Резистивный материал

Номер патента: 890443

Опубликовано: 15.12.1981

Авторы: Кононюк, Махнач, Сурмач

МПК: H01B 1/08

Метки: материал, резистивный

...материала приведены значе ния объемных удельных сопротивленийР при 20, 150, 500, 800 С и значенияТКС в интервалах температур 20-150 Си 500-800 С,статочно хорошо спеченных образцов С необходимы высокие температуры,при 45которых однако происходит частичноеразложение 1.ай 1 С Последующий обжиг в кислороде восстанавливает токопроводящую Фазу.Реэистинные пленки указанных сос- И тавов наносятся на подложки из ФарФоровых или глиноэемистых трубок путемсмачивания раствором солей лантанаи никеля, предпочтительно азотнокислых или уксуснокислых,с послед дующим обжигом на воздухе или втоке кислорода при 800-1000 С во,течение от 5-10 мин до 5-8 ч. Внисимости от толщины и состава ш890443 близкие к составу 2 см. таблицу),имеют малый ТКС в...

Номер патента: 942174

Опубликовано: 07.07.1982

Авторы: Акулова, Корнатовский, Негляд, Руд, Смолин, Тельников, Федоров

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, резистивный

...широкую область твердыхрастворов, что дает возможность полу- вчить однофазный материал, используемый в качестве токопроводящей фазырезисторов., ТКС толстопленочных резисторов из этого материала ниже,чем ТКС резисторов на основе инди" у 5видуаль ных Ва В и а В.Для изменения номйналов сопротивления толстопленочных резисторов вопределенных пределах обычно изменяют состав реэистивного материала(изменяют соотношение токопроводящей фазы и стекла). При этом неизбежно изменяется и ТКС, зависящийот состава материала и ТКС токопроводящей фазы.При изготовлении резисторов изпредлагаемого материала с различнымсоотношением токопроводящей Фазы истекла имеется возможность сохранятьнизкий ТКС за счет использования в 4 4качестве токопроводящей...

Номер патента: 834777

Опубликовано: 30.05.1981

Авторы: Базуев, Макарова, Швейкин

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, резистивный

...рт.ст. при201200 С до полного прекращения выделения окиси углерода, а затем в вакууме 10 - 10 мм рт.ст, при 1400 Св течение 25 ч, Продукт перетирают,из него готовят образцы в виде параллелепипеда размером Зх 525 мми подвергают дополнительному отжигупри 1450 С в течение 12 ч. Получают:материал состава Сер 0, содержащийостальное Т 1,20. Величина удельногосопротивления р при 290 К составляет. 1-10 Э Ом см.П р и м е р 2. 7,2 г СеО, 3,4 гТО и 0 5 г ацетиленовой и обрабатывают, как в примере 1. Получают материал состава Се ТОз, содержащий 69,4 Се 20 З, 0,1 ТО, остальное ТОЗ, с величиной удельного со.противления у при 290 К равной9 10 Ом см. 40При ме р 3. 5,93 г РгОз,4,11 г ТО и 0,03 г ацетиленовойсажи обрабатывают, как в примере 1.Получают...

Номер патента: 1632251

Опубликовано: 15.07.1994

Автор: Ряхин

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, низкоомных, резистивный, резисторов, тонкопленочных

РЕЗИСТИВНЫЙ МАТЕРИАЛ ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ НИЗКООМНЫХ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ РЕЗИСТОРОВ, включающий хром, титан, алюминий и диоксид кремния (IV), отличающийся тем, что, с целью увеличения выхода годных, он дополнительно содержит оксид алюминия при следующем количественном соотношении компонентов, мас.%:Хром 40 - 62Титан 15 - 22Алюминий 4 - 8Диоксид кремния (II) 13 - 22Оксид алюминия 3 - 10

Номер патента: 960968

Опубликовано: 23.09.1982

Авторы: Кононюк, Любкина

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, резистивный

...мол.Ф:Оксид бария 47,8 - 49,3Оксид свинца 8,5 - 270Диоксид титана 25,2 - 42,2Для приготовления реэистивного материала используют порошки титана бария и мета-плюмбата бария приготовленного из карбоната бария и оксида или диоксида свинца, взятых в молярном соотношении 1:1,2, путем обжига на воздухе или в кислороде при 850 оС в течение 2-4 ч. Смесь порошков ВаТ 10 ВаСОи РЬО прессуютои спекают при 850-870 С в течение2-4 ч на воздухе.Э 960968 4 РЬО и 9,58 г ВаТО. Смесь тщатель и 500 С и значения температурных но перемешивается и обжигается на коэфФициентов сопоотивления для инвоздухе при 850-870 С в течение 2 ч. тервалов температур 20- 150, 150-300 и Иэ полученной смеси под давлением 300-500 С,М т/см формуют цилиндр длиной 29 мм з Из таблицы...