрации электрически активных центров в приповерхностной области от времени отжига структуры; на фиг,2 - зависимость обнаружительной способности МДП-фотоприемника от концентрации легируюшей примеси при различных значениях поверхностного потен. циала.Конкретный пример применения данного способа к ИК фотоприемникам, создаваемым на основе МДП-структур из КРТ р-типа с х = 0,22 и концентрацией...

Номер патента: 1829804

Опубликовано: 27.11.1996

Авторы: Васильев, Швейкин, Шелякин

МПК: H01L 31/18

Метки: оптоэлектронных, полупроводниковых, приборов

...7 мм рт,ст. выращивали пленки с еленида цинка при температуре подложки (гетер о структуры с мезой) 70 С,В первом случае используют в качестве источника нелегированный, поликристаллический сел енид цинка. Это позволило получать напыляемые пленки селенида цинка с удельным электросопротивлением р = 10 Омфсм.Во втором случае используют в качестве источника с еленид цинка, легированный примесью Ма до концентрации 810ат. Это позволило получить удельное электро- сопротивление напыляемых слоев селенида цинка 10 Омфсм,В третьем случае используют в качестве источника селенид цинка, легированный примесью Са до концентрации 810ат.0, что приводит к удельному сопротивлению напыляемых слоев сел енида цинка 10 Омфсм.П р и м е р 2. Мезаполосковые...

Номер патента: 1649974

Опубликовано: 20.05.1997

Авторы: Болотов, Камаев, Эмексузян

МПК: H01L 31/18

Метки: инфракрасной, области, спектра, фоточувствительного, элемента

Способ изготовления фоточувствительного элемента для инфракрасной области спектра, включающий легирование кремния донорной примесью с мелкими уровнями и создание омических контактов, отличающийся тем, что, с целью увеличения обнаружительной способности элемента за счет уменьшения шумов, после создания омических контактов проводят обработку в среде, содержащей свободные ионы водорода, до создания на границе раздела среда кремний концентрации водорода NH 4 1015 см-2 при 320 600 К в течение времени, необходимого для проникновения ионов водорода на всю...

Номер патента: 1649975

Опубликовано: 20.05.1997

Авторы: Болотов, Камаев, Эмексузян

МПК: H01L 31/18

Метки: инфракрасной, области, спектра, фоточувствительного, элемента

1. Способ изготовления фоточувствительного элемента для инфракрасной области спектра, включающий формирование в подложке на основе сильно легированного мелкой примесью кремния слоя с подавленной прыжковой проводимостью и нанесение омических контактов, отличающийся тем, что, с целью повышения обнаружительной способности за счет снижения темнового тока, подложку выдерживают при 320 470 К в течение 0,5 10,0 ч в среде, содержащей свободные ионы водорода в количестве, достаточном для создания на границе раздела среда полупроводник концентрации водорода 3 1016 см-3.

Номер патента: 1686983

Опубликовано: 27.06.1998

Авторы: Заддэ, Кузнецов, Курсакова, Сурьянинова, Токарев

МПК: H01L 31/18

Метки: n+-p-p+, изготовлении, кремниевых, структур, формирования, фотопреобразователей

Способ формирования n+-p-p+-структур при изготовлении кремниевых фотопреобразователей, включающий создание на противоположных сторонах кремниевой пластины источника фосфора и источника бора в виде боросиликатной пленки из пленкообразующего раствора с содержанием оксида бора в нем 20 - 60 мас.%, последующую термодеструкцию, термическую диффузию фосфора и бора в кремниевую пластину, удаление окисной пленки с двух сторон пластины, отличающийся тем, что, с целью повышения коэффициента полезного действия фотопреобразователей за счет управления профилем распределения примесей n-типа и исключения взаимного влияния примесей, диффузию фосфора проводят в две стадии, при этом на первой стадии в качестве источника фосфора...

Номер патента: 1814460

Опубликовано: 10.08.1998

Авторы: Заддэ, Старшинов, Толмачева

МПК: H01L 31/18

Метки: фотопреобразователей

...наносились растворные композиции типа КФКи КБК, после чего проводился отжиг образовавшихся пленок, ведущий к образованию фосфорносиликатного стекла на поверхности и -р-р -структур и боросиликатного стекла + ++ +на поверхности р -и-и -структур, Затем методом фотолитографического травления сплошные слои стекол переводились в рисунки, соответствующие контактной металлизации. На подложки с рисунками наносились слои Зп 02, АЬ 02, Се 02, Т 120 З, ХЬ 20 ю, Та 20 з, ЯЗХ 4. При этом использовались следующие стандартные методы:для нанесения Б 102 - пиролиз БпС 14 на горячей (-350 С) подложке;для нанесения А 120 з и Се 02 - метод магнетронного распыления;для нанесения Т 120 з, ИЬ 205, Та 205 нанесение на центрифуге пленки растворной...

Номер патента: 1779208

Опубликовано: 10.08.1998

Авторы: Безмен, Заддэ, Старшинов

МПК: H01L 31/18

Метки: антиотражающим, покрытием, фотопреобразователей

Способ изготовления фотопреобразователей с антиотражающим покрытием, включающий формирование неоднородно залегающего p-n-перехода в полупроводниковой пластине методом двойной диффузии с проведением на одном этапе локальной диффузии в подконтактные области через маску, а на другом - диффузии по всей поверхности пластины, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии изготовления, после проведения на первом этапе диффузии по всей поверхности полупроводниковой пластины создают маску для локальной диффузии в подконтактные области на втором этапе нанесением пленки из пятиокиси ниобия или тантала толщиной 0,04 - 0,24 мкм, а локальную диффузию осуществляют при температуре не выше 1100oС, при этом нанесенную пленку из пятиокиси...

Номер патента: 1435106

Опубликовано: 27.05.1999

Авторы: Арзуманян, Матнищян, Мелконян, Федоров, Шорин

МПК: H01L 31/18

Метки: преобразователей, тонкопленочных, фотоэлектрических

Способ изготовления тонкопленочных фотоэлектрических преобразователей, включающий нанесение фоточувствительного слоя на подложку с электродом, легирование его кислородом воздуха и нанесение верхнего электрода, отличающийся тем, что, с целью обеспечения возможности переключения фотоэлектрического преобразователя, в качестве фоточувствительного слоя используют полимерный комплекс нафталина с иодом.

Номер патента: 1463084

Опубликовано: 20.10.1999

Авторы: Григорьев, Певцов, Петровский, Федотов, Чернокожин

МПК: H01L 31/18

Метки: изображения, пироэлектрического, приемника, теплового

Способ изготовления пироэлектрического приемника теплового изображения, включающий формирование на пироэлектрическом слое верхнего и нижнего электродов, соединение пироэлектрического слоя с подложкой, локальное травление подложки, формирование контактного слоя, травление лунок в месте контакта и щелевидных отверстий и соединение с устройством обработки сигнала, отличающийся тем, что, с целью повышения чувствительности приемника и уменьшения неоднородности сигнала, сначала осуществляют соединение устройства обработки сигнала с подложкой, затем в подложке вытравливают лунки и формируют контактный слой, образующий нижний электрод, соединяют с подложкой пироэлектрический слой путем его...

Номер патента: 915684

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Вихрев, Герасименко, Лебедев, Ободников

МПК: H01L 21/425, H01L 31/18

Метки: антимониде, индия, создания, фоточувствительных, элементов

Способ создания фоточувствительных элементов, на антимониде индия p-типа проводимости, включающий операции фотолитографии, нанесения диэлектрических покрытий, облучения протонами для создания p-n-переходов, нанесения контактов к элементам на кристалле, присоединения кристаллов к основанию корпуса, отличающийся тем, что, с целью избежания деградации параметров p-n-переходов во время технологических нагревов, облучение проводят после всех технологических операций.

Номер патента: 1347830

Опубликовано: 27.12.1999

Авторы: Абросимова, Бородько, Салитра, Старков, Шамаев

МПК: H01L 31/18

Метки: p-n-перехода, активного, внутреннего, основе, фотоанодов

Способ изготовления фотоанодов на основе внутреннего активного p-n-перехода, включающий осаждение на пластину кремния n-типа проводимости источника диффузанта, содержащего оксид бора, термообработку, формирование защитного слоя с лицевой стороны и омического контакта с обратной стороны пластины, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных фотоанодов за счет улучшения однородности диффузионной области, легированной бором, удешевления процесса, источник диффузанта дополнительно содержит оксид одного из редкоземельных элементов и диоксид кремния при следующем соотношении компонентов, мас.%:Оксид бора - 1-30Оксид редкоземельного элемента - 5-50Диоксид кремния -...

Номер патента: 1565316

Опубликовано: 20.02.2000

Авторы: Гаврин, Кислов, Маликов, Семчишен

МПК: H01L 31/18

Метки: излучения, интенсивности, коррекции, электромагнитного, элементов

Способ изготовления элементов коррекции интенсивности электромагнитного излучения, включающий формирование на прозрачной подложке корректирующего поглощающего слоя путем воздействия на подложку корректируемого электромагнитного излучения, отличающийся тем, что, с целью повышения точности коррекции интенсивности электромагнитного излучения в ультрафиолетовом и видимом диапазонах, в том числе со сложным распределением интенсивности, сокращения длительности цикла изготовления элемента коррекции за счет уменьшения числа технологических операций, одну или обе поверхности подложки приводят в контакт с фоторазлагающейся средой, продукты фотодиссоциации которой непрозрачны к корректируемому...

Номер патента: 1614717

Опубликовано: 27.03.2003

Авторы: Аношин, Виноградов, Иванов, Каган, Карпухин, Кузнецов, Латышев, Лепковский, Матвеев, Петросян

МПК: H01L 31/18

Метки: батарей, гибких, модулей, солнечных

Способ изготовления гибких модулей солнечных батарей, включающий формование петли-компенсатора в шинах последовательной электрической коммутации смежных солнечных элементов, присоединение шин к солнечным элементам и последовательную электрическую коммутацию смежных солнечных элементов, отличающийся тем, что, с целью повышения технологичности модуля солнечной батареи за счет увеличения ремонтоспособности, длину шин увеличивают до размеров, необходимых для формирования петли-компенсатора по одну сторону от плоскости расположения смежных солнечных элементов, формование петли-компенсатора производят после присоединения шин к смежным солнечным элементам путем обеспечения их встречного смещения...

Номер патента: 688054

Опубликовано: 27.03.2003

Авторы: Баимов, Гибадулин, Грибелюк, Дельцов, Колтун, Кузнецов, Петросян, Черкасский

МПК: H01L 31/18

Метки: батареи, солнечной

Способ изготовления солнечной батареи, основанный на закреплении солнечных элементов на несущей поверхности каркаса, отличающийся тем, что, с целью повышения технологичности и качества изделия, перед закреплением на несущей поверхности каркаса солнечные элементы собирают на технологическую подложку из диэлектрического материала.

Номер патента: 1286026

Опубликовано: 27.12.2006

Авторы: Веденин, Досюкова, Липницкая, Осинский, Сурвило, Трофимов

МПК: H01L 31/18

Метки: активации, пленок, полупроводниковых, растворов, соединений, твердых, типа, фоточувствительности

Способ активации фоточувствительности пленок полупроводниковых соединений типа AII BVI AIV BVI и их твердых растворов в шихте, включающий приготовление активирующей шихты, погружение подложек с нанесенными пленками в объем шихты, термообработку пленок в шихте, отличающийся тем, что, с целью повышения качества пленок за счет улучшения однородности фотоэлектрических свойств по поверхности пленок, при приготовлении шихту фракционируют, затем в процессе термообработки шихту подвергают воздействию вибрации при частоте 50-100 Гц и амплитуде 1-2 мм, причем используют фракцию шихты с однородным гранулометрическим составом.