Способ изготовления трафаретов
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
О П И С А Н И Е 337853ИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических РеспубликЗависимое от авт. свидетельства МеЗаявлено 22,Ч 11,1969 (Мо 1350073/26-25)с присоединением заявки Ме 1, К 11 7/64 51 3/18 Иомитет по делам зобретеиий и открытий при Совете Министров СССРиоритет юллетень Юо 15 публиковано 05 Ч,197 УДК 621,328(08 Дата опубликования ания 7,И.197 вторыобретен Э. С, Карпенко и В. С. Ивченк аявитель СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТРАфАРЕТО Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых приборов и микросхем методом термического напыления.Известный способ получения трафаретов (масок) включает: температурный отжиг заготовки трафарета (маски) для снятия остаточных напряженийполученный в процессе проката фольги из бронзы БрБ 2,5; химическую обработку заготовки (для активизации поверхности); нанесение светочувствительной эмульсии и получение топологического рисунка; никелирование; температурный отжиг для снятия внутренних напряжений, полученных в процессе осажден)ия никеля и рекристаллизации осадка; травление топологического рисунка.В известном способе полученные трафареты недостаточно устойчивы в температурномле, т. е. поддаются температурным дефорациям в процессе напыления, что вносит :погрешности при напылении элементов микросхем,Кроме того, с помощью известного способа нельзя получить микросхемы с напыленными элементами до 50 лк с большой плотностью топологического рисунка; технологический цикл получения трафарета по такому способу длитслен, так как имеет две операции откига.По предлагаемому способу, с целью получения трафаретов (масок), устойчивых в температурном лоле и обеспечивающих получение микросхем,с элементами до 50 мк с большой .плотностью топологического рисунка,трафарет,перед никелированием растягивают5 до появления в нем напрякений, обратныхзнаку, а по величине больше или равных напряжениям, возникающим в трафарете притермическом напылении,Предлагаемый способ заключается в сле 10 дующем.Трафарет, лредставляющий собой тонкуюметаллическую пласттинуперед никелированием,помещают в рамку специального натякного устройства и растягивают до появления15 в нем предварительного напряжения, обратного по знаку температурному,напрякению,возникающему в процессе нагрева всей систсмы совмещения при термическом напылениииз-за разницы в,коэффициентах линейного20 расширения материала трафарета и его держателя.,При этом внутренние напряжения,созданные растяжением, должны быть больше или равны температурным напряжениям.Получив напряжения, трафарет фиксируют25 в рамке специального натяжного устройстваи,помещают в гальваническую ванну для никелирования с целью фиксации созданногопредварительного напряжения,Трафареты, полученные с использованием30 описываемого способа, не деформируются в337853 Составитель В. ГришинТехред Л. Богданова Редактор А. Батыгин Корректор В. Жолудева Заказ 1531/15 Изд. М 674 Тираж 448 Подписное ЦНИИПИ Комитста по делам изобретений и открытий при Совете Мпписгров СССР Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Типография, пр. Сапупова, 2 3температурном поле, что обеспечивает получение напыляемых элементов, соизмеримых с толщиной трафарета (50 мкм),Предмет изобретен ияСпособ изготовления трафаретов для микросхем получаемых методом термического напыления, включающим отжиг, химическую обработку, нанесение светочувствительного слоя,получение топологического рисунка, никелирование, отличающийся тем, что, с целью повышения качества, трафарет перед никелированием растягивают до появления в нем на пряжений, обратных по знаку, а,по величинебольше или равных напряжениям, возникающим в трафарете при термическом напылении.
СмотретьЗаявка
1350073
Э. С. Карпенко, В. С. Ивченко
МПК / Метки
МПК: H01L 21/48
Метки: трафаретов
Опубликовано: 01.01.1972
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-337853-sposob-izgotovleniya-trafaretov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ изготовления трафаретов</a>
Способ регулирования процесса получения поликапроамида
Номер патента: 1030379
Опубликовано: 23.07.1983
Авторы: Дьяков, Киселев, Кремер, Стрельцов
МПК: C08G 69/16
Метки: поликапроамида, процесса
...давления в свою очередь вызы,вает вспенивание поверхности реак" цнонной смеси, система контроля уровня реагирует .на поверхностное вспенивание и выдает сигнап на умень, шение уровня в полимеризаторе, тем самым, уменьшая тфочность выдерживаиия заданного режима процесса,полимеризации. Вместе с тем, строго;Заданное содержание воды в верхних слояхЬО реакционн 6 й смеси поддерживается при постоянных температуре, уровне и дав-, лении паров в пограничной с реакционной смесью зоне. При вспенивании, изменении уровня, пульсации давле" 65 ния температура над поверхностью реакционной смеси меняется и меняет" ся содержание воды в поверхностных слоях реакционной массы. Динильная система обогрева не способна осуществить тонкое регулирование...
Устройство для программного управления процессом сборки интегральных микросхем
Номер патента: 1151928
Опубликовано: 23.04.1985
МПК: G05B 19/18, G05B 19/425
Метки: интегральных, микросхем, программного, процессом, сборки
...С выхода блока 3 задания команд (фиг. 1) на вход блока 5 программ поступает команда Выбор адреса. С выхода блока 5 программ на вход блока 6 сравнения поступает значение координаты следующей контактной площадки кристалла. На выходе блока 6 сравнения появляется логический сигнал высокого уровня, соответствующий команде Старт, который проходит через компаратор 7 на первый вход блока шагового привода 9. Одновременно с выхода блока 3 задания команд через компаратор 8 на вход блока 9 шагового привода поступает логический сигнал Направление. Блок 9 шагового привода производит совмещение инструмента и следующей контактной площадки кристалла, В это время на вход счетчика 4 поступают импульсы тактового генератора блока 9 шагового...
Способ автоматического регулирования процесса получения древесной массы
Номер патента: 1213102
Опубликовано: 23.02.1986
Авторы: Мазунин, Николаев, Потанин, Теребило, Ярошевский
МПК: D21B 1/04
Метки: древесной, массы, процесса
...11 и 12вычисляются соответственно величинастепени помола и величина разрывнойдлины по формулама 21 Рав 1 8 а 9 )гват 1 Рк 62 92где Р - степень помола;Ь - разрывная длина;Р - давление на камень;8 - острота камня,ь)ц - скорость главного двигателя,Сигнал из блоков 11 и 12 поступают в блок 13, где формируется алго-,ритм управления. гателя дефибрера, вычислительные блоки 9 для вычисления мощности на валуглавного двигателя, остроты камня10, градуса помола 11, разрывной дли" 5 ны 12, блок 13 формирования алгоритма управления, блок 14 коррекции понормальному давлению на дефибрерныйкамень, блоки 1, 2, 15 и 16 сравнения е10 Способ осуществляется следующимобразом.Датчиком 18 измеряют величину момента на валу дефибрера 8. По величине сигнала,...
Способ управления процессом получения визкозной пленочной оболочки
Номер патента: 1361521
Опубликовано: 23.12.1987
Авторы: Александрович, Гоголинский, Парков, Титов, Усик
МПК: C08B 9/00, G05D 27/00
Метки: визкозной, оболочки, пленочной, процессом
...на величину в 1 в = О, 15 м диаметр сырой оболочки устанавливается 23,34 мм с . тем расчетом, чтобы через время трансгде В - коэффициент, зависящий оттемпературы пара,Коэффициент В при номинальной температуре пара, равной 80 С, равен 1.Тогда фЗаданное значение диаметра сухой оболочки с 1, = 20,3 мм, т.е с 10 вцх следует изменить на 0,3 мм.Значение диаметра сырой оболочки от датчика 5 и коэффициент усадки из блока 7подается на регулятор 8, где с учетом заданного значения диаметра сухой оболочки вырабатывается сигнал, заставляющий исполнительный механизм 9 горизонтально перемещать прижимные ролики 4, в соответствии со следующим алгоритмом. Определяют необходимую велинину ЛЙ, на которую следует увеличить диаметр сырой оболочки: при...
Способ определения концентрации мономера в углеводородной шихте в процессе получения синтетического каучука
Номер патента: 1511679
Опубликовано: 30.09.1989
Авторы: Абросимов, Горелик, Доколин, Киселев, Майзлах, Поплавский, Чирский, Шухин
МПК: G01N 30/06
Метки: каучука, концентрации, мономера, процессе, синтетического, углеводородной, шихте
...найденное значение разностиптк 11 птк (1 ) "пт к(4)где сс. - коэффициент сглаживания,Определяют окончательное значение15 концентрации мономера в углеводородной шихте в зависимости от концентрации мономера в углеводородной шихтетп , вычисленной по значению наприо 1мер, плотности шихты, и усреднеппого 20 значения разности Ьпмежду значениями концентрации мономера в углеводородной шихте, найденными путем хроматографического анализа и путемвычисления по значению ее плотности25 ш =пт; +Люкгде гп - окончательное значение коно 1центрации мономера в углеводороднойшихте, %,Окончательный результат, промежу 30 точные значения изначения информациипоступающей в ЭВМ 13 от хроматографа 3 и плотномера 8, оператор-технолог вызывает при необходимости...
Предыдущий патент: 337852
Следующий патент: Кассета для групповой фиксации полупроводниковых приборов
Случайный патент: Покрытие здания