Способ травления пластин для твердых выпрямителей и фотоэлементов
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
Класс 21, 29 31516 И пособа травления пластин для и фотоэлемен торскому свидетельству А, А. Иванова 26 сентября 1932 года (спр, оыпрямителе вердыов. и Н. Г. Р перв,ковано 31 осляева, заявленному11 б 134), вгуста 1933 года,ыдаче авторского свидетельства опублхлористой же соли какого-либо щелочного или щелоч ноземельного металла, например раствор хлористого натрия, хлористого кальция и т. д., в которых хлористая медь растворяется, они же сами по себе не действуют на медь (или на закись меди). Поэтому в результате вторичной промывки раствором, например, хлористого натрия, на поверхности пластин получается слой чистой закиси меди.Следует отметить, что при изготовлении выпрямителей пластины протравливаясь ранее не соляной кислотой, а цианистым калием, и именно по причине вышеизложенных недостатков, присущих соляной кислоте, т. е. образования хло.ридов меди, Между тем работа с циаИзобретение относится к способу изготовления пластин для так называемых твердых или контактных фотоэлементов или, говоря иначе, для фотоэлементовзаградительным слоем, а также для контактных выпрямителей. Как известно, пластины подобных фотоэлементов и выпрямителей имеют слой проводника и полупроводника, например слой меди и закиси меди, при чем фотоэффект и выпрямительное действие, согласно теории, разработанной 5 сЬопку, происходят за счет границы между проводником и полупроводником.Трудность полученипокрытых слоем закиси я в том, что закись полусительно высокой темп а я медных пластин меди, заключаетс чается при отно ературе (порядк 900), при более же низкой температуре медь переходит в окись меди. Поэтому приходится прибегать к дополнительному удалению слоя меди, например, посредством травления, Для этой цели, при изготовлении фотоэлементов обычно применяется раствор соляной кислоты. При этом на поверхности пластин вместо окиси меди образуется слой полухлористой меди (СиС 1). Последняя растворяется в соляной кислоте, но снова выделяется, при смывании ее водой.Для устранения указанного недостатканастоящим предлагается, при вторичном промывании, применять водный растворЛ. С. вляет много дь вследствие изобретению нистый калий ислотой, предста вую очере Согласно же ность циа соляной к нистым калие неудобств. в пе его ядовитости. является возмон заменить той ж Пре ения зо Способ тр дых выпрями стоящих из м си меди, с при отличающийс травления про хлористой со или щелочноз Ленпромпечатьсоюз. Типпеч. Труд". Зак. 50 Сб - 1 259) ВТОРСНОЕ СОИ Е Гав-Н)Г УЗЙгЛ 8 вления пластин для тверелей и фотоэлементов, соди, покрытой слоем закименением соляной кислоты, я тем, что промывку после изводят водным раствором ли какого-либо щелочного емельного металла.
СмотретьЗаявка
116134, 26.09.1932
Иванов А. А, Росляев Н. Г
МПК / Метки
МПК: H01L 21/465
Метки: пластин, выпрямителей, фотоэлементов, травления, твердых
Опубликовано: 31.08.1933
Код ссылки
<a href="https://patents.su/1-31516-sposob-travleniya-plastin-dlya-tverdykh-vypryamitelejj-i-fotoehlementov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ травления пластин для твердых выпрямителей и фотоэлементов</a>
Способ получения эпитаксиальных слоев, например, полупроводников твердых растворов из газовой фазы
Номер патента: 496873
Опубликовано: 25.12.1975
Авторы: Коробов, Маслов, Хлебников
МПК: H01L 7/36
Метки: эпитаксиальных, слоев, полупроводников, твердых, растворов, например, фазы, газовой
...уменьшении п,гг)ц)ди неоднородных по составу пластин источника).5При достижении указанной скорости смены источников слоистая неоднородность полученного твердого раствора не превышает период, равный одному чежатомному расстоянию. Вследет зщ этого дгье медленный процесс самодиффузии в тве)одоч теле обеспечи О виет плное выравнивание концентраций комПг Ргсцт)ЛЗ; ВЕР,Г)го Р )С .Ра .:ЕЖДУ СОСЕДНИ.;:.)Точны чи с;гон )следовательно, по всем, ) оъечу эг.таса,.ьцой пленки.ЗадаРВ): . ) гав твердого раствора обес 15 печивается благодаря использованию пластин источников различных по размеру.Для иолучеция твердого раствора на основе соединений АВ ц АВ соотношение углов секторов используемых источников должно быть пропорционально их мольной доли в 2...
Газовая смесь для селективного сухого травления диэлектрических слоев
Номер патента: 1823714
Опубликовано: 27.10.1996
Авторы: Красницкий, Клименков, Турцевич, Цыбулько
МПК: H01L 21/306
Метки: диэлектрических, травления, сухого, газовая, смесь, слоев, селективного
...содержания гептафторпропана в газовой смеси менее 15 об.;4 приводит к значительному снижению скорости и селективности травления диэлектрических слоев по отношению к нижележащему слою.Превышение содержания кислорода в смеси более 11 об.;4 приводит к снижению равномерности травления диэлектрических слоев и селективности по отношению к маскеи нижележащему слою.Снижение содержания кислорода в смеси менее 2,6 об.;, приводит к увеличению вероятности загрязнения поверхности нижележащего слоя из-за повышения соотношения С/Е в смеси.Использование заявляемой газовой смеси может быть проиллюстрировано на примере селективного реактивного ионноплазменного травления слоев двуокиси кремния, фосфоросиликатного стекла (ФСС), нитрида кремния,...
Заготовка для изготовления биметаллических труб
Номер патента: 1639918
Опубликовано: 07.04.1991
Авторы: Хейфец, Резников, Розенгарт, Губинский, Чеха
МПК: B23K 20/14
Метки: заготовка, труб, биметаллических
...сл ем легкоплавкого припо-оловянного сплаваНать двум лойнойорцам надевают втулки-ловушки припоя и прихватывают сваркой к наружной поверхности.Собранную заготовку помещают в установку диффузионной сварки, при этом температура рабочей камеры не превышает температуры плавления легкоплавкого припоя, установку герметиэируют и наполняют инертным газом высокого давления, под действием которого легкоплавкий припой на поверхности шва уплотняет имеющиеся дефекты. Затем производят нагрев заготовки до температуры сварки и осуществляют изотермическую выдержку, после чего установку охлаждают и сваренную заготовку извлекают из нее. Перед дальнейшей обработкой втулки- ловушки с заваренными торцами обрезают.С использованием предложенной заготовки...
Способ обработки отработанного раствора для травления меди
Номер патента: 1280045
Опубликовано: 30.12.1986
Авторы: Ходкина, Кавина, Федулова, Шустов
Метки: меди, травления, раствора, отработанного
...наибольшая в интервале0,0376-0,0575 г, Причем скоростьтравления в обновленном раствореосаждения меди больше, чем в отработанном в пределах оптимальной концентрации. После трехкратного осаждения скорость травления резко падает.Для осаждения необходимого количества меди предварительно проводятрасчет, исходя из уравнения реакции;СцС 1 + Иа Б = СпБФ+ 2 ИаС 0.Расчет нужного количества сульфида натрия с учетом кристаллизационной воды, необходимого для осаждения 60 г/л меди в нашем примере:М 1 К 1 240Иа Б 9 НО, г/л=:Я (где М = 78 молекулярная масса ИаБ;М = 135 молекулярная масса СиС 1,"К - количество хлорной меди2 фМ Сц 3К64где Сц, г/л - количество ионов меди, необходимое дляосаждения,64 - атомная масса меди,240 - молекулярная...
Раствор для бесшламного травления, биметалла медь-сталь
Номер патента: 834103
Опубликовано: 30.05.1981
Авторы: Коростелева, Трактирова, Лисовская, Девяткина, Липкин
МПК: C09K 13/06
Метки: бесшламного, раствор, биметалла, травления, медь-сталь
...1-3 двой 46ными связями.По физико-химическим показателямСМС представпяет собой темную пегкотекучую жидкость, полностью растворимуюв водных растворах кислот. СМС выпускается но ТУ - 38-40748-74.П р и м е р. 8 составов растворов готовят при комнатной температуре и перемешивании путем добавпения в воду кислот, а затем оспедовательно других ком-цонентов. Свойства травипьного раствораот порядка введения компонентов в водуне меняются. Приготовленный раствор нагревают до температуры 70 С. Травлению в лабораторных травипьных установках подвергают образцы - патрубкибиметапла медь-сталь размером 6 300 мм,д 27 3 мм и травление проводят при70+2 ОС в течение времени полногостравливания окалины, Об эффективностипредпагаемого раствора судят по...